静电场作用下α-碘酸锂单晶的透光异常现象

实验观察到,沿α-碘酸锂单晶的z轴向施加静电场,能使晶体的透射光呈现异常分布。观察到此变化与所加的z向电场大小及其与晶体电正极面之相对取向有关,而与入射光源的相干性无关。同时注意到现象的形成落后于施加电压的弛豫效应。当施加y向电场时无此效应。     

静电场作用下α-碘酸锂单晶中子衍射的增强

在实验中观察到,沿α-碘酸锂(LiIO₃)单晶的z轴向施加不大的电压(1/4cm厚的晶片加电压1V),就能使某些晶面的中子衍射强度显著增大;同一晶片上加电压1500V时衍射强度增到七倍左右。与此同时,还观察到衍射峰摇动曲线变宽和强度变化的弛豫过程,低频交变电场和压电谐振也能导致衍射束增强,但不如直流场的作用明显。     

光束通过在静电场作用下的α-碘酸锂单晶产生的垂直于c向的散射带

激光束通过c向静电场作用下的α-碘酸锂单晶时,观察到与c向正交而且张角很大的散射带,其强度在透射光斑的两侧并不对称。当入射光的电向量垂直于c向时,散射光的电向量则平行于c向;而前者平行于c向时,后者则垂直于c向。如果入射光的电向量既不垂直也不平行于c向,则出现电向量分别平行和垂直于c向的两条散射带,在特定条件下它们相重合。本工作详细研究了散射带的偏振态、强度分布的类准周期结构及其弛豫行为等。我们认为这种散射带很可能是由于晶体中载流子沿c向运动产生的某种效应所引起。同时用显微镜观察了解电场作用下α-腆酸锂单 关键词：     

静电场作用下α-碘酸锂单晶的透射光异常现象的进一步观察

本文利用投影法、光学傅里叶频谱分析法和纹影法,对静电场作用下α-碘酸锂单晶的透射光场异常分布作了进一步观察。考察了z-切样品的透射光场的空间频谱随电压升高而改变的情况。利用高通滤波器进行滤波,观察到晶体的透射光的衍射效率与外加电压成线性关系,并与电场方向和晶体电正极面之相对取向有关,但是不依赖于入射光的偏振状态。消光比的测量表明,静电场的作用不改变光的偏振态。定量地记录了衍射效率随时间变化的弛豫过程。     

静电场作用下α-碘酸锂单晶中子衍射的增强(Ⅱ)

在以前工作的基础上,继续作了以下的实验:(1)在低温条件下测定了α-碘酸锂单晶在静电场中的衍射情况,观察到在～180K以下出现“冻结”现象,即加上电场并不能使衍射增强,撤去原在室温所加的电场后衍射强度也并不减弱;(2)用狭束中子探测了加静电场后晶体的不同部位,观察到衍射增强是体效应而不是表面层效应;(3)测定了低频交变电场对晶体中子衍射强度的影响,衍射束增强的程度随频率的下降而加大,频率在1500Hz时衍射束的增强已不明显。     

α-碘酸锂单晶在外电场作用下中子衍射增强的各向异性

在四圆中子衍射仪上对α-碘酸锂单晶在外加直流电场作用下的中子衍射强度增大和各向异性作了系统的测定。对测定结果的分析表明:在场强不大时,衍射的增强及其各向异性可以用经典的各向异性消光理论得到较好的说明。 关键词：     

静电场对a_碘酸锂单晶喇曼光谱的影响

本文报道了静电场作用下a-碘酸狸单晶喇曼光谱的变化. 观察到由于静电场作用, 瑞利散射强度显著增强. 对于喇曼散射, 观察到“串线” 现象, 即通常的一阶喇曼散射光谱的选择定则遭到破坏. 我们还观察到, 在y(xz)x实验配置下, “串线”, V1=790 (1/cm)(对应于碘酸根内部振动对称伸张模)的强度在施加同号电压下, 有显著增强现象, 并且其谱线强度随时间变化存在弛豫现象. 在y(zz)x 配置下, 施加异号电压时, 四条谱线强度都发生明显变化. 关键词：     

碘酸锂单晶的生长

本文报导了用恒温蒸发方法从水溶液中生长非线性光学材料α碘酸锂单晶的一些结果和有关现象,包括溶解度数据,晶种培育步骤,生长大单晶的经验以及异型体β－ＬｉＩＯ３晶体的出现条件,较着重地叙述了α－ＬｉＩＯ３Ｚ轴两端生长率的差异,溶液的ｐＨ值与温度等因素对三个方向的相对生长率和晶体楔化度的影响,晶种切型等与晶体宏观缺陷的关系．此外,采用了ｘ射线反常散射方法测定晶体的绝对构型,验证了快生长端是α－ＬｉＩＯ３的正电极．     

