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掺杂的铁电薄膜PbZrTiO3与以高温超导体YBa2Cu3O7为基底组成红外薄膜探测器.具有自极化性质,并可在室温下操作使用.研究了此种薄膜探测器的结构极化性质,测量了它的红外光电压、光电流与黑体辐射源温度、探测器样品温度及斩波频率之间的关系.
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异质外延生长钙钛矿结构氧化物薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
影响直接外延生长氧化物薄膜的因素有很多,最主要的是保证氧化物薄膜的正确成相和在单晶衬底上成核.直接外延生长时,衬底温度影响到薄膜的成相.衬底温度还影响薄膜的生长动力学,并因此影响薄膜的外延生长取向.由于薄膜是首先在衬底表面成核、成相并生长的,因此衬底材料晶格的影响是不容忽视的.衬底材料(或异质外延材料)与薄膜的相互作用是影响外延生长的最直接因素,而晶格常数失配会造成薄膜样品中存在应力并影响样品性质.利用脉冲激光淀积法,我们成功地外延生长了YBa2Cu3O7超导薄膜、Sr0.5Ba0.5TiO3铁电介电薄膜、La0.7Ca0.3MnO3铁磁巨磁电阻薄膜、La0.5Sr0.5CoO3导电薄膜等多种具有钙钛矿结构的氧化物功能薄膜.以这些钙钛矿结构氧化物薄膜的外延生长为例,本文讨论影响氧化物薄膜异质外延生长的因素 相似文献
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本介绍我们对高温超导/铁磁多层膜样品的初步研究结果。利用准分子脉冲激光淀积方法制备了由高温超导YBa2Cu3O7薄膜与铁磁巨磁电阻材料Pr.7Sr.3MnO3薄膜组成的三夹层型和台阶边缘结型多层膜样品。对YBa2Cu3O7/Pr.7Sr.3MnO3多层膜样品输运性质测量表明样品中存在超导转变及铁磁相变。对两种多层膜样品的电阻随温度变化测量曲线进行了讨论。 相似文献
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采用射频射溅射方法制备用电致变色器件的LiNbO3薄膜,利用频率外推法和Wangner极化法对所沉积的LiNbO3离子导体薄膜的离子电导率进行了测试和计算,给出了薄膜的光谱特性,分析和讨论了薄膜制备工艺对薄膜结构和离子电导率的影响和作用。 相似文献
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用作电致变色器件的LiNbO_3离子导体薄膜的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频溅射方法制备用作电致变色器件的LiNbO3薄膜,利用频率外推法和Wangner极化法对所沉积的LiNbO3离子导体薄膜的离子电导率进行了测试和计算,给出了薄膜的光谱特性,分析和讨论了薄膜制备工艺对薄膜结构和离子电导率的影响和作用。 相似文献
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利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术,我们在SiTiO3衬底上成功地外延生长了超薄超导YBa0.2Cu3O7薄膜样品.样品YBa0.2Cu3O7层厚度分别为2.4nm至10.8nm(二至九个原胞).四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变.超导零电阻温度分别为16K至81K.超薄超导薄膜样品显示当YBa0.2Cu3O7层厚度达到和超过四个原胞层厚(9.6nm)时,厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显.实验观察到YBa0.2Cu3O7层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同.这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响.超薄YBa0.2Cu3O7超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件. 相似文献
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用正电子寿命技术研究了高温超导外延薄膜YBa2Cu3O7-x中空位型缺陷的性质.结果表明,空位缺陷的类型与沉积条件无关,缺陷浓度随空气分压的增加或衬底温度的降低而增加.正电子平均寿命的温度依赖关系测量结果指出,当温度在室温以上时,几乎所有的正电子都逃逸出浅捕获中心;当温度高于375K时,必须考虑其退火效应. 相似文献
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利用低压MOCVD工艺分别在(001)取向的LaAlO3,SrTiO3和重掺杂硅单晶衬底上制备PbTiO3铁电薄膜,并通过X射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析.X射线θ-2θ扫描显示硅衬底上得到了PbTiO3多晶薄膜,另两种衬底上得到了择优取向的PbTiO3薄膜.LaAlO3衬底上的PbTiO3薄膜有a和c两个取向,也就是薄膜中存在着90°畴结构,而生长在SrTiO3衬底上的PbTiO3薄膜中只存在c方向的择优取向.由于薄膜的尺度效应,发现c轴晶格常数与块材相比均缩短.X射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性,利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质,进一步证明了SrTiO3衬底上的PbTiO3薄膜的单畴特性.利用重掺杂的硅衬底作底电极,测量显示直接生长于硅衬底上的PbTiO3多晶薄膜具有良好的铁电性能
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用喷雾热解法制备出厚为2000A的掺Cr的Al2O3薄膜。XRD和XPS分析证明其为无定形的Al2-xCrxO3(x=0.072),SEM和椭圆仪分析结果验证了薄膜的均匀性。该薄膜表现出良好的绝缘性质和抗腐蚀性能。 相似文献
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激光沉积法制备(Y1—xHox)Ba2Cu3O7—δ薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了用激光沉积法在(100)LaAlO3衬底上制备(Y1-xHox)Ba2Cu3O7-δ(x=0,0.2,0.4)超导薄膜.结果表明,新超导薄膜表面光滑,具有很强的c轴织构,零电阻温度Tc0约91K,最佳临界电流密度Jc为4.7×106A/cm2(77K). 相似文献
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铁电体独特的自发电极化双稳性质和非线性光学性质使其在光电子器件中得到广泛应用.为了实现器件的小型化和与微电子、光电子工艺兼容,铁电薄膜已成为一个研究热点.自发电极化的大小和取向以及外电场、缺陷和铁电薄膜/电极界面与自发电极化的交互作用决定了铁电薄膜的性质和服役行为.文章以铁电存储器和光电子器件应用为背景,选择了具有重大应用前景的Bi4-xLaxTi3O12(BLT)、SrBi2Ta2O9(SBT)、PbZrxTi1-xO3(PET)和LiNbO3(LN)铁电薄膜以及相关的La(Sr,Co)O3(LSCO)和LaNiO3(LNO)等电极材料为研究对象,研究了缺陷电荷和电畴的交互作用和它们在交变外电场中的动力学行为,探明了铁电薄膜疲劳现象的物理本质;从晶格结构与缺陷的观察研究入手,探索了材料铁电性质的起源和优化材料铁电性质的途径;从铁电薄膜/电极界面结构与性质的研究入手,寻找更有效、更稳定的电极材料与结构,从而为器件应用打下了基础;在研究外电场对铁电薄膜生长机制影响的基础上,找到了利用外电场调控铁电薄膜结构的新途径,发展了新的、与半导体器件和光电子器件工艺兼容的制膜方法. 相似文献
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本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Tc值为95K的NdBa23Cu3Ox外延薄膜,样品的XRD分析表明,样品为强烈c轴织构,c轴晶胞参数为1.174nm,样品衍射峰的FWHM=0.29°,RBS分析表明:薄膜的化学计量为Nd1.0Ba2.0Cu3.3Ox。对影响NdBa2Cu3OX薄膜Tc值的因素进行了讨论。 相似文献