类Ni稀土X光激光波段衰减膜的设计与研究

对类 Ｎｉ稀土 Ｘ 光激光波段衰减膜进行了设计,并根据设计结果,利用磁控溅射和旋转涂覆法分别制备了自支撑的 Ａｇ 衰减膜和聚苯乙烯（ Ｃ８ Ｈ８）衰减膜。利用真空 α能谱测厚仪和 αｓｔｅｐ１００ 台阶仪分别对衰减膜的质量厚度和均匀性进行了测量,用 Ａｕｇｅｒ 电子能谱（ Ａ Ｅ Ｓ）对 Ａｇ 衰减膜进行了表面杂质分析。     

聚苯乙烯薄膜对自支撑锆薄膜的性能改善

 利用直流磁控溅射方法和提拉法制备了自支撑Zr/C₈H₈复合滤光膜和C₈H₈滤光膜。用同步辐射光源测量了滤光膜对软X射线的透射率，用俄歇电子能谱分析了膜中的元素含量。结果表明，虽然C8H8薄膜的加入在一定程度上降低了Zr滤光膜在软X射线波段的透射率，但较好地阻止了存储和使用过程中氧、氮等杂质对Zr金属膜的入侵，有效地改善了滤光膜的环境稳定性；同时很好地改善了Zr滤光膜的力学性能和表面面形，使制备的成品率提高了20%。     

COIL用变形反射镜介质反射膜

 报道COIL激光用变形反射镜的介质反射多层膜实验。在真空镀膜机内制备了膜系Sub/Ag(SiO₂/HfO₂)⁴/air和Sub/Ag(YbF₃/ZnS)³/air, 反射率分别为99.90%和99.87%。在经历109次循环后变形镜物理特性无变化。研究了COIL激光辐射下热畸变和损伤特性。分别在功率密度为1.52kW/cm²和1.18kW/cm²的COIL激光辐照下,这两种膜系的变形镜波前变化为0.37l 和0.54l 。因此对于变形镜1kW/cm²激光功率密度是安全可靠的。     

AuCn-/0 (n=3-8)的负离子光电能谱和密度泛函理论研究：电子结合能和几何结构的奇偶效应

本文测量了AuC_n^- (n=3-8)的光电子能谱,并且对AuC_n^-/0 (n=3-8)的结构和性质进行了理论研究. 研究发现,AuC_n^-的光电子能谱表现出明显的奇偶交替变化,AuC₃^-、AuC₅^-、AuC₇^-的光电子能谱峰明显宽于AuC₄^-、AuC₆^-、AuC₈^-的光电子能谱峰,AuC₃^-、AuC₅^-、AuC₇^-的电子垂直脱附能低于AuC₄^-、AuC₆^-、AuC₈^-的电子垂直脱附能. AuC_n^- (n=3-8)的最稳定结构是链状结构. 在中性团簇AuC_n(n=3-8)中,除了AuC$₃和AuC₅的结构轻微弯曲外,其他团簇均是直线型结构. 理论计算的∠AuCC角度,Au-C键长和Au原子的电荷分布均呈现奇偶变化,与实验观测一致.     

Ag在CeO2-x(111)薄膜上的生长与电子结构

利用XPS和RPES技术研究了CeO_2-x(111)薄膜表面上的氧空位对Ag纳米颗粒的生长和电子结构的影响. XPS结果表明,室温下,Ag纳米颗粒在部分还原的CeO_2-x(111)薄膜上呈三维岛状生长, 并且岛密度比完全氧化的CeO₂(111)薄膜表面上的大, 说明氧空位可以作为Ag纳米粒子生长的中心. Ag3d_5/2芯能级的结合能随着Ag颗粒尺寸的减小而增大, 主要来源于终态效应的贡献. Ag和CeO_2-x     

硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长

采用火焰水解法在Si片上快速淀积SiO₂厚膜材料,材料膜厚达到40μm以上,生长速率达8μm/min.然后将该材料分别在真空中/空气气氛中高温致密化处理,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料,包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO₂厚膜材料.并利用XRD、电子显微镜等仪器对SiO₂膜的表面和膜厚进行了测试分析.     

aodSrTi1-xRuxO3系列类钙钛矿结构氧化物的电子结构研究

利用同步辐射光电子能谱技术研究SrTi_1-xRu_xO₃系列类钙钛矿结构氧化物的电子结构. 通过测量该系列氧化物的光电子能谱(PES)和X射线吸收谱(XAS),得到了SrRuO₃在入射能量53eV时的共振光电子能谱(RPES),SrTi_1-xRu_xO₃中,随着x变化而变化的价带光电子能谱和O 1s的吸收谱.然后参照文献中局部密度近似方法(LDA)模拟计算的能带结构,进行初步的分析和解释.     

