光腔的单程矩阵表述

本文利用单程变换矩阵分析了光腔,用单程变换矩阵元表述了光腔的棋式参数.     

多镜非稳腔的光线矩阵分析方法

应用光线矩阵方法,求解多镜非稳腔的几何自再现模的共轭像点位置和波面线度的几何放大率。用模的微扰稳定性条件,简捷地确定几何放大率的合理取值和共轭像点位置的稳态解。且讨论了多镜非稳腔的平均单程“衍射损耗”。     

双相位共轭光腔的横模及其特性

双相位共轭光腔具有与常规光腔及单相位共轭光腔不同的物理特性.本文运用相位共轭镜的第Ⅰ变换矩阵及第Ⅱ变换矩阵,分别计算了双相位共轭光腔的简并模,非简并模,两种方法得出了相同的结果.还进一步讨论了这种谐振腔的热稳定性、微扰稳定性以及简并模与非简并模之间的区别.     

C O S 光 束 的 验 证 及 其 应 用 前景

本 文验 证了 柱面波被直条屏衍射 后几 何阴影区 场强的 CO S 分布,通过与高斯光束对 比验证了 C O S 光束的超衍射 极限传输特性,最后讨论了 它的应 用前 景.     

基于耦合声场建模的膨胀腔消声器声学性能分析及试验

针对圆柱形膨胀腔消声器三维建模及声学性能分析问题, 提出一种基于切比雪夫变分原理的耦合声场建模方法, 建立三维圆柱形膨胀腔消声器理论模型并搭建试验台架, 传递损失试验结果验证了理论模型的准确性. 将膨胀腔消声器内部声场分解为多个子声场, 基于子声场间压力与质点振速连续性条件, 推导声场耦合变分公式, 构建子声场拉格朗日泛函. 将子声场声压函数展开为切比雪夫-傅里叶级数形式, 通过瑞利-里兹法求解膨胀腔消声器频率、声压响应及传递损失. 计算并对比分析扩张比、扩张腔长度、进出口管偏置对膨胀腔消声器消声性能的影响. 结果表明: 扩张比增大会有效提高消声器在低频段的消声性能, 进出口管的偏置对消声器消声性能影响很小.     

不同衬底上纳米晶CdTe薄膜的低温制备及光性能研究

在液氮温度下采用射频(R.F)磁控溅射在普通玻璃(glass)、单晶硅(Si)和陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜的晶体结构与外貌形态进行了表征.XRD测试表明在glass和Si衬底上的CdTe薄膜比在Al2O3衬底有较好的结晶性.且在(111)晶面有较高的择优取向.在glass和Si衬底上的CdTe薄膜晶粒尺度约为25nm,而在Al2O3衬底上得到的薄膜晶粒尺度约为15nm左右.FESEM测试显示薄膜在glass和Si衬底上的结晶形态比Al2O3衬底较平整,致密.同时对玻璃衬底上不同沉积时间得到的纳米薄膜进行了光学性能研究.     

自泵浦相位共轭光腔的基模

本文给出了简并四波混频在自泵浦条件下的等效变换矩阵,导出了自泵浦相位共轭光腔的基模.它是无条件约束的,绝对热稳的和微扰稳定的.     

Mn离子注入Si材料的结构分析及磁学性质

采用剂量分别为1×10~(16)(1E16),3×10~(16)(3E16)和5×10~(16)cm~(-2)(5E16)的Mn离子注入方法制备Si基稀磁半导体样品.利用透射电子显微镜(TEM)和交变梯度磁强计(AGM)对不同剂量的样品退火前后的结构和磁学特性的变化进行了表征.实验发现,退火前,只有5E16样品出现球状偏析物,其直径在5 nm左右,但也有个别直径15 nm左右的大团簇.N_2环境下800℃退火5 min部分修复了1E16样品注入区域的晶格损伤,并使该剂量样品出现偏析物,直径多在10 nm左右.衍射花样分析表明该偏析物为具有晶面间距0.333,0.191和0.163 nm的微晶,这说明该微晶最有可能是MnSi_(1.7),退火前,样品饱和磁化强度随注入剂量增大而显著增强,但从3E16到5E16增速放缓,退火使低剂量样品磁性大幅减弱,说明偏析物不利磁性增强.