静电场和压电振荡对α-碘酸锂等晶体中子衍射强度的影响

用中子衍射进行晶体结构的研究,是一个与常规的x射线结构分析方法各具特点、相辅相成的学科要[1].在通常情况下,被研究的晶体样品是处在自然状况下(室温,不加其他物理条件)的,但也有人作过晶体在特殊情况下(低温、高温、高压、磁场……等)的结构分析,目的是探索在这些特殊条件下晶体内部的变化规律.1960年间,在中国科学院原子能研究所自制的中子晶体谱仪上,曾试用过处在压电振荡(即超声振荡)下的石英单晶进行中子衍射,发现衍射中子束的强度可以由于晶体的振荡而成倍增长[2].这一现象在 1966年以后国外也有工作报导[3,4],1973年后,我们继续开…     

α-碘酸锂的介电和导电行为

在沿c轴方向(以下简称c向)加静电场的作用下,测试频率为1OkHz时,测量了α-碘酸钾的表观介电系数ε′_c和ε′_a随同号电压V₊和异号电压V_-变化的特征曲线,确定了晶体中不存在类似于半导体的肖脱基阻挡层。当静电场加在c向上后,ε′_c变化的弛豫过程,与静电场作用下中子衍射强度增加的弛豫过程相似。实验观察到,这一晶体导电的载体主要是锂离子,并近似地具有在c向上一维电导性的特点。测出了c向电阻率ρ_c与V₊和V_-的特征曲线。     

α-碘酸锂的电流弛豫和偏压场作用下表观介电常数弛豫行为

本工作较为详细地测定了静电场作用下α-碘酸锂的电流弛豫行为:在撤去c轴方向上的静电场后,从我们所用测量电流仪器的响应时间到某一t_k的区间内,放电电流服从(t/t₀)^-α的负幂次方律;而在t>t_k,其规律近似地为:(t/t₀)^{(-α′ln(t/t₀))}。相关的弛豫参数α,α′和t_k在有限的范围内,依赖于温度和施加电压的大小,也因样品不同而有差异。对将近十个样品进行了测试,结果表明,大多数晶体在尽可能小的电压下0.43≤α≤0.7,0.07<α′<0.09;上述的电流弛豫表达式与α-碘酸锂在偏压场作用下观察到的其它物理现象的弛豫行为,与在中子衍射加强和表观介电常数中的表现如出一辙;可以初步肯定各种现象的弛豫行为具有相同的物理根源。 关键词：     

c向静电场作用下α-LiIO_3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理

在c向静电场作用下,α-LiIO_3单晶的喇曼谱发生“串线”,并且谱线强度改变。本文分析了这一现象的起因:由于离子输运引起的空间电荷涨落使α-LiIO_3单晶的极化率张量和喇曼张量主轴方向发生涨落。前者产生oe光散射,散射光再发生一次喇曼散射,造成喇曼谱“串线”和谱线强度的改变;后者直接造成喇曼诺“串线”和谱线强度的变化。前者的贡献远大于后者。     

α—碘酸锂晶体的空间生长

文章报道了三次α－碘酸锂晶体空间生长实验．该实验是在我国返回式科学技术探测卫星上完成的．为研究空间微重力环境对于晶体生长和物性的影响，应用Ｘ射线衍射、Ｘ射线形貌、Ｘ射线荧光分析、光学透过率和介电测量等技术，对在微重力和常重力条件下生长的晶体结构、完整性、杂质分布以及介电常数等参数进行了研究．研究结果表明：微重力条件下，晶体中β－碘酸锂的含量比地面低；微重力对α－碘酸锂的晶体形态和结构没有影响；微重力条件下生长的晶体的完美性优于地面晶体；微重力环境使碘酸锂晶体的介电常数增高     

采用α-碘酸锂作为超声探头压电材料的试验

本栏反映我国广大工农兵和物理学工作者在实验技术和实验方法上所取得的某些进展,以短文为主,要求在科学分析上严肃认真,文字简明易懂。欢迎大家踊跃投寄这方面的经验总结文章。     

c向静电场作用下α-LiIO3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理

在c向静电场作用下,α-LiIO₃单晶的喇曼谱发生“串线”,并且谱线强度改变。本文分析了这一现象的起因:由于离子输运引起的空间电荷涨落使α-LiIO₃单晶的极化率张量和喇曼张量主轴方向发生涨落。前者产生o←→e光散射,散射光再发生一次喇曼散射,造成喇曼谱“串线”和谱线强度的改变;后者直接造成喇曼诺“串线”和谱线强度的变化。前者的贡献远大于后者。 关键词：     

