电子、正电子的分布函数

采用Mellin变换方法,我们解析地严格求解了电子、正电子分布函数所满足的QED演化方程.得到了电子、正电子分布函数的级数表达式.它可以精确到所要求的精度.本文也对已有的近似结果作了比较.本文的结果为精确地讨论e⁺e^－对撞过程中的辐射修正提供了很大方便.     

用电子回旋辐射谱研究电子速度分布

本文描述了HL-1托卡马克中,各放电阶段的电子回旋辐射谱的特点。文中用简单的物理模型计算了这种辐射谱。计算结果和实验的比较可以对非平衡态电子速度分布,高能电子螺距角,以及逃逸电子的空间定域,非热辐射的时间突变作出详细的解释,由此对HL-1托卡马克低密度放电条件下的逃逸行为进行了研究。     

弱相对论性非热平衡等离子体的电子迴旋共振加热

本文从弱相对论各向异性麦克斯韦分布的介电张量的普遍表达式出发,得到了在垂直入射情形下寻常模和异常模局域阻尼率的解析表达式,并讨论了分布函数的各向异性和损失锥型分布函数对局域阻尼率的影响。 关键词：     

从一维光晶格中释放的任意子噪声关联函数研究

首先求解具有delta函数型相互作用的任意子气体的含时薛定谔方程,给出了其多体波函数的解析解,并在此基础上详细分析了无相互作用情形和有相互作用情形下任意子噪声关联函数的特性。对于有相互作用的任意子气体,其噪声关联呈现出与无相互作用情形下不同的特性：散射相位具有一定的空间分布,一系列线性而不是尖峰出现在噪声关联函数中;线性的宽度、取向以及位置与任意子的统计参数和粒子间相互作用强度的关系都非常密切。特别地,在TG极限下,也就是相互作用趋于无限大的情形下,任意子的噪声关联函数图样与无相互作用情形下的图样完全相反。     

HL-1M装置逃逸电子的定标律

使用一维数值模型, 推断了逃逸能量ε_r与逃逸约束时间τ_r的关系。模拟结果给出能量ε_r 和放电参数的定标律。在HL- 1M 装置中不同实验条件下测量了硬X 射线谱, 研究了逃逸电子能量 ε_r模拟的定标律, 并推导出HL- 1M 装置放电的逃逸电子的约束时间与逃逸电子扩散系数。     

从一维光晶格中释放的任意子噪声关联函数研究

首先求解具有delta函数型相互作用的任意子气体的含时薛定谔方程,给出了其多体波函数的解析解,并在此基础上详细分析了无相互作用情形和有相互作用情形下任意子噪声关联函数的特性.对于有相互作用的任意子气体,其噪声关联呈现出与无相互作用情形下不同的特性:散射相位具有一定的空间分布,一系列线性而不是尖峰出现在噪声关联函数中;线性的宽度、取向以及位置与任意子的统计参数和粒子间相互作用强度的关系都非常密切.特别地,在TG极限下,也就是相互作用趋于无限大的情形下,粒子间散射相位变为,任意子的噪声关联函数图样与无相互作用情形下的图样完全相反.     

相对论修正对麦克斯韦-玻耳兹曼分布律的影响

在本文中,分别推导了低速情形（E≈m0c^2＋p^2/2m0）和一般情形（E=√p^2c^2＋m0^2c^4）下考虑相对论修正的动量分布表达式和速率分布表达式,发现低速情形下修正后的动量分布形式与不考虑修正的动量分布在形式上一致,而速率分布形式发生了改变;对一般情形的动量分布函数和速率分布函数进行了数值模拟并对结果进行了必要讨论．我们发现当β减少时整个动量分布曲线向大动量区域延伸,当β较大,即温度较低使得p〈1时,一般情形将近似为低速情形．     

周期性Hubbard模型密度矩阵函数的研究

在晶格密度泛函理论(LDFT)的框架内研究了哈巴德(Hubbard)模型,当考虑晶格内位置的单粒子密度矩阵γij、自旋S时,这个模型的相互作用能w[γij,S]为密度矩阵γij、总自旋S的函数.且当所有最近邻的γij=γ12时,对环状系统的w[γij,S]可获得精确的数值计算结果;文中同时还讨论了w[γij,S]函数在弱电子关联(γ102)和强电子关联(γi∞j)以及在γ1∞2<γ12<γ012区域限制下的性质.以非关联能w0[γ0ij,S]为单位标度的w[γij,S]表明的赝普适行为与g12=(γ12-γ1∞2)/(γ012-γ1∞2)函数一样.另外,w[γij,S]函数对不同总自旋S有一定的依赖.     

