用离子轰击和激光辐照使InSb由p型转换为n型

在p-InSb上形成n~ 层有三种方法:(1)质子或(2)Si离子轰击,所用能量为60或100千电子伏,剂量为1～2×10~(15)厘米~(-2),以及(3)Q-开关Nd:YAG激光辐照。研究了其后等时退火30分钟的结果。(1)和(3)不用退火就可直接形成n~ 层,(2)则最初形成p层,在200℃以上的温度下退火后变为n~ 层。用(2)和(3)法获得的n~ 层能耐350℃以下的退火温度,而用(1)法的在100℃以上即回复到p型。用(2)和(3)法制备的77K台面型二极管,其正向电流密度用J=1×10(-3)exp(qV/1.7kT)安/厘米~2得出,结电容与反向偏压的关系用C∞(V_D |V|)~(-0.43)表示,扩散电势V_D=0.2伏。     

同质及异质外延生长InSb中可控的p型和n型掺杂

本文对在ＩｎＳｂ及ＧａＡｓ衬底上用分子束外延生长的ＩｎＳｂ分别以Ｂｅ和Ｓｉ作ｐ型和ｎ型的掺杂作了研究。当衬底温度超过３４０℃时，利用二次离子质谱技术，在ＩｎＳｂ衬底上生长时，发现Ｂｅ向表面有反常迁移现象。而在ＧａＡｓ衬底上生长的掺Ｂｅ的ＩｎＳｂ薄膜中未发现这种迁移。在掺Ｓｉ的ＩｎＳｂ膜中也未发现掺杂剂的再分布现象。ＩｎＳｂ中Ｂｅ的掺杂效率约是ＧａＡｓ中的一半，若想使Ｓｉ在ＩｎＳｂ中的掺杂效率达到其在ＧａＡｓ中的掺杂效率，在整个生长过程中，需将衬底温度维持在＜３４０℃。利用低温生长技术，可生长出呈现二维电子气体特性的Ｓｉ△－掺杂结构。     

用“阳极氧化法”测量InSb器件的p—n结深度

本文就如何利用“阳极氧化法”显示InSb半导体p-n结剖面形貌并测算出结深作一阐述。     

用激光照射方法来强化铝合金焊接件的强度

本文研究了激光照射对铝合金焊接件强度的影响。试验结果表明,激光照射可以提高5086-H32和6061T6合金焊接区的强度,强化的本质原因在于激光照射增加了上述两种合金热影响区的位错密度。     

强磁场下n型InSb杂质带及其电导的理论

利用前人关于超强磁场下原子谱的理论结果,构造了强磁场下n-InSb中电子运动的哈密顿量,用构形平均方法计算了杂质带的零级谱、零级态密度函数以及体系发生Anderson转变的条件.计算结果和实验基本符合.     

激光照射对p型碲镉汞的结构、电学和光学特性的影响

用不同能量密度的激光脉冲照射布里奇曼法生长的块状p型的Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.16)单晶。应用能产生0.53μm波长的10ns脉冲(倍频)和能量密度可变(2～50mJ/cm~2)的脉冲激光器(Nd:YAG),在77～300K温度范围内,对原生的及激光照射的单晶样品,用范德堡法进行直流电导率及霍耳系数测量,还在室温下对样品进行X射线衍射图样及透射测量。电学研究表明,p型碲镉汞在激光照射后变成了n型;光学研究结构表明,激光照射后,自由载流子浓度陡增,透射微乎其微;X射线研究表明,p型单晶样品受激光照射后,结构也发生了变化,在晶格中引入了CdTe、Hg和Te相。     

n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱

给出了n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱的实验结果.指认了所观察到的一些光谱结构对应的特定声子支及其在布里渊区中相应的对称点.发现在4H-SiC的二级喇曼谱中存在能量差约为10cm-1 的双谱线结构,这一结构与六方相GaN,ZnO和AlN的双谱线结构具有相同的能量差.二级喇曼谱的截止频率对于不同掺杂情况的4H-SiC具有相同的值.它并不等于n型掺杂4H-SiC的A1(LO)声子的倍频,而是等于未掺杂样品的A1(LO)声子的倍频.掺杂类型和杂质浓度对4H-SiC的二级喇曼谱几乎没有影响.     

