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非金刚石衬底表面气相生长金刚石薄膜的成核理论(Ⅱ):宏观粗糙表面衬底 总被引:2,自引:1,他引:2
本文在文献[1]基础上,建立了在低压气相生长金刚石薄膜过程,金刚石在宏观粗糙的非金刚石衬底表面上的成核理论。该理论不仅合理地解释了实验上发现的缺陷对扩散原子的加速聚集作用,而且给出了微蚀坑对缺陷成核破坏的物理机制,这已被实验所验证。 相似文献
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衬底正偏压增强成核效应是最近等离子体CVD金刚石薄膜中光滑衬底表面金刚石的成核研究发现的,它对于增强和控制金刚石在非金刚石衬底光滑表面的成核行为具有重要的意义。基于已经得到的实验结果。本文分析了衬底正偏压作用于成核过程的机理,提出了这种效应的电子流密度模型,并且给出了正偏压增强效应与沉积参数的关系,描述了正偏压处于过渡和饱和区时的成核状态,合理地解释了所谓“正偏压阻止成核”现象,本模型的结果与已经 相似文献
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本文采用了半金刚石昌规则地排列放置在溶媒表面上的工艺方法进行了控制金刚石成核的合成实验。通过使用不同的种晶放置位置及种晶排列问题,研究了金刚石在种晶上的生长过程和影响合成结果的因素。 相似文献
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本文模拟了半水法湿法磷酸生产过程中α型半水硫酸钙(α-HH)的结晶过程。在30%P2O5,反应温度95 ℃,过饱和度S=1.64~2.10条件下,通过浊度仪监测溶液中浊度变化,测定了不同F-及SiF2-6浓度下α-HH结晶诱导时间,采用经典成核理论公式计算了α-HH的临界晶核半径及成核速率,并通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)表征分析了F-及SiF2-6对α-HH结晶过程的影响。结果表明:随着F-、SiF2-6浓度的升高,α-HH晶体的结晶诱导时间延长,表面能和临界晶核半径都增大,然而成核速率减小。当过饱和度S=1.64时,加入0.06 mol·L-1 F-,α-HH结晶诱导时间延长了465 s,成核速率减小到0.403×1029 晶核数·cm-3·s-1,然而,加入0.06 mol·L-1 SiF2-6,α-HH结晶诱导时间延长了710 s,成核速率减小到0.339×1029晶核数·cm-3·s-1。SiF2-6对α-HH晶体抑制成核作用大于F-。F-、SiF2-6阻碍了α-HH晶体沿C轴方向生长,使得晶体长径比减小,晶体形貌向短柱状变化。F-、SiF2-6影响了α-HH晶体(200)、(310)、(400)晶面衍射峰强度和结晶度。控制半水法湿法磷酸中F-及SiF2-6浓度水平,可以得到短柱状的α-HH晶体,有利于过滤洗涤。 相似文献
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本文应用热力学成核理论研究了低压气相生长金刚石薄膜过程中,金刚石在非金刚石衬底表面的成核行为,在计入原子氢对稳定核和衬底刻蚀作用情况下,建立了平表面衬底上稳定原子团的生长议程及成核理论。该理论与已有的实验事实是一致的,并且在线性近似条件下得到了一些有意义的结果。 相似文献
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异质粒子对高温高压下金刚石成核的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
本文通过将一系列粉末粒子(包括B4C,β-SiC,TiC,TiB2,结晶完整的石墨和C60)定点地分别添加到溶媒-碳反应系里,就添加物质对金刚民核的影响进行研究。结果发现,所有这些添加粒子均具有明显的金刚石选择成核作用,在不同程度上促进金刚石的成核。在相同条件下,B4C可能是更为有铲的成核促进物质。 相似文献
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