双向晶闸管通态电压特性曲线分析

根据实验数据给出了双向晶闸管的通态电压特性曲线。通过对特性曲线的分析,认为用铬－镍－银阻挡层烧结新的工艺可大 向晶闸管的双向通态特性。     

双束质子辐照降低快速晶闸管通态压降的研究

在分析晶闸管通态压降产生的机理的基础上, 从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。对ＫＫ２００Ａ 半成品晶闸管进行能量３．５ＭｅＶ 和５．０ＭｅＶ 注量为２．５×１０１１ｐ／ｃｍ ２ 的单束质子辐照晶闸管所得的晶闸管的电学参数与先用５．０ＭｅＶ 后用３．５ＭｅＶ 能量注量都为２．５×１０１１ｐ／ｃｍ ２ 的双束质子辐照的晶闸管所得的电学参数进行了对比, 发现双束质子辐照不仅能有效地缩短晶闸管的开关时间, 而且在降低快速晶闸管的通态压降方面比单束质子辐照的晶闸管优越     

新型低损耗快速薄发现极晶闸管关断时间和通态压降的分析

本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发现极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较了详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５－１／３，而通态特性没有恶化     

特高压晶闸管结终端造型技术

分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点.基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的结终端造型技术.该技术不仅使芯片极薄化,而且使结终端造型占用芯片长度极小化,同时使有效导通长度极大化.制造并测试了三种不同结终端造型技术的样品,测试结果表明,采用该技术的样品在不降低阻断电压(≥8 000 V)前提下,具有更小的漏电流(2.50 mA);在流过相同的通态电流(4 500 A)时,具有更小的通态压降1.782 V;而且反向恢复电荷、dv/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到全面优化.成功研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)电流为4 500 A、阻断电压为8 500 V的特高压晶闸管,其动态特性和参数的一致性满足设计及应用要求.     

新型低损耗快速薄发射极晶闸管关断时间和通态压降的分析

本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５～１／３，而通态特性没有恶化。     

双束质子辐照降低快速晶闸管通枋压降的研究

在分析晶闸管通枋压降产生的机理的基础上,从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。．对ＫＫ２００Ａ半成品晶闸管进行能量３．５ＭｅＶ和５．０ＭｅＶ注量为２．５×１０＾１１ｐ／ｃｍ＾２的单束质子辐照晶闸管所得的晶闸管的电学参数与先用５．０ＭｅＶ后用３．５ＭｅＶ能量注量都为２．５×１０＾１１ｐ／ｃｍ＾２的双束质子辐照的晶闸管所得的电学参数进行了对比,发现双束质子辐照不仅能有效地缩短晶     

半导体光敏双向晶闸管输出型光耦合器的设计与工艺

介绍了半导体光敏双向晶闸管输出型光耦合器的工作原理与主要性能、设计要点及工艺控制要点，并给出自行试制的性能达到国外同类产品水平的样品特性参数。     

低导通压降MOS控制晶闸管的研制

基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1 600 V,脉冲峰值阳极电流为3 640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。     

特高压晶闸管p-层穿通和p+层发射极结构设计

基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11 V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中。     

沟道电势分布对静电感应晶闸管瞬态特性的影响

本论文从理论和实验上研究了由几何参数与偏置电压决定的沟道电势分布对静电感应晶闸管(SITH)瞬态性能的影响。从理论上推导出了SITH势垒高度和I-V特性的数学表达式。论文深入研究了影响器件在阻断态和导通态瞬态性能的主要因素和机理。研究结果对SITH的设计、制造、性能优化和应用有一定的指导意义。     

三端双向晶闸管的功耗计算和Tjmax预测

三端双向晶闸管用于控制AC电源负载。在大多数应用中,三端双向晶闸管会消耗大量电能,因而需要考虑散热。同时必须计算散热器的大小并预测最高结点温度Tjmax。散热设计和分析是设计和开发过程的基本部分。散热设计需要几个计算阶段,涉及到功率、热阻和温度升高。本文介绍的便是这些计算。     

静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟

引入了一种SITH仿真模型.结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管(SITH)进行了正向导通,类三极管正向阻断、负阻转折特性的仿真模拟.     

开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性

对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管，可明显改善器件的通态伏安特性。     

光控晶闸管的集成BOD转折电压

介绍了新型光控晶闸管,其集成了一个非常重要的电气功能,即正向过压保护功能。通过在光控晶闸管光敏区内集成转折二极管(BOD),实现光控晶闸管正向保护功能。如果集成BOD转折电压太高,不能有效保护晶闸管;若转折电压太低,则达不到光控晶闸管设计的阻断电压要求。通过计算机仿真技术和工艺实验方法,成功地揭示了光控晶闸管集成BOD转折电压与硅材料电阻率、pn结结构尺寸和温度的关系,从而精确设计了光控晶闸管集成BOD转折电压,研制了5英寸(1英寸=2.54 cm)3 125 A/7 600 V特高压光控晶闸管,并成功应用于云南-广东±800 kV/5 000 MW特高压直流输电工程中。     

提高晶闸管器件对di/dt的耐受能力的途径

介绍了晶闸管器件的通态电流上升率di/dt参数及其损坏晶闸管器件的机理，并进一步介绍了提高晶闸管器件的通态di/dt耐量的设计和工艺方法，及应用过程中限制晶闸管阳极电路的电流上升率，保护晶闸管器件的方法。     

零电压开关双向晶闸管控制器U217B

图1图2零电压开关(ZVS)双向晶闸管控制器是一种专用集成电路。这类控制器在AC线路电压(200V、50Hz)过零时输出一个电流脉冲,去触发外部的双向晶闸管,控制连接在AC线路上的电阻性负载(如加热器),并消除了射频干扰。ZVS双向晶闸管控制器芯片主要用于全波功率控制、温度调节和灯光     

高结温双向晶闸管

HiTj系列双向晶闸管在结温高达150℃时仍能保持标称电性能，其开关性能十分出色，是各类设备的电机控制电路的理想选择，特别适用于在高工作温度下控制电机的电路系统。     

高灵敏触发晶闸管的设计和制造

本文介绍一种高灵敏触发晶闸管,其通态电流为5A、正反向转折电压大于400V、门极触发电流小于200μA。     

双向晶闸管特性曲线的规范及计算

双向晶闸管特性曲线的规范及计算秦贤满（西安电力电子技术研究所，西安７１００６１）１引言双向晶闸管特性曲线是产品技术要求、技术内容的一个方面，是设计、应用获得最佳技术经济效果不可缺少的技术依据。目前国内外尚未见到双向晶闸管特性曲线的标准，国内的ＪＢ／Ｔ...