通用型三值单稳态触发器设计

对三值单稳态触发器的设计原理进行了研究,结合ＲＣ电路延迟作用和信号反馈存在的原理,设计了三值脉冲控宽电路和三值单稳触发器,并通过ＰＳＰＩＣＥ５．０软件模拟,证实了逻辑功能的正确性。     

四值单稳态触发器设计

在二值单稳态触发器设计的基础上，提出了四值单稳态触发器的设计方案．经过PSPICE模拟，所设计的电路具有正确的逻辑功能，并能由此方法推广到基值更高的单稳态触发器的设计．与二值单稳态触发器相比，四值单稳态触发器具有更强的功能．     

双边沿单稳态触发器的设计

对双边沿单稳态触发器的设计原理进行了研究，根据双边沿单稳态触发器工作特点的要求，以RC电路为定时单元，提出了积分型和微分型双边沿单稳态触发器的基本结构，阐明了双边沿单稳态触发器的设计方法，并具体设计了积分型和微分型双边沿单稳态触发器。     

基于状态转换图的555单稳态触发器设计方法

提出555时基电路的输出信号与输入信号之间具有时序特征.根据反映时序特征的状态转换图及单稳态触发器的工作特点,系统地研究了555单稳态触发器的设计方法,分析了外加触发信号的输入方式、电平幅度、持续时间要求、RC电路定时单元的接法及电容的充放电过程,并发现了一些新的设计方案.Multisim仿真及实际硬件验证证明了所提出设计方案的正确性.     

基于集成门电路的三值无稳态触发器研究

通过对二值无稳态触发器设计原理的重新归纳,本文从三值单稳态触发器的设计出发,提出了基于集成门电路的三值无稳态触发器的设计方案, 并用PSPICE程序进行计算机验证. 结果表明所设计的三值无稳态触发器具有正确的逻辑功能. 本文还进一步提出了三值等宽的三值无稳态触发器的设计方案.     

基本触发器、单稳态电路及多谐振荡器的统一设计和教学方法研究

针对一般教科书缺乏对基本触发器、单稳态电路及多谐振荡器设计方法的论述问题,从电路存储信号需求出发,研究了基本触发器、单稳态电路及多谐振荡器间的内在联系,发现通过在基本触发器的支路中接入电容,由电容的充放电实现单稳态电路及多谐振荡器,从而提出了基本触发器、单稳态电路及多谐振荡器的统一设计方法,并在课堂上讲授。这不仅有利于学生学习和掌握这3种电路的设计方法,深入理解这3种电路的工作原理,而且可培养学生探索事物本质及其内在联系的能力。     

基于施密特电路的多值脉冲电路研究

通过对基于施密特电路的二值单稳态触发器和二值无稳态触发器设计思想的分析，提出了以三值单稳态触发器和三值无稳态触发器为代表的多值脉冲电路的设计方案，并通过PSPICR5．0软件模拟，结果表明所设计的电路具有正确的逻辑功能．     

基于R-SET结构的逻辑门电路和触发器设计

提出一种基于单电子晶体管的新型电路结构--R-SET结构,并从R-SET结构的反相器着手对该结构电路的工作原理和性能进行了分析.构造出基于R-SET结构的或非门、一位数值比较器、SR锁存器和D触发器.通过对各电路进行SPICE仿真,验证了各电路的正确性.最后对R-SET和互补型SET 2种结构的D触发器进行性能比较,得出R-SET结构的D触发器具有结构简单,功耗低,延时小的特点.     

基于单稳态定时偏差的高识别性PUF电路设计

通过对单稳态电路定时偏差和物理不可克隆函数(physical unclonable functions,PUF)电路的研究,提出了一种基于单稳态定时偏差的高识别性PUF电路设计方案.首先,分析单稳态定时电路的自我标识物理特性,提出长定时单稳态电路设计方法;然后,利用该单稳态电路产生的定时偏差信号以及激励信号控制数据选择器选择2个定时偏差信号,结合仲裁器判决唯一的、不可克隆的输出响应.采用TSMC 65nm CMOS工艺,在不同环境下对设计的PUF电路进行Monte Carlo仿真,分析其识别性、可靠性等特性.实验结果显示,所设计的PUF电路识别性可达99.82%,且误码率为2.7%.     

维持阻塞触发器设计原理新解

本文分析了由门级组成的两类锁存器, 并证明了传统的维持阻塞触发器即为由其中单轨输入锁存器设计的主从触发器.由于两个由时钟控制的与非门被主从两部分公用, 因此它的结构特别简单     

基于串联门的三值低功耗ECL 门电路

本文讨论了三值ECL 串联门中输入信号的电平移位和输出信号的函数表示形式.利用差动电流开关理论和ECL 串联门结构分析, 本文设计了常用的三值低功耗ECL 电路.     

对CMOS门电路的物理参数基于理想化的分析

以CMOS门电路元件产品为例，提出了如何从理想化出发，对元件产品的物理参数进行设定与正确解读．讨论表明该分析方法可以澄清一些以往对参数的误解，并能有助于指导该型元件产品的正确应用。     

最佳通用逻辑门ULG.2 的应用研究

本文在作者以前研究的基础上,进一步研究最佳通用逻辑门ULG.2的应用,提出了用ULG.2组成的一些脉冲电路。     

基于CNFET的低功耗三值门电路设计

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出一种基于CNFET的低功耗三值门电路设计方案.该方案在分析CNFET结构及其不同尺寸的碳纳米管对应于不同阈值电压特性的基础上,以多值逻辑理论为指导,设计基于CNFET的三值反相器、与非门、或非门等单元门电路,最后利用HSPICE对所设计的电路进行仿真.结果表明:所设计电路具有正确的逻辑功能,与传统三值门电路相比,三值CNFET门电路平均传输速度提高52.7%,平均能耗节省54.9%.     

基于电桥失衡效应的高随机性PUF电路设计

通过对物理不可克隆函数(Physical Unclonable Functions, PUF)电路和电桥失衡效应的研究, 提出一种高随机性PUF电路设计方案. 该方案首先利用工艺偏差导致电桥失衡产生随机偏差电压, 然后结合电压型灵敏放大器产生随机的、不可克隆的响应信号. 在TSMC 65nm CMOS工艺下, 采用全定制方法设计PUF电路, PUF单元电路的版图面积为2.23?m×2.43?m. 通过Spectre软件, 在不同电压下对所设计PUF电路进行Monte Carlo仿真验证, 分析其逻辑功能、随机性等特性. 实验结果表明: 所设计的PUF电路在电源电压1.2V和温度25℃下随机性可达51.8%.