首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
三硼酸铯和硼酸铯锂晶体的晶格振动光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文对新型非线性光学晶体三硼酸铯(CsB3O5∶CBO)和硼酸铯锂(CsLiB6O10∶CLBO)进行了晶格振动光谱研究。首先对两种晶体的基本晶格振动模进行了对称性分类,记录了两种晶体低温下的拉曼光谱和室温下的红外反射光谱,对晶体的晶格振动模进行了认定,将振动模归属于平面六元环(B3O6)和四面体(BO4)。然后比较了CBO,CLBO和LBO(LiB3O5)三种晶体的晶格振动光谱,讨论了阳离子对振动光谱的影响。另外,还讨论了硼酸盐晶体晶格振动模LO TO分裂的大小与晶体非线性光学系数之间的关系。  相似文献   

2.
史金荣  徐永晨 《光学学报》1996,16(6):27-731
在5K~300K温度范围内对六氯铅铵晶体进行了拉曼散射测量,该晶体在Tc=78K发生从立方结构(O^54)至三方结构(C^23i)的二级相变,PbCl^2-6八面体A1g模和NH^+4四面体A1模的拉曼频移在Tc时出现极大值,八面体T2g模,四面体T2模和外振动T2g模在Tc以下发生连续分裂,另外在Tc以下观测到对应于高温相PbCl^2-6八面体T1g模的软模。  相似文献   

3.
比较了铜掺杂钾钠铌酸锶钡(Cu∶KNSBN)和钾钠铌酸锶钡(KNSBN)两样品的晶格振动和d-d电子跃迁谱,对于拉曼(Raman)谱,A1(z)对称类的差别较小,E(xy)对称类的差别最大;对于红外反射谱,两对称类的均差别较大,认为Cu2+部分填充了晶格A位和C位,可见光范围内,d-d电子跃迁谱表明Cu2+在晶体中形成两个深能级2.50eV和2.64eV。  相似文献   

4.
掺镜钒酸钇晶体是一种很有应用前景的晶体材料,由于它适合于半导体激光器泵浦的全固态激光器的要求而受到人们的普遍关注。拉曼光谱是研究材料的声子能谱分布的方法。本文根据群论对称性分类,计算了掺镜钒酸钇晶体的拉曼和红外活性振动模。选择不同几何配置的拉曼光谱,获得了不同的晶格振动模并计算了不同晶格振动模的散射效率。实验证明最强的振动模来自钒氧四面体的振动。  相似文献   

5.
在分子束条件下测量了He(2^3S)+N2O(X)→N2O^+(A^2Σ^+)+He(^1So)+e^-反应的Penning电离光学光谱,求得了N2O^+(A^2Σ^+)态的初生态相对振动布居。以He(2^3S)+N2(X)→N^+2(B^2Σ^+u)+He(^1So)+e^-为参考反应,测量了He(2^3S)+BN2O^+(A^2Σ^+)+He(^1So)+e^-反应的速率常数KN2O^+(A)  相似文献   

6.
从掺杂晶体(Na^+,K^+Ag^+,Pb^2+)x(NH4)1-xNO3相变时,拉曼峰强与温度的变化关系着手,深入人了掺杂离子效应,揭示了其中的标度性质,本文分不下列算:(1)前言,(2)实验;(3)lnIr与In│T-Tc│之线性关系,(4)不同振动模对不同掺杂程度的反应;(5)v1振动模对不同离子掺杂的刻画;(6)反转行为,(7)dc与M^1/2的线性关系。(8)掺杂效应的标度性,(9)结语  相似文献   

7.
夏海瑞  王凯旋 《光学学报》1996,16(10):510-1515
比较了铜掺杂钾钠铌酸锶钡和钾钠铌酸锶钡两样品的晶格振动和d-d电子跃迁谱,对于拉曼谱,A1(z)对称类的差别较小,E(xy)对称类的差别最大;对于红外反射谱,两对称类的均差别较大,认为Cu^2+部分填充了晶格A位和C位,可见光范围内,d-d电子跃迁谱表明Cu^2+在晶体中形成两个深能级2.5eV和2.64eV。  相似文献   

8.
本文研究了掺钕钽酸锂晶体背散射几何组态下的喇曼光谱,与纯钽酸锂晶体的喇曼光谱相比,发现喇曼谱中不仅有E(LO+TO)模向A1(TO)模的转变,而且还有新振动模的出现和部分振动模强度的变化,本文用光折变理论结合掺杂后晶体微观结构的改变对实验结果作了分析和探讨.  相似文献   

9.
从掺杂晶体(Na+、K+、Ag+、Pb2+)x(NH4)1-xNO3相变时,拉曼峰强与温度的变化关系着手,深入讨论了掺杂离子的效应,揭示了其中的标度性质。本文分下列章节:(1)前言、(2)实验、(3)lnIR与ln|T-Tc|之线性关系、(4)不同振动模对不同掺杂程度的反应、(5)ν1振动模对不同离子掺杂的刻画、(6)‘反转’行为、(7)dc与M1/2的线性关系、(8)掺杂效应的标度性、(9)结语  相似文献   

