ZnO薄膜和薄膜声表面波器件

由Solie和Kino等人提出的薄膜SAW器件,实际上是一种包括覆盖在非压电基片上的压电薄膜在内的层状结构。适当选择压电薄膜和基片材料,可实现强压电耦合和高温度稳定性,氧化锌(ZnO)薄膜由于它有较高的机电耦合系数(K:(?)0.28)、较好的温度稳定性以     

薄膜测厚仪

许多物理实验要用很薄的膜,如薄靶、薄吸收片、薄窗等,并且要知道所用薄膜的厚度(或面密度)。测量薄膜厚度的方法有称重方法、光学方法、电学方法和放射性方法等。这些方法适用于测量不同厚度的薄膜,准确度也不同。我们制备了一台简便的α粒子薄膜测厚仪,并且用它测量了厚度从10微克/厘米~2到数百微克/厘米~2的VYNS有机薄膜的厚度(VYNS是氯乙烯和醋酸乙烯的共聚物)。     

氟化镁薄膜

氟化镁薄膜目前仍是工作中用得最多的一种薄膜。但目前在镀制氟化镁薄膜过程中,还有几个问题有待进一步解决。本文想结合工作实际,谈氟化镁薄膜镀制过程中的三个主要问题。一、原料问题过去我们使用的氟化镁全靠进口,其中用得最多的是英国BDH氟化镁。我国虽然生产MgF_2,就是不能用于镀制薄膜,镀膜用的MgF_2却一直要进口。帝国主义为了卡我们,对这种BDH氟化镁的性能,十分     

薄膜型热释电探测器及其薄膜的制备

本文阐述了薄膜型热释电探测器原理及其薄膜的制备方法,进一步分析、整理了薄膜制备过程中的条件及参数。     

变折射率薄膜

目前的多层增透膜都是以均质膜为基础的。所谓均质膜,就是膜的折射率沿厚度方向是一致的。如果膜是非均质的,也就是膜的折射率沿厚度方向逐渐变化,我们称为变折射率薄膜。当膜的折射率从玻璃的值逐渐变到空气的值时,表面的反射便消失了。当然这在工艺上目前看来是无法实现的,因为没有一种固体材料其折射率接近空气的折射率。然而,如果使膜的折射率由玻璃的值逐渐增高到可以同氟化镁相匹配的值,则将是另一番景象。而且,这在工艺上是可以实现的。我们利用假想面的方法来分析这样的双层膜。如图所示,三个界面的菲涅耳系数分别为r_0,r_1和r_2。两层膜的位相厚度分别为δ_1/2和δ_2/2,其中     

透明导电薄膜

<正> 引言金属薄膜和半导体薄膜都具有透明、导电和反红外线三种性能。我们镀制的掺锡(SnO_2)三氧化二铟(In_2O_3)薄膜,方电阻R_□=20±10Ω;可见光透光率T_(0.4～0.75)=(96±2)%,激光1.06μ透光率T_(1.06)=(92±2)%;对直径140㎜、厚12㎜的玻璃上镀膜后,施加28V的电压,经过5min可以从-45℃低温下上升到5℃;用功率50MW,能量500mJ的激光器连续2min600次发射激光冲击膜层,膜层未见损伤。本文将要介绍透明导电膜的分类、几种制备方法、透明导电膜的机理、镀膜的工     

离子导体薄膜

最近十几年来,发现了一些离子电导率很高的固体材料即超离子导体或快离子导体.然而与液体电解质相比,其离子电导率仍然很低.为了克服这个缺点,在探索电导率更高的离子导体新材料的同时,也开展了离子导体薄膜的研究.本文综述了离子导体薄膜的研究情况. 一、薄膜生长和物理性质1.衬底 通常将薄膜制备在衬底上,以获得适当的机械强度.因而衬底材料的选择和处理就是离子导体薄膜研究中的重要问题. 在离子导体薄膜器件中通常有几个薄膜叠在一起,除了原始衬底外,每一层薄膜又成为下一层的衬底,这样就涉及到膜与衬底和膜与膜之间的相互作用.薄膜与衬…     

纳米硅薄膜

非晶态硅薄膜是当前重要的人工功能材料,它具有亚稳态结构,具有一系列不同于晶态硅的特征.十余年来,用非晶硅薄膜材料已研制成各种类型的非晶态半导体新器件[1].然而,由于这种材料本身还存在一些弱点,如结构上的亚稳状态及不稳定性,工艺上不易做到很好的重复,有较强的光感生效应及热不稳定性;迁移率及载流子寿命远低于晶态硅等,因而它的进一步开发和应用受到了限制. 如何改进非晶硅薄膜材料的性能、质量以及寻求提高迁移率、载流子寿命这些重要参数是当务之急.近几年,国外不少研究工作又重新回到探索和改进非晶硅薄膜材料性能上来,从薄膜沉…     

