批量生产硅压力敏感元件的工艺方法

本文介绍一种批量生产硅压力敏感元件的工艺方法。与传统工艺方法不同,它采用2英寸直径厚2.5mm的硅片,每片上可制造出12个硅压力敏感元件。然后通过划片、硅杯加工、静电封接及装配,制成一种全焊接结构的硅压力传感器。这种工艺方法新颖,将集成电路工艺技术和敏感元件特有工艺技术结合在一起,生产出的敏感元件质量好、成本低,特别适合于一般半导体器件生产厂转产批量生产硅压力敏感元件和传感器。     

压力变送器用全焊接结构的扩散硅敏感元件的研制

本文介绍了研究开发全焊接结构的硅压力敏感元件的具体内容及解决的技术关键问题。对硅-玻璃-金属静电封接工艺做了一些论述。最后给出了研制的全焊接结构的扩散硅压力敏感元件的性能指标、测试结果。     

硅扩散型半导体传感器光刻掩模设计

本文从单晶硅材料的某些性质和压阻原理出发,对硅扩散型半导体压力传感器的光刻掩模版设计进行了较为全面地探讨,从而提出五种方案。文中还指明了某些使用条件下的最佳方案。     

硅平面高反压大功率晶体管的设计与工艺

本文对高反压平面大功率晶体管制造中集电结终端结构的设计及效果进行了研究,提出了新的设计方法。并探讨了生产工艺中经常出现的芯片成品率低的现象,找到了易于实施的有效方法。     

扩散硅全桥应变计的研制

对扩散硅全桥为计的设计、工艺进行了全面的分析和介绍，提出了一套适合批量生产的工艺技术。在研制中对工艺中的关键技术进行了特殊的处理。     

硅中扩散参数的分析和测定

扩散工艺至今仍是包括半导体光电器件在内的半导体器件和集成电路制造中的重要工艺步骤。但 Si 的扩散工艺中往往只测量扩散后的方块电阻。我们通过分析和实际测量 Si 扩散后的主要参数:方块电阻、结深、表面杂质浓度及杂质浓度分布,其相互关系表明,对于评价掺杂的总质量,只测量方块电阻是不全面的。而测量杂质浓度或杂质浓度分布,将是检查扩散层质量的较好方法。     

扩散硅全桥应变计的研制

对扩散硅全桥应变计的设计、工艺进行了全面的分析和介绍。提出了一套适合批量生产的工艺技术。在研制中对工艺中的关键技术进行了特殊的处理。     

硅中氧氮扩散研究进展

着重探讨了氧的低温异常扩散现象,研究了氮在高温下扩散速率、扩散机理方面的进展,并对上前存在的一些尚未解决的问题进行了讨论。     

硅中注入硼的异常扩散

<正> 浅结制备是超大规模集成电路发展的关键技术之一。硅中硼、磷等杂质注入,在退火时发生异常扩散,使浅结的控制困难。异常扩散是一个瞬态快速扩散过程。对于硼,在退火开始时,杂质分布尾部推移极快,随之减慢,恢复正常扩散。这一过程用衰变时间表征。     

温度梯度下磷在硅中的扩散

在单晶硅本身存在温度梯度条件下，实验观察到施主杂质磷在硅中的扩散系数比在恒温扩散炉条件下的扩散系数大得多。文中对这种异常扩散现象进行了讨论。     

旋转载体用硅微机械陀螺的敏感元件

介绍了旋转载体用硅微机械陀螺的敏感原理,计算了硅振动单元振动摆角和敏感电容的关系。介绍了旋转载体用硅微机械陀螺敏感元件的结构和利用双面多次光刻、腐蚀等微机械工艺加工得到硅振动单元的工艺过程。对制作的4个敏感元件的电容进行静态测试,得到4个敏感元件各自电容的静态值,它们之间有所偏差。     

DLH2系列扩散硅液位变送器

ＤＬＨ２系列扩散硅液位变送器大连仪表元件厂于吉才李杰１、概述ＤＬＨ２系列液位变送器采用了大连仪表元件厂引进美国生产线生产的力敏元件做为液位检测的核心元件。变送器主要包括：投入部、导气电缆和中继箱。投入部采用不锈钢或耐腐蚀壳体，因此可以检测腐蚀性和非腐...     

扩散硅压力传感器在水文中的应用

本文仅以L18系列为例,简介固态压阻传感器及其在测量水文一些要素中的应用。 各种进口扩散硅系列固态压阻传感器均以单晶硅为基体,按特定晶体面,根据不同的受力形式分别加工成杯、梁、柱、膜等形状作为弹性应变元件,在弹性应变元件的适当位置,用集成     

真空微电子器件硅锥阴极的工艺研究

本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。