10.
吴兴龙  张明生 《光学学报》1994,14(7):96-699
本文研究了掺钕钽酸锂组体背射几何组态下的喇曼光谱,与纯钽酸锂晶体的喇曼光谱相比,发现喇曼谱中不仅有E(LO+TO)模向A1(TO)模的转变,而且还有新振动模的出现和部分振动模强度的变化,本文用光折变理论结合掺杂后晶体微观结构的改变对实验结果作了分析和探讨。  相似文献   

11.
本文介绍以拉曼峰强为分子晶体相变有序度的概念,并以KH_(1-x)D_(x)F_2和K_(1-x)Na_(x)F_2为例说明晶格振动模在相变过程中的临界性质可以因此得到。晶格振动模的临界性质反映着掺杂体系的丰富信息。  相似文献   

12.
本采用H2O的二个^1A1态的双值多体项展式(DMBE)势能函数,用Ehrenfest模型方法研究了反应(1)O(^1D)+H2→OH和(2)O(^1D)+H2→OH(A^2∑^+)+H的非绝热碰撞动力学过程。讨论了电子非绝热跃迁对反应(1)的影响及H2振动能对反应(2)的促进作用。并求得反应(1)的室温速度常数为0.944×10^-^1^0cm^3.molecule^-^1.s^-^1。  相似文献   

13.
研究了钛酸铅薄膜的拉曼光谱,发现了新的软模,满足居里-外斯关系,A1(1TO)和E(1TO)的强度随温度增加而反常增强,XRD和XPS研究了晶格结构,包括晶格参量,化学计量比和氧空位。  相似文献   

14.
研究了钛酸铅薄膜的拉曼光谱,发现了新的软模,满足居里-外斯关系。A1(1TO)和E(1TO)的强度随温度增加而反常增强。XRD和XPS研究了晶格结构,包括晶格参量,化学计量比和氧空位。  相似文献   

15.
本文对新型紫外倍频晶体偏硼酸钡(β-BaB_2O_4)的晶格振动进行了群论分析。该晶体的空间群为C_3~4(R3)。用位置对称性方法对它的振动模的对称性进行分类,得到:P=126A+126E,全部振动模均为极性晶格振动模。我们还计算了各种几何配置下晶体的喇曼散射效率。同时,本工作首次获得偏硼酸钡晶体在各种不同几何配置下的喇曼散射光谱。运用群论分析的结果,利用“层状分子性结构”模型,对谱图出给了初步识别。  相似文献   

16.
相方相BaTiO3及BaTiO3:Ge的拉曼散射特性研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文报道了在室温下BaTiOe及TiO3:Ce的拉曼谱的特点,着重讨论了前向散射配置下两个A1(TO)模(位于275cm^-1和516cm^-1左右)出现在A1(TO)谱中的原因,通过设计特别的前向散射实验得到了此配置下由于晶体出射两对入射光的反射造成的背向散射的强度。在BaTiO3的前向散射谱中扣除了背向散射面对人入射光的反射造成的背向散射的强度。在BaTiO3的前向散射谱中扣除了背向散射信号后  相似文献   

17.
采用不同的几何配置测量了Nd:LuVO4晶体的室温拉曼光谱,根据群论对称性分类计算了该晶体的红外和拉曼活性振动模并与实验结果做了比较,指认了测定的特征谱线。测量并分析了Nd:LuVO4晶体A1g全对称类的高温拉曼光谱,讨论了拉曼频移随温度变化的关系,认为晶体的热膨胀是引起拉曼频移变化的主要原因。  相似文献   

18.
在室温下测量了KTiOPO_4单晶的偏振喇曼散射谱,应用90°散射及背散射得到了各模的峰位值,其中B_1(LO)模、B_2(LO)模的喇曼谱测量尚未见报道过。根据LO-TO劈裂的实验结果,计算出该晶体极化模的有效电荷、振子强度及沿对称轴方向的静态介电常数。  相似文献   

19.
新型蓝光衬底材料LiAlO2晶体的生长的缺陷分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
徐科  邓佩珍 《光学学报》1998,18(3):81-384
LiAlO2和GaN的晶格失配率只有1.4%,是一种很有希望的GaN外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出透明的LiAlO2单晶,并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射X射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明:LiAlO2在钼坩埚中无籽晶自由凝固结日地,是沿(100)方向生长。用温度梯度法生长的AiAlO2晶体质量良好,晶体中无气泡和包裹物,在LiAlO2(100)方向晶面  相似文献   

20.
新型蓝光衬底材料LiAlO_2晶体的生长和缺陷分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
LiAlO2和GaN的晶格失配率只有1.4%,是一种很有希望的GaN外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出了透明的LiAlO2单晶,并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射X射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明:LiAlO2在钼坩埚中无籽晶自由凝固结晶时,是沿(100)方向生长。用温度梯度法生长的LiAlO2晶体质量良好,晶体中无气泡和包裹物。在LiAlO2(100)晶面上测得的位错密度为(3.8~6.0)×104cm-2,晶体中的主要缺陷为亚晶界或镶嵌结构,可能是由于温场不稳定、生长速率太快造成的。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号