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为了满足ITER(国际热核聚变反应堆计划) PF(极向场)高温超导电流引线运行所需要的5K端能量损耗,根据IO(ITER国际组织)的设计要求,对分流器进行了优化设计。为检验分流器漏热性能,对分流器的材料参数进行了研究,建立了分流器物理模型,并进行了理论漏热值计算,同时运用焓差法对漏热值进行了测试,结果表明理论值与试验值基本吻合,均满足IO的设计要求。该型高温超导电流引线分流器的成功应用将会为未来CFETR高温超导电流引线分流器的设计、制造及测试提供技术指导。 相似文献
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当高温超导失超后其电流由分流器承载,分流器材料的选择将影响电流引线冷端热负荷和运行费用.本文通过不同金属材料物性的对比计算,寻找最佳的分流器材料,使得ITER巨型超导磁体的高温超导电流引线运行可靠和费用最低.分流器横截面积确定基于分流器与Bi-2223基体AgAu的电阻率对失超后电流分配比,这样保证超导体转入电阻态后分流器分流大部分电流,同时由于分流器具有很好热沉作用,抑制超导体温度迅速上升,从而避免超导材料烧毁或过热. 相似文献
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横跨低温到室温温区的电流引线是连接电源和超导装置的部件,是超导装置的主要漏热源之一.因此减小由于电流引线导致超导低温系统的漏热对低温系统的稳定运行和运行效率至关重要.在传统铜电流引线的室温端插入热电材料碲化铋(Bi_2Te_3)形成的珀尔帖电流引线(Peltier current lead,以下简称PCL)可以有效地减小由于电流引线造成的漏热.珀尔帖电流引线将漏热从纯铜引线的42.4W/kA降低到30.470W/kA.在本文中采用有限元法对PCL进行优化,得到PCL的最优几何参数.改变PCL中铜引线和热电材料碲化铋的横截面面积,并计算改变横截面面积时PCL的漏热.仿真结果显示改变PCL中铜引线的横截面面积时对电流引线的漏热影响不大,而在改变PCL中热电材料的横截面,可以将PCL的漏热从30.470 W/kA降低到27.36 W/kA. 相似文献
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对于大多数超导电力装置来说,用于制冷的费用决定着整个系统的长期运行成本,电流引线漏热是低温系统的主要热负荷来源,是造成整个超导装置中静态冷量损失的主要原因。引线温度分布决定了漏热的大小,实际工程应用中常需要在给定尺寸下求解电流引线的温度分布及低温端漏热,文中介绍的松弛迭代法可迅速求解出电流引线沿线的温度分布,并推导出引线低温端漏热,由于松弛法可以通过多次迭代实现误差控制,因此,求解精确度能得到有效保证,为不同工况下电流引线优化设计提供了一种快速有效的计算方法。 相似文献
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对托卡马克装置内壁产生巨大电磁力是等离子体破裂重要和直接的影响, 这会对装置的安全运行造成巨大威胁. 等离子体破裂期间电流猝灭率不仅与真空室内第一壁的负载设计有关, 并且与装置重大部件的设计也相关. 本文选用100%-40%区间统计研究等离子体破裂现象. 分析结果表明: 100%-40%区间统计下HL-2A上最小电流猝灭时间为0.7 ms, 对应的最小面积归一化电流淬灭时间为1.4 ms m-2. 瞬时最大电流猝灭率与平均电流猝灭率的比值大部分都大于1. 相似文献
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Dark currents n+/ν/p+ Hg0.69Cd0.31Te mid wave infrared photodiodes were measured at room temperature. The diodes exhibited negative differential resistance at room-temperature, but with increasing leakage currents as a function of reverse bias. The current–voltage characteristics were simulated and fitted by incorporating trap assisted tunneling via traps and Shockley–Read–Hall generation recombination process due to dislocations in the carrier transport equations. The thermal suppression of carriers was simulated by taking energy level of trap (Et), trap density (Nt) and the doping concentrations of n+ and ν regions as fitting parameters. Values of Et and Nt were 0.78Eg and ~6–9 × 1014 cm?3 respectively for most of the diodes. Variable temperature current voltage measurements on variable area diode array (VADA) structures confirmed the fact that variation in zero bias resistance area product (R0A) is related to g–r processes originating from variation in concentration and kind of defects that intersect a junction area. 相似文献
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Physics of the Solid State - The size effects on the composition of coexisting phases, the interfacial layer between them, and the interfacial tension in a binary system composed of a matrix and... 相似文献
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We have used guided optical waves to locally illuminate superconducting thin lead strips and measured the critical current as a function of optical power. The measured results resemble the predictions of a simple heating model more closely than the Parker T1 model in the temperature range investigated (5.5 K to Tc) and several possible reasons for this behavior are discussed. 相似文献