实验测定183Os的QEC值

用39MeV-α粒子轰击天然钨靶产生了¹⁸³Os测量了¹⁸³Os衰变的γ-β符合谱,确定了β⁺能谱的端点能量.最终提取出 衰变的QQ_EC值:Q_EC=2.24±0.10MeV,与系统学的估计值;2.30±0.10MeV在误差范围内相符.     

高能强子在铁中的衰减

利用强子探测效率高的厚型甘巴拉山铁乳胶室,观测了能量大于4TeV强子流的衰减长度.分别对无伴随的单个强子、ΣE_γ>500TeV、100TeV≤ΣE_γ≤500TeV和30TeV≤ΣE_γ<100TeV的族事例中的强子作了测量. 初步结果表明,四种情况的衰减长度是有差异的,对此作了讨论.     

Sc2O3替代层在532 nm高反膜中的应用

 将Sc₂O₃替代层引入到532 nm高反膜(HfO2/SiO2)n中,利用Sc₂O₃在盐酸中具有较好的溶解性这个特点,把膜层与基片脱离,以方便基片返修,缩短返修周期,降低成本。能量色散谱元素测试表明,脱离后Sc元素残留率为0。用Lamada900分光光度计、WykoNT1100轮廓仪和ZYGO干涉仪分别表征了替代层引入对高反膜的光谱、表面粗糙度和应力的影响,并测试了膜系在532 nm的激光损伤阈值的变化,结果表明Sc₂O₃替代层的引入对高反膜的性能几乎没有负面影响。     

粒子-转子模型和推转壳模型中的能谱统计分析

用粒子–转子模型和推转壳模型研究了6个粒子分别填充在单j壳和双j壳上的混沌行为.分析了单j壳和双j壳情况下能谱的最近邻能级间距分布和谱刚度随自旋及推转频率的变化,结果表明,当组态空间大小不变时,系统在双j壳(g_7/2+d_5/2)情况下比在单j壳(i_13/2)情况下更规则,而当组态空间从单j壳(i_13/2)扩大到双j壳(i_13/2+g_9/2)时,系统的混沌程度变化不大.同时比较了将6个粒子的两体相互作用分别取为δ力和对力时的系统的混沌行为     

TiGen-(n=7~12)团簇的光电子能谱及密度泛函理论研究

利用光电子能谱及密度泛函理论计算对TiGe_n^-(n=7~12)团簇的几何结构及电子特性等进行了系统研究. 对于TiGe_n^-负离子及中性TiGe_n,在n=8时出现了钛原子半内嵌的船型结构;在n=9~11时,新增的锗原子加盖到这种船型结构上,逐步形成钛原子完全内嵌的结构. TiGe₁₂^- 团簇具有一种钛原子内嵌的变形六棱柱结构. 自然布居分析结果显示,对于n=8~12的TiGe_n^-/0 团簇,随着内嵌结构的形成,有电子从锗原子转移到钛原子,说明其电荷转移方式与结构演变密切相关.     

基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作

针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiN_x折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO₂/SiN_x材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO₂/SiN_x抗反膜结构,能够在70 nm的波长范围内实现低于10^-4的反射率     

用于软X射线激光实验的铝衰减膜的测量

对不同方法制备的不同厚度的铝衰减膜,用微机控制α测厚仪测量了膜的质量厚度以及膜厚均匀性,用Auser电子能谱(AES)对铝膜进行了组分的表面和深度分布分析,根据铝KLL Auger特征谱揭示了氧化膜的化学组分并测量了氧化膜厚度随放置时间的变化,还讨论了膜中其它杂质含量的上限。     

基于Gelius模型计算的C60和C70的紫外光电子能谱

在B3LYP/6-31G(d,p)水平上对两种富勒烯C₆₀和C₇₀进行了构型优化. 在此基础上,并基于Gelius模型, 计算了这两种富勒烯的紫外光电子能谱曲线. 理论计算的曲线同实验曲线符合的很好.此外, 从理论曲线并结合量子化学计算的结果, 可以看到, C₇₀分子上不同化学环境的的碳原子对紫外光电子能谱曲线的贡献是不同的.     