n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱

给出了n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱的实验结果.指认了所观察到的一些光谱结构对应的特定声子支及其在布里渊区中相应的对称点.发现在4H-SiC的二级喇曼谱中存在能量差约为10cm-1的双谱线结构,这一结构与六方相GaN,ZnO和AlN的双谱线结构具有相同的能量差.二级喇曼谱的截止频率对于不同掺杂情况的4H-SiC具有相同的值.它并不等于n型掺杂4H-SiC的A1(LO)声子的倍频,而是等于未掺杂样品的A1(LO)声子的倍频.掺杂类型和杂质浓度对4H-SiC的二级喇曼谱几乎没有影响.     

研究6943A激光皮肤损伤阈值的照射装置和照射方法

本文介绍了用于研究猪和人皮肤损伤阈值的激光照射装置,装置的有关参数及照射方法。一、引言本阈值研究是为制定激光安全标准提供波长为6943A,静态输出,多模激光对皮肤损伤阈值数据。因此,相应照射装置应有如下要求: 激光器为红宝石器件,输出波长6943A;激光器输出能量应有一定的调节范围,其范围应覆盖本阈值能量;器件静态运行,其脉宽为ms量级;输出模式不限;照射光斑为φ5mm;所测剂量总误差要求在±10％以内。器件能量输出稳定度应小于±5％,否则需进行实时监测。     

用激光合金化在n型GaAs上制作欧姆接触

我们采用了脉冲Q开关红宝石激光以(λ=0.6943微米)、脉冲Q开关石榴石激光(λ=1.06微米)和倍频的脉冲石榴石激光(λ=0.53微米)产生n型GaAs表面的欧姆接触;测量了n型GaAs上AuGaNi合金的比接触电阻.实验表明用激光合金化形成了均匀的欧姆接触,这种接触具有比通常的体加热合金化更优越的电学性质和表面状况.     

用He-Ne激光进行压缩照射的研究

He-Ne激光在医学、生物学方面有非常广泛的应用价值。接受治疗照射的生物组织层可以看成是一种强散射介质,因此研究He-Ne激光在强散射介质中的传播是很有必要的。在实验工作的基础上,我们进一步对泡沫塑料、棉花、动物体、人体进行了压缩照射实验,观察到透射光强对压缩厚度的依赖关系和一些透视现象。     

研究6943Å激光皮肤损伤阈值的照射装置和照射方法

本文介绍了用于研究猪和人皮肤损伤阈值的激光照射装置,装置的有关参数及照射方法。     

激光照射治疗椎动脉型颈椎病的研究

本文对椎形动脉型颈椎病的治疗进行了探讨，并提出了使用氦氖激光照射治疗此种疾病的新方法。由247例临床治疗结果表明效果良好，总有效率达98．8％。     

CW CO2激光对PV型InSb探测器的破坏效应

通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度、不同辐照时间的CW CO2激光辐照时性能的变化,得到其破坏阈值区间.理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中的温升,结果表明,PV型InSb探测器的破坏效应源于连续波激光辐照过程中温升达到InSb材料熔点时其pn结退化为电阻.     

He-Ne激光的人体压缩照射和应用

提出了He-Ne激光在生物介质层中传播的散射、吸收模型,并考虑到血液的吸收作用和压缩照射的关系,提出He-Ne激化照射人体时体内功率密度的理论计算公式,为确定治疗的可能深度以及相应的照射剂量提供了理论依据。     

p型和n型硅中SF_6等离子刻蚀引起的电子缺陷

ｐ型和ｎ型硅中ＳＦ＿６等离子刻蚀引起的电子缺陷＝Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｆｅｃｔｓｉｎｄｕｃｅｄｉｎｐ－ａｎｄｎ－ｔｙｐｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙＳＦ＿６ｐｌａｓｍａｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｂｅｌｋａ－ｃｅｍ，Ａ．…∥Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．...     

使激光手术刀变成接触型的陶瓷针

人们从来都把非接触看作激光手术刀的一个优点。但实际进行手术时，与待照射部位的距离和角度不能保持恒定，使束径之类产生变动，导致照射效果不可靠，已被幵始视为问题，并成为普及激光手术刀的一大障碍。