AdS5 (×)S1,AdS5(×)S5和AdS2(×)S2超弦模型的一种KRR参数化新方法

给出了3种典型超弦模型AdS5 (×)S1,AdS5(×)S5和AdS2(×)S2的一种简单的KRR参数化新方法,并结合这些超弦模型所具有的κ对称性给出了它们的卡当1-form,Maurer-Cartan方程,作用量和运动方程.     

AdS5\otimes S1, AdS5\otimes S5和AdS2\otimes S2超弦模型的一种KRR参数化新方法

给出了3种典型超弦模型AdS₅\otimes S¹, AdS₅\otimes S⁵和AdS₂\otimes S²的一种简单的KRR参数化新方法, 并结合这些超弦模型所具有的κ对称性给出了它们的卡当1-form, Maurer-Cartan方程, 作用量和运动方程.     

Ad S_5S~5背景下IIB超弦的Dressing对称性及Affine可积性

在AdS5 S5背景中 ,IIB超弦的运动方程与Maurer Cartan方程在世界面上存在对偶对称性 .通过引入扭曲对偶 (twisteddual)的概念 ,将有限的对偶变换推广到连续的对偶变换 ,并给出了AdS5 S5中IIB超弦的Lax联络及其可积的相容条件     

自旋为5/2的Bargmann-Wigner方程的严格解

在坐标表象中严格求解自旋为5/2的Bargmann-Wigner方程,导出了自旋为5/2的场(m≠0)的相对论性方程和动量表象波函数 关键词： 自旋为5/2的场(m≠0) Bargmann-Wigner方程 坐标表象 严格解     

S~(1/2)=540GeV p碰撞中KNO无标度性研究

本文运用多火球独立产生模型计算了S~(1/2)=540GeV pp碰撞中的KNO无标度性曲线和多次矩。理论计算结果与实验结果符合得很好,并揭示了其物理背景。     

d-玻色子体系波函数的SU_2SU_2基、物理基与无迹玻色子算符(Ⅲ)

本文把前文(Ⅰ)及(Ⅱ)发展的方法和获得的结果应用于原子核的相互作用玻色子模型(IBM)。我们采用SU_6(?)U_5(?)O_5(?)O_3表象,把求IBM哈密顿量矩阵元的问题归结为求d玻色子的一些基本矩阵元,并针对d玻色子体系的现有几类物理基建立了两种求基本矩阵元的方法,求出了相应的明显表达式.     

SU(2)规范理论中标量场方程的球对称解

本文用幂级数方法给出了非线性场方程(?)全部的球对称的严格解,方程的球对称通解只有三种:(?)     

Na_2Ge_2Se_5电子结构和光学性质的第一性原理研究

Na_2Ge_2Se_5是一种优异的红外非线性晶体材料.采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法对Na_2Ge_2Se_5进行结构优化,并以此为基础计算研究了Na_2Ge_2Se_5的电子结构和光学性质.结果表明:Na2Ge2Se5是宽禁带间接带隙半导体,价带至导带的电子跃迁主要来自于Ge和Se的48,4p态;Na对光学性质的贡献较小,Ge和Se之间的相互耦合作用决定了Na_2Ge_2Se_5的光学性质;该晶体在紫外区有强烈的反射和吸收,静态折射率为2.133,双折射率值适中,为0.145.理论计算结果表明,Na_2Ge_2Se_5是一种性能优良的红外非线性光学晶体材料.     

2-(5-碘-2-吡啶偶氮)-5-二甲氨基苯胺分光光度法测定催化剂中的铂

研究了2-(5-碘-2-吡啶偶氮)-5-二甲氨基苯胺(5-I-PADMA)与Pt(Ⅳ)显色反应,建立了一种测定微量铂的光度分析新方法。在p H4.3的HAc-NaAc缓冲溶液中,Pt(Ⅳ)与5-I-PADMA形成稳定的紫红色配合物,该配合物的最大吸收峰位于625nm,表观摩尔吸光系数为4.55×104L.mol-1.cm-1,铂(Ⅳ)含量在0—1.4μg.mL-1范围内符合比尔定律。方法应用于催化剂中微量铂的测定,结果满意。     

19顶角模型反射方程的常数解

通过直接解反射方程,给出了19顶角模型A2(2)模型反射方程的所有矩阵元非零形式以及其它几种非对角形式的常数解.     

高阶(2+1)维Broer-Kaup方程的孤波解

利用一个简单的变换将高阶(2+1)维Broer-Kaup方程变为一个简单的方程，并且结合齐次平 衡法给出了高阶(2+1)维Broer-Kaup方程的一些新的孤子解.这一方法可应用于其他非线性物 理模型. 关键词： Broer-Kaup方程 (2+1)维 孤子解 齐次平衡法     

Al掺杂对Ca_2Co_2O_5结构、电子性质与磁性质的影响研究

采用密度泛函理论模拟分析的方法在赝势法平面波电子波函数的基础上研究了掺杂Ca_2Co_2O_5基体系复合氧化物的微细电子状态,并分析了其晶体结构、能带结构、亚层间及亚层内相互作用及跃迁过程的变化.结果表明,CaCoO层Al掺杂之后晶格a轴和b轴略有收缩,而c轴保持不变,且引起相对能量升高,稳定性较纯Ca_2Co_2O_5有所降低.两种Ca_2Co_2O_5基复合氧化物材料均为金属型能带.掺杂引起d电子对Ca_2Co_2O_5材料电性能的影响弱化,而p电子的影响得到强化.经过Al掺杂之后CoO层在电性能中发挥的作用增大,CaCoO层发挥的作用减小,CoO层中的Co和O对电性能的影响大幅度增强.     