金属磁性薄膜

对金属薄膜磁性方面比较广泛而系统的研究开始于1940年,特别是1946年吉泰尔(Kittel)对薄膜及微粉磁性的理论发表之后。1956年发现,铁镍合金薄膜在数奥斯特的磁场下,其开关时间可短至毫微秒数量级,这为进一步提高电子计算机的运算速度及其有关理论的研究提供了一个新的方向;因之近年来这问题愈来愈引起人们的注意。磁膜所涉及的方面甚广,本文仅就有关磁性薄膜的几个主要问题如制备方法,磁膜的特点及重要性,自发磁化与畴     

BaF2薄膜保护的YBaCuO薄膜的耐受性研究

本报告了在外延ＹＢａＣｕＯ薄膜表面淀积的ＢａＦ２薄膜对其超导性能的保护作用和破坏性实验的结果，经ＢａＦ２保护的超薄膜在３０分钟浸水及暴露大于气中长达５个月，超导转变温度仍保持８９Ｋ。     

聚苯乙烯薄膜对自支撑锆薄膜的性能改善

 利用直流磁控溅射方法和提拉法制备了自支撑Zr/C₈H₈复合滤光膜和C₈H₈滤光膜。用同步辐射光源测量了滤光膜对软X射线的透射率,用俄歇电子能谱分析了膜中的元素含量。结果表明,虽然C8H8薄膜的加入在一定程度上降低了Zr滤光膜在软X射线波段的透射率,但较好地阻止了存储和使用过程中氧、氮等杂质对Zr金属膜的入侵,有效地改善了滤光膜的环境稳定性;同时很好地改善了Zr滤光膜的力学性能和表面面形,使制备的成品率提高了20%。     

金刚石薄膜的结构特征对薄膜附着性能的影响

在不同实验条件下，用微波等离子体化学气相沉积设备在硬质合金(WC+6%Co)衬底上沉积了 具有不同结构特征的金刚石薄膜.用Raman谱表征薄膜的品质和应力，用压痕实验表征薄膜的 附着性能，考察了薄膜中sp²杂化碳含量、形核密度、薄膜厚度对薄膜附着性能 的影响.结 果表明：sp²杂化碳的缓冲作用使薄膜中sp²杂化碳的含量对薄膜中 残余应力有较大的影 响，从而使薄膜压痕开裂直径统计性地随sp²杂化碳含量的增加而减小；仅仅依 靠超声遗 留的金刚石晶籽提高形核密度并不能有效改变薄膜与硬质合金基体之间的化学结合状况，从 而不能有效提高薄膜在衬底上的附着性能；在薄膜较薄时，晶粒之间没有压应力的存在，开 裂直径并不明显随厚度增加而增加，只有当薄膜厚度增加到一定值，晶粒之间才有较强压应 力存在，开裂直径随厚度的增加而较为迅速地增加. 关键词： 金刚石薄膜 附着性能 2杂化碳')" href="#">sp²杂化碳 成核密度 薄膜厚度     

以金刚石薄膜为空穴传导层的有机薄膜电致发光

以在半透明金膜上生长的微晶金刚石薄膜作为空穴传导层，得到了以８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）为发光材料的有机薄膜的电致发光，对器件的电流－电压特性，电压－亮度特性进行了测量，并计算了量子效率，结果表明，该器件具有较高的量子效率及较小的工作电流，从能带图出发，对结果进行了分析。     

铁电薄膜底电极对薄膜结构与电性能的影响

研究了电极材料（Ｐｔ／Ｔｉ）对铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷薄膜结构和性能的影响．认为在Ｐｔ层厚度一定时，Ｔｉ层的厚度对铁电薄膜的结构和性能有显著影响．当Ｔｉ层过厚或过薄时，铁电薄膜的结构较差；而当Ｔｉ层的厚度适中时，则铁电薄膜的显向下微结构均匀，电性能较好，典型的剩余极化强度和矫顽场分别为２７．８μＣ·ｃｍ^-2和６５．１ｋＶ·ｃｍ^-1． 关键词：     

稳定薄膜的制备

为了得到稳定的薄膜,从而在课堂上方便地演示薄膜干涉,本文在分析气泡形成和破灭机理的基础上,分别选用不同的生活原料和工业原料充当活性剂和稳泡剂,经过比较和筛选,最终得到比较理想的气泡溶液配方,按此配方,可以方便地制备稳定的薄膜,从而达到演示薄膜干涉的目的.     

非晶半导体薄膜最新进展

介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能，给出了薄膜器件的发展太平和制膜技术、制膜设备的研究现状。     

薄膜材料与器件

TB43 2004010476 低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索=Polycrystalline silicon thin film solar cells on low cost substrates[刊,中]/许颖(北京市太阳能研究所.北京(100083)),励旭东…∥发光学报.—2003,24(3).—301-304 在低成本,两种纯度的P~( )颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电