α碘酸锂的生长机制和绝对构型

在过饱和溶液中生长的α－ＬｉＩＯ３单晶沿Ｃ轴方向两端生长率的显著差异来自晶体的电极性．用对碘原子有反常散射的ｘ射线衍射分析方法测定了我们生长的单晶的绝对构型,并由正负离子分布的偏向,推知其快生长端是正电极．实验显示出籽晶片负极面周缘上长出的寄生晶体是由过饱和溶液中的微晶以正极向上的方位落在负极面上发育而成的．我们观察到寄生晶体与主晶体的旋光方向相反．因之,寄生晶体和主晶体的关系既是电孪生又是反构型孪生．从化学物理的一般认识,可以认为α－ＬｉＩＯ３的生长机制由以下几个因素所决定：（１）靠近正电极表面的溶液中ＩＯ３－的浓度局部地高于Ｌｉ＋,而在负极表面则与此相反．（２）Ｌｉ＋在溶液中热骚动速度比ＩＯ３－约大８倍,而ＩＯ３－在进入点阵时必须逐渐调整其方位．前者对进入点阵的阻碍可能大于后者．（３）生长的过程是正电极表面先吸附ＩＯ３－,然后因电荷不平衡再促使Ｌｉ＋进入点阵位．这两个步骤循环往复形成晶体的生长．负极表面的生长过程恰好是相反的次序．这一设想的机制曾经预见到快生长端为正电极并可以说明负极上的寄生晶体大多数在其周缘长出的事实．最后,从孪生边界应变大小的差别解释了反构型电孪生较之同构型电孪生占优势和电孪生不自发成核的实验事实．     

不同电极对α-LiIO3离子输运特征的影响的光学显微观测

介绍了用偏光显微镜对α-LiIO₃特性的观察.研究了五种不同电极界面状态的八块晶体样品在c向静电场作用下晶体的电导、空间电荷的沉积和分布.观察到由于α-LiIO₃的空间电荷的输运形成的彩色准直条纹.此彩色条纹与光折变型光栅的衍射带之间有对应关系.而不同的电极界面状态对α-LiIO₃晶体的电导和离子输运有明显的影响. 关键词：     

c向直流电压作用下α—LiIO_3单晶的光的异常散射的进一步研究

文献[1]发现激光束通过c向直流电压作用下的α-LiIO_3单晶时,产生一种电矢量有特定取向且不同于入射光电矢量方向的异常散射带。本文进一步研究了这种散射带的精细结构。确定散射光相对于入射光没有大于15MHz的频移。这种散射带的强度在透射光斑两侧分布不对称,一侧强,另一侧弱。我们发现两种绝对构型的晶体,散射带的强度分布正相反,D型晶体散射强的一侧,正是L型晶体散射弱的一侧。并研究了异常散射带位置和透射光斑的位置间的各种配置状况,发现它们取决于两个通光面相对于c轴的取向。     

静电场作用下α一LiIO_3单晶中子衍射增强现象的理论解释

本文根据(1)在偏振锥光下,用显微镜观察到α-LiIO_3单晶中层状缺陷在静电场作用下的变化;(2)静电场对a-LiIO_3单晶的X射线形貌象的影响;(3)用X射线双晶衍射测得α-LiIO_3单晶晶格参数的不均匀性,指出α-LiIO_3单晶在静电场作用下中子衍射增强现象是由于晶体中的空间电荷(载流子、杂质离子和空位)在宏观尺度缺陷处富集,造成晶格参数有一定梯度。我们对通常计算中子布喇格散射截面的玻恩近似,引入消光修正,得到畸变晶格中子衍射强度公式,可以解释文献[4—6]中观察到的各种现象。     

α-LiIO_3单晶中离子输运引起的高强度准弹性光散射

激光束通过加c向直流电压的α-LiIO_3单晶时,发生三种准弹性散射:散射光电位移矢量有特定取向且与入射光电位移矢量方向不一致者,散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带垂直c轴者以及散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带对c轴倾斜者,本文详细研究了这三种散射的空间频谱、精细结构、结构敏感性、弛豫规律以及光散射和晶体内电流密度与局部电场的关系,发现光散射发生于晶体内电流密度较大的区域,本文对三种散射的起因给予了说明:离子导体在直流电压作用下空间电荷的分布和运动引起了介电张量的涨落,使得在晶体主轴坐标系中出现非对角元,对角无数值也随空间和时间涨落,从而引起这三种散射。