美国第三代象增强器问世

<正> 使用高量子效率透射式GaAs光电阴极的第三代微光象增强管——第三代薄片管,最近已由美国国际电话电报公司电光产品分部研制成功。这种管子是由荧光屏纤维光学面板、含微道板的金属陶瓷体和连接光电阴极衬底的金属化阴极玻璃面板组成。微道板作为内部电流倍增器。光电阴极、微道板和荧光屏组成双近贴聚焦系统。     

厚三碱光电阴极的光谱特性及其在象增强器中的应用

<正> 一、前言在目前的微光夜视仪器中,多碱光电阴极是比较实用而又有效的一种探测器。它将夜天光照射下的被观测目标的光学图象转换为相应的电子图象。经电子透镜聚焦成象,并在高能电子轰击荧光屏后转换为可见的增强光学图象。所以,光电阴极犹如夜视仪器的“眼睛”,其性能的好坏直接影响夜视仪第一级的输入信噪比。实用光电阴极的性能通常应满足以下三     

英国马拉德公司象增强器

1.一般介绍象增强器是电子光学器件。它可以用电子学方法增强聚焦在光电阴极上的景物图象。增强了的图象显示在荧光屏上。象增强器由光电阴极、电子光学透镜和荧光屏组成。现有两种类型的被动式象增强器: a)第一代被动式象增强器(单级和三级级联,均为倒象式);     

双近贴聚焦微光像增强器分辨力理论极限问题研究

分辨力和MTF是微光像增强器的2个重要参数。根据线性系统傅里叶频谱理论,分析了微光像增强器的MTF和分辨力特性。 计算出理想条件下,基于光阴极/MCP/荧光屏3部件结构以及带内电子增益机制的光阴极/荧光屏2部件结构的近贴聚焦像管的理论极限分辨力。它们分别是96.6lp/mm和98.1lp/mm。该结果可供人们改进像管MTF及分辨力特性时参考。     

超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱研究

利用785 nm波长激光作为激发源,测量了超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的荧光谱.试验中发现该荧光谱不是一条光滑的高斯型曲线,而是一条在高斯型荧光谱上叠加了一定频率间隔小锯齿峰的曲线.经实验验证和理论分析证明该荧光谱上的小锯齿峰是一种干涉条纹,与超二代微光像增强器的结构有关.干涉条纹之间的间距与相邻两干涉峰波长的乘积成正比,与超二代微光像增强器的近贴聚焦距离成反比.干涉条纹调制度大小与Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的厚度成反比.通过测量超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱上两相邻干涉条纹的间距和调制度,就可以测量或比较出不同超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的膜厚、近贴聚焦距离.研究结果对提高超二代微光像增强器阴极灵敏度和分辨力提供了一个有效的分析手段.     

近贴聚焦象管的进展

本文在简要介绍了近贴聚焦象管的特性参量之后,着重介绍了在阴极真空传递技术和荧光屏工艺方面取得的进展,综述了近贴聚焦象管的当前水平及其应用与发展前景。     

微光像增强器的最新发展动向

综述了近年来微光像增强器发展的现状和动向。目前微光器件主要向第四代近贴聚焦像增强器发展，其技术突破一是采用无膜MCP；二是光电阴极采用自动门控电源和红外热像与微光夜视光学融合技术。夜视仪向小巧、轻便和价廉的单兵头盔及单甲双目手持微光眼镜和微光轻武器瞄准仪发展。最后指出微光器件寿命是实现实用化的关键。     

三代微光像增强器分辨力计算理论模型

分辨力和传递函数MTF是微光像增强器的2个重要参数。长期以来，人们对于三代微光像增强器阴极发出的电子初能量分布没有统一的认识，从而没有一个公认的分辨力和MTF计算模型。通过理论分析和假设，给出一定条件下一个分辨力计算模型。把实际测得的第一近贴距、第二近贴距、阴极电压和荧光屏电压等数值代入分辨力计算模型中，可以得到分辨力理论值。经与实际测量值进行比对，发现二者偏差值在12.3%以内，此理论模型基本符合实际需求。该分析方法和所得结果有一定实用价值，可作为设计三代微光像增强器的技术参考。     

前近贴脉冲电压对三代微光像增强器halo效应的影响

为了探讨三代微光像增强器的合适工作电压,研究了前近贴脉冲电压对微光像增强器halo效应的影响.将脉冲电压信号加在光电阴极上,分别改变脉冲信号的高低电平电压幅值和占空比,利用高分辨率CCD采集了微光像增强器的halo图像,对比分析了halo图像中心线上各像素点对应的灰度值分布和光子计数.研究结果表明,随着高电平电压幅值和占空比的提高,灰度值为255的像素点数目变多,halo图像中背景和信号的边界越来越清晰.当前近贴电压增加到200 V以上和占空比大于60％左右时,其对三代微光像增强器halo图像中心线上各像素点的灰度值分布影响不大.当低电平电压增加到2V以上时,光电子在低电平阶段无法克服阻滞场到达微通道板.此研究有利于探讨微光像增强器的最佳工作电压和光电子从阴极面出射时的能量分布,为提高三代微光像增强器的性能提供了实验支撑.     