中心主瓣尺寸可精细调控的类贝塞尔光束

设计了一种相位函数,得到类贝塞尔光束中心主瓣尺寸随传播距离演化的解析公式,实现了类贝塞尔光束中心主瓣尺寸随轴向距离z的线性调控。通过实验,将所设计的相位函数加载到空间光调制器上,在直接空间中实现了类贝塞尔光束中心主瓣尺寸的精确调控,研究了不同传播长度下类贝塞尔光束中心主瓣尺寸的演化。实验结果与仿真结果一致,验证了该相位函数的可靠性,且在整个贝塞尔区间内,最高强度处的横向光强分布仍满足贝塞尔函数分布。     

提高等离子体密度抑制逃逸电子束不稳定性的实验研究

利用ECE电子回旋辐射和Ha线辐射等托卡马克物理诊断系统,研究了Slide-away放电过程中提高等离子体密度对非麦克斯维尔分布的逃逸电子所激发的逃逸电子束不稳定性影响作用。实验结果表明：在Slide-away放电模式下,提高等离子体密度能有效抑制逃逸电子束的不稳定性。     

交流源作用下介观LC电路系统量子态随时间的演化

利用量子不变量理论,讨论了交流电流源作用下介观LC电路系统动力学的演化,得到描述系统量子态随时间的演化算符.分析结果表明:在考虑了介观电容器极板间电子波函数的耦合作用后,介观电路系统将由初态演化到压缩态.     

电子束短脉冲效应产生的相干辐射

在模空间里给出了自由电子激光线性区非定态自治方程，得到了由于电子束短脉冲效应产生相干辐射的条件并解释了文献［１］的实验结果。     

静态模型中激活剂(受主)发光的衰减

本文通过敏化剂(施主)和激活剂(受主)间能量传递速率的分布函数,得到了CA<1时静态模型中激活剂发光衰减曲线的表示式:Xe-βt+e-γt d/dt f(t)激活剂发光衰减具有的形式。     

静电透镜与磁偏转器的复合系统的电子光学性质和象差理论

本文将文献[1]的方法和结果加以推广,研究了旋转对称静电透镜和磁偏转器的复合系统。给出了场和轨迹的普遍表达式,讨论了高斯光学性质,得出了这种系统普遍的三级象差和象差系数的公式。这两篇文章有助于较全面地研究各种电子束管和电子光学仪器的偏转象差。 关键词：     

Surface morphology of InGaAs on GaAs(100) by chemical beam epitaxy using unprecracked monoethylarsine, triethylgallium and trimethylindium

Temperature-dependent evolution of surface corrugation and the interface dislocation in In_0.15Ga_0.85As epilayer on GaAs(100) substrate grown by chemical beam epitaxy using unprecracked monoethylarsine have been investigated by atomic force microscope (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). AFM images showed that the line direction of surface ridge changes from [011] to [0 1] with increasing temperature. However, TEM micrographs showed that dislocation networks are formed along both [011] and [0 1] directions at the interface. These results indicate that growth kinetics on the terrace and at surface steps generated by the dislocations play an important role in determining the direction of surface corrugation. We suggest that the temperature-dependent change of surface corrugation is caused by an anisotropic surface diffusion on the terrace and different sticking probability of adsorbates on the surface steps which were produced by interface misfit dislocation along the two orthogonal surface directions.     