用同步辐射研究掺Tb3+氟化物K2GdF5的光谱和Gd3+-Tb3+能量传递

对比了不同激发波长下水热法合成的K2GdF5:Tb3+(摩尔分数0.5％)单晶材料的光致发光谱线;监测了5 D3→7F6和5 D4→7 F5的激发谱,给出了几组窄带吸收和3个宽带吸收;分析表明窄带发射为Gd3+的8 S7/2→6FJ、8S7/2→6GJ、8S7/2→6DJ、8S7/2→6IJ的跃迁,宽带发射为Gd3+的...     

(Ta_2O_5)_(1-x)(TiO_2)_x陶瓷结构相变研究

采用固相反应技术制备了x分别为 0 0 5、0 0 8和 0 1 1的 (Ta2 O5) 1-x(TiO2 ) x 陶瓷 ;在室温至 6 0 0℃范围内 ,测量了这些陶瓷样品的拉曼光谱随温度的变化。随着温度的升高 ,拉曼光谱中位于 35～38cm- 1的最低频移的声子模发生软化 ,并随之发生结构相变。拉曼光谱和实验结果都表明 :组分x分别为0 0 5、0 0 8和 0 1 1的 (Ta2 O5) 1-x(TiO2 ) x 陶瓷分别在 36 0、4 5 0和 5 4 0℃发生了由三斜至单斜相的结构相变。上述结论得到了 (Ta2 O5) 0 92 (TiO2 ) 0 0 8单晶热膨胀系数测量数据的支持。     

Si中S~0对、Se~0对和Te~0对的电子结构

利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中(S~0)_2,(Se~0)_2及(Te~0)_2基态的能级和波函数。分析了几种不同的观点。(S~0)_2,(Se~0)_2及(Te~0)_2均在禁带中引入一个对称性的A_(1g)能级和一个反对称性的A_(2u)能级,二者都是填满的。现有实验观测到的是较高的A_(1g)能级。从理论上指出了对称性的A_(1g)能级反而高于反对称性的能级的原因。而Si中(Se_2)~ 的g因子测量值和(S_2)~ ,(Se_2)~ 的ESR实验结果也支持本文的观点。     

相变存储材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜的结构和电学特性研究

采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge₁Sb₂Te₄和Ge₂Sb₂Te₅相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的结果表明:随着退火温度的升高,Ge₁Sb₂Te₄薄膜逐步晶化,由非晶态转变为多晶态,表面出现均匀的、 关键词： 硫系相变材料 1Sb₂Te₄')" href="#">Ge₁Sb₂Te₄ 2Sb₂Te₅')" href="#">Ge₂Sb₂Te₅     

一簇金刚石晶格上S~4模型的相变

采用重整化群和累积展开的方法,研究了一簇金刚石晶格上S~4模型的相变,求得了系统的临界点.结果表明:当分支数m=2和m 12时,该系统只存在一个Gauss不动点K~*=b_2/2, u_2~*=0;当分支数3≤m≤12时,该系统不仅有Gauss不动点,还存在一个Wilson-Fisher不动点,并且后一个不动点对系统的临界特性产生决定性的影响.     

溅射气压对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

实验研究了氩气气压对溅射制备的Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化的影响 ,结果表明 :随薄膜制备时氩气气压的增加 ,Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率n先增大后减小 ,而消光系数k先减小后增大。二者都随波长的变化而变化 ,且在长波长范围变化较大 ,短波长范围变化较小 ,解释了溅射气压对Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数影响的机理     

PbO对V_2O_5/TiO_2催化剂NH_3选择性催化还原NO的影响

基于铅在中国燃煤和MSW焚烧烟气中的特点,采用静态N_2物理吸附、NH_3化学吸附、程序升温表面反应、傅里叶变换红外光谱和催化剂活性评价的方法,研究了PbO对1 wt.%V_2O_5/TiO_2催化剂NH_3选择性催化还原NO的影响.结果表明,PbO使SCR催化剂活性降低.对于燃煤锅炉,PbO对V_2O_5/TiO_2催化剂的影响可以忽略不计;对于MSW焚烧炉,PbO是使V_2O_5/TiO_2催化剂失活的重要铅化合物.Pb覆盖在TiO_2表面上,与V活性位覆盖在TiO_2表面上的方式类似.催化剂的失活主要是由于PbO中和了催化剂表面Brφnsted酸性位的酸性,Brφnsted酸性位对于NH_3的吸附和活化起重要作用.     

Si中S~0/Se~0,S~0/Te~0和Se~0/Te~0对的电子结构

利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中硫属元素混对杂质(即 S~0/Se~0,S~0/Te~0和Se~0/Te~0)基态的电子结构。混对杂质在Si禁带中引入两个A_1能级,其中成键性的A_1能级位置在反键性的A_1能级之上。数值计算得到的混对杂质能级与实验符合得相当好。理论分析表明,在Si中测到的那些未定的比最近邻混对杂质能级更浅的能级 (S~0/Se~0(X_1),S~0/Te~0(X_1),Se~0/Te~0(X_1)…)不是由非最近邻位型的混对杂质引入的。本文还指出了一个极性分子放入Si晶体中,两个不同原子间s波函数的转移方向与通常极性分子相反,并讨论其物理原因。