近贴聚焦开口式微通道板象增强器调制传递函数的近似计算

提出了根据微通道板输出电子轴向能量分布的测量原理,近似计算由微通道板和荧光屏组成的近贴聚焦开口式象增强器调制传递函数(MTF)的数值方法。讨论了近似方法带来的计算误差及提高计算准确性的可能途径。     

微光像增强器光阴极灵敏度理论极限问题研究

光阴极灵敏度(量子效率)是微光像增强器最重要和最基本的性能参数之一,它决定着微光成像系统在低照度下的视距和图像清晰度。根据半导体光电发射物理模型及普朗克黑体辐射理论,简介了光电发射5个环节（光子不完全吸收、GaAlAs/GaAs后界面、GaAs光阴极激活层体特性缺陷、GaAs光阴极表面位垒和GaAs光阴极-MCP之间近贴电场电子隧道效应）对光阴极量子效率的影响,给出了相关数学表达式。在假定5个环节子量子效率均为100%的前提下,估算出蓝延伸GaAs光阴极在（0.41～0.93）μm波段内的极限积分灵敏度,其值为6569μA/lm。文末,对此结果的意义给予评价。     

Ⅲ代微光管后近贴系统MTF研究

在微通道板（ＭＣＰ）电子光学聚焦理论和输出电子能量分布实验结果基础上提出的了ＭＣＰ输出电子角度分布和能量分布的理论模型,导出了Ⅲ代微光样品管后近贴系统调制传递函数（ＭＴＦ）的理论表达式,对Ⅲ代数光管极奶分辨力计算与测试结果进行比较,最后提出了改进Ⅲ代数光管后近贴系统ＭＴＦ的主要技术途径。     

微通道板与Ⅱ代倒象微光管亮度匹配关系的研究

首先从荷兰菲利浦公司XX1383象增强器技术条件规定的亮度增益、寿命、平均亮度、自动亮度控制曲线等技术指标推导了微通道板的输入电流密度计算结果。然后根据国外相应管型的微通道板技术条件的电子增益技术指标中对输入电流密度的规定方式,分析研究了H36微通道板输入电流密度的合理规定形式与数据。从推导Ⅱ代倒象微光管的亮度增益计算公式着手,结合有关文献提供的H36微通道板电子增益实测结果,近贴高场强荧光屏发光效率等数据,计算出电子增     

基于P31荧光粉的像增强器余辉测量方法研究

荧光屏余辉在高帧频速光子计数等系统应用中起着决定性作用。GJB 7351-2011《超二代像增强器通用规范》荧光屏余辉试验方法中规定光脉冲作为激励源,该方法中光脉冲激励源停止后光源照度下降缓慢,造成在短余辉粉（μs级）和中余辉粉（ms级）的余辉时间测量中测试结果不准。针对该问题,提出了一种在光照持续工作状态下,用光电阴极电压脉冲信号作为激励源的荧光屏余辉测试方法,该方法中光电阴极超快响应时间（一般为1 ns左右）和脉冲电压信号的较短边沿时间（一般可控制在10 ns以内）特性改善了激励源自身时间响应对荧光屏余辉测试结果准确性带来的影响。基于该方法建立了一套微光像增强器荧光屏余晖测量装置,对P31荧光粉的国产三代微光像增强器余辉进行了重复性测量,对测量不确定度进行了误差分析,其扩展不确定度为3.2%,达到了传统光电测试仪器的准确度要求,可满足微光像增强管荧光屏余辉测量的要求。该研究成果为更高性能产品提供了一种检测手段。     

微通道板防离子反馈膜阈值电压特性研究

微通道板(Microchannel-plate,MCP)防离子反馈膜是负电子亲和势光电阴极微光像增强器的特有标志,其主要作用是有效阻止反馈正离子轰击阴极以提高器件工作寿命。微通道板防离子反馈膜的厚度决定了其对电子透过、离子阻挡能力的大小,电子透过能力直接影响图像的对比度和信噪比。根据微通道板防离子反馈膜阈值电压定义和测试原理,对微通道板不同厚度防离子反馈膜、不同工作电压条件下的阈值电压特性进行了测试研究。结果表明:防离子反馈膜的阈值电压随着膜层厚度的增加而增加,两者之间遵循正比的线性关系:Y=3.98X+50;在微通道板线性工作电压范围内,防离子反馈膜的阈值电压随微通道板工作电压的增加而降低,两者之间遵循反比关系。该研究对提高微通道板在负电子亲和势光电阴极微光像增强器中的使用性能具有重要意义。     

二代近贴管微通道板(MCP)电子清刷技术

主要介绍二代近贴微光管MCP电子清刷技术研究结果,结合质谱分析对MCP释放的残气对阴极光电发射产生的影响进行讨论.     

共面线多阳极大面积光电倍增管的研制

提出了一种新型的基于共面线结构的多阳极光电倍增管(CPWMA-PMT),可实现大的工作面积、反射式光电阴极和近贴式聚焦方式。阐述了CPWMA-PMT的工作原理,分析了设计与研制中的关键问题。对所研制的CPLMA-PMT进行了参量测试,验证了在近贴聚焦工作条件下采用共面线多阳极结构的可行性,并提出了进一步的改进方向。     

微通道板向第Ⅲ代管和新的领域转移

<正> 一、前言早在1960年前就把纤维光学面板用作级联微光象增强器的关键元件,这就是所谓Ⅰ代管。其工作原理是: 一块输入面板能够把图象从它的外表面传递到真空管内侧的内表面上,在它上面可制作光电阴极(见图1(a))。从光电阴极释放出     

二代近贴微光管光电阴极转移热铟封技术

本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术，它工艺可靠、技术先进，对提高微光管的总体指标、解决像质差、提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。     

二供近贴微光管光电阴极转移热铟封技术

本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术，它工艺可靠，技术先进，对提高微光管的总体指标，解决像质差，提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。