不同后处理方法对溶胶-凝胶SiO2膜层抗污染能力的影响

 以正硅酸乙酯作为前驱体,利用碱催化方式制备了SiO₂溶胶,采用提拉法在K9基片上镀制SiO₂单层薄膜,分别用热处理、紫外辐射处理、氨水加六甲基二硅胺烷气氛处理和酸碱复合膜4种后处理法对膜层进行处理,采用分光光度计、红外光谱、扫描探针显微镜、静滴接触角测量仪、椭偏仪等分析了薄膜的特性,通过真空环境加速污染实验对处理前后的膜层进行抗污染能力对比,结果表明：在碱性SiO₂膜层上加镀一层酸性SiO₂膜的复合膜层整体透过率仍保持在99%以上,疏水角达到128°,膜层真空抗污染能力大大加强。     

用北京同步辐射光源研究氟化物闪烁体的荧光时间衰减特性

介绍了利用北京同步辐射光源测量闪烁体荧光时间结构特性的新方法.并用此方法测量了纯BaF_{2、CeF3晶体和粉晶样品及掺La³⁺、Ce³⁺的BaF2晶体时间衰减谱.对BaF2掺稀土元素的测量结果表明,La³⁺和De³⁺的掺入对BaF2时间衰减慢成分均有一定的抑制作用,但从理论上分析两种掺杂对慢成分的抑制机制并不相同.}     

Au2Gen-/0 (n=1∽8)团簇结构演化和电子性质的光电子能谱和理论计算研究

本文利用尺寸选择的负离子光电子能谱和理论计算探索Au₂Ge_n^-/0 (n=1∽8)团簇的结构演化和电子性质. 通过比较理论模拟谱与实验谱,并使用CCSD(T)理论方法计算异构体的相对能量,从而确定金锗混合团簇的全局最小结构. 本文发现Au₂Ge_n^-/0 (n=1∽8)团簇的两个Au原子具有较高的配位数和较弱的亲金相互作用. 负离子团簇和中性团簇的最稳定结构分别处于自旋双重态和自旋单重态. 除了Au₂Ge₄^-/0和Au₂Ge₅^-/0,负离子团簇和中性团簇的全局最小结构具有相似的结构特点. Au₂Ge₁^-/0团簇是一个C_2v对称的V形结构,而Au₂Ge₂^-/0团簇是一个C_2v对称的双桥连结构. Au₂Ge₁^-负离子团簇是两个Au原子盖帽的Ge₄四面体结构,而Au₂Ge₄中性团簇是两个Au原子盖帽的Ge₄菱形结构. Au₂Ge_5∽8^-/0团簇主要采用三棱柱、四棱柱、及五棱柱结构. Au₂Ge₆是一个C_2v对称的四棱柱结构,并表现出σ和π双键性质.     

Fe/Al混合膜的PLD法制备及表面分析

 采用脉冲激光气相沉积（PLD）技术制备了Fe/Al混合膜,测量了该混合膜的光电子能谱（XPS）,并采用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）对Fe/Al混合膜作了表面分析。结果表明：Fe/Al混合膜的表面粗糙度对衬底温度有明显的依赖性, 随着衬底温度的升高,薄膜的表面逐渐变得平滑,膜层变得致密,在200 ℃衬底温度下制得了均方根（rms）粗糙度为0.154 nm、具有原子尺度光滑性的Fe/Al混合膜, 膜中Fe和Al分布比较均匀,其成分比约为1∶3,同时XPS分析也表明Fe/Al混合膜暴露在空气中后表面形成了Al₂O₃和FeO氧化层。     

软X射线多层膜与衰减膜研究

 本文采用随机数的方法，发展了一种普适的多层膜设计方法，这种方法除可设计一般的周期多层膜，更重要的是它可以根据选定的评价因子，设计不同要求的非周期多层膜。用磁控溅射方法完成软X射线多层膜制备，X射线衍射、卢瑟福背散射、俄歇电子谱和反射率的相对测试用来表征多层膜结构和特性，所得结果说明多层膜的结构完整，周期参数正确。用离子束溅射方法成功地制备了有一定反射率和透过率的软X射线半反半透分束镜；分析了Ag和Zr衰减膜中的杂质含量与分布及其对衰减膜特性的影响，并对衰减系数进行了修正，为实验提供优质的衰减膜。