流体界面不稳定性数值模拟中不同介质界面的处理方法

在界面不稳定性数值模拟中,以往的方法^〔1,4－8〕局限于密度不同的单种介质或绝热指数相同的两种介质问题,在计算绝热指数不同介质间的扰动时,界面上强制加入接触间断边界条件,从而避免了界面上数的非物理振荡,用三维程序TVD／AC对两种不同介质,在单波扰动下Rayleigh-Taylor不稳定性的发展进行了计算,得到了扰动随时间发展的图像。     

强流脉冲电子束作用下纯镍表层中织构及结构缺陷的演化行为

利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对金属纯Ni进行轰击,采用X射线衍射及透射电子显微镜(TEM)技术详细分析了受轰击样品的变形结构和缺陷。X射线衍射分析表明,经强流脉冲电子束处理后,在{111}和{200}晶面出现了择优取向。TEM表层微观结构分析表明:强流脉冲电子束轰击1次和5次后,晶粒内部形成了大量的(111)[112]型波状条带结构,在波状条带内部包含大量平行的(200)[110]型微条带;10次轰击后,样品变形结构发生变化,除大量的条带状结构外,变形孪晶的数量明显增多。这些变形微结构不仅影响表层的织构演化行为,而且还能细化晶粒,强流脉冲电子束技术为制备表面纳米材料提供了一条有效的途径。     

Film flows down a fiber: Modeling and influence of streamwise viscous diffusion

A two-equation model is formulated in terms of two coupled evolution equations for the film thickness h and the local flow rate q within the framework of lubrication theory. Consistency is achieved up to first order in the film parameter epsilon and streamwise diffusion effects are accounted for. The evolution equation obtained by Craster and Matar [1] is recovered in the appropriate limit. Comparisons to the experimental results by [2] and [3] show good agreement in the linear and nonlinear regimes. Second-order viscous diffusion terms are found to potentially enhance the speed and amplitude of nonlinear waves triggered by the Rayleigh-Plateau instability mechanism. Time-dependent computations of the spatial evolution of the film reveal a strong influence of streamwise diffusion on the dynamics of the flow and the wave selection process.     

关于氧化锌/双吡啶高氯酸盐非均相光诱导电子转移过程的研究

用ESR方法对9种不同双吡啶高氯酸盐与氧化锌组成的非均相体系的光诱导电子转移过程进行了系统的研究。ZnO-PQ⁺⁺-胶束-苯的分散系,经350nm~420nm的紫外光照后,PQ⁺⁺被还原成PQ⁺。具有大共轭结构的PQ⁺的ESR信号较强。胶束的存在也可使ESR信号增强。当体系充氧时,PQ⁺信号消失,并有超氧阴离子基O₂^·和羟基·OH被检出。     

分子动力学模拟钠硼硅酸盐玻璃电子辐照诱导的结构演化效应

钠硼硅酸盐玻璃作为高放射废物玻璃固化体的候选材料之一,已有大量实验对该类玻璃开展了电子或重离子的辐照效应研究.然而,在理论计算与模拟方面的工作却很少,目前主要集中于重离子的辐照效应,对电子的辐照效应的模拟尚未见报道.本文利用分子动力学工具提出一种新的方法,以实现对电子辐照诱导的玻璃结构演化进行模拟.该方法基于实验中玻璃的结构变化特点,即实验中的拉曼结果已经证实:在大剂量的电子辐照后的玻璃中存在分子氧的事实,由于这些分子氧不会与其他粒子发生相互作用,因而可以通过从体系中逐步地移除一定数量氧原子的方式,以达到模拟大剂量电子辐照的情形,进而得到电子辐照后的玻璃的结构信息.模拟结果显示:随着移除氧原子的数量增加,玻璃中的Si—O—Si平均键角逐渐减小;而且玻璃中的小环数量会因氧的逐渐减少而逐渐增加;玻璃中部分[BO4]结构会转变为[BO3]结构,最终这种转变会达到饱和;大量移除氧之后,玻璃中的钠元素也出现明显的相分离.这些模拟辐照的玻璃结构特性能较好地与实验中的硼硅酸盐玻璃电子辐照诱导的结构变化符合.因此,本文提出的方法有望为通过分子动力学模拟硼硅酸盐玻璃的电子辐照效应提供新思路.