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短波长自由电子激光器的电子束在摇摆器中的传输通道长而狭窄, 须得电子具有良好的运动特性, 避免在传输过程中产生横向发散. 本文研究短波长自由电子激光器中超相对论电子在磁场具有横向分布的平面摇摆器中的三维运动特性, 用逐次逼近法推导相对论运动方程的解析表达式, 非线性数值计算模拟传输过程, 采用科尔莫 戈罗夫熵 方法分析运动的稳定性. 结果表明: 摇摆器磁场除使电子做周期性摇摆运动外, 还迭加了偏离轴线的横向漂移运动, 在没有外置的磁场聚焦系统情况下, 电子将偏离轴线横向发散; 但是, 恰当选取电子的横向初始速度, 可有效地防止电子运动的横向发散, 即使没有外置的磁场聚焦系统, 也能在长达10 m 的摇摆器中顺利传输, 横向位移范围不超过0.09 mm, 而且其运动是稳定的.
关键词:
短波长自由电子激光器
平面摇摆器
超相对论电子运动
运动稳定性 相似文献
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据中国光学光电子行业协会消息,由南京大学和中科院上海光学精密机械研究所共同承担的国家863计划课题“ZnO基短波长激光器若干关键技术研究”取得重要突。该课题组经过三年时间上千次的材料生长和工艺实验,在国际上首次研制成功ZnO基同质PN结发光器件(LED),在室温(29℃)下实现了蓝光、黄光发射。 相似文献
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阐述了InP基高功率短波长量子级联激光器(QCL)的设计原理和设计方案。从有源区设计模型出发,介绍了器件的理想和实际载流子传输路径,进而指出有源区设计的发展趋势和方法。根据器件的发展进程,综述了双声子共振设计,非共振抽取式设计,超强耦合设计,深阱设计,浅阱设计,短注入区设计等先进设计方案,这些设计方案使得QCL在低温下的电光转换效率在50%以上,最大室温连续输出功率超过3 W,而器件的特征温度T0和T1的最大值分别达到383 K和645 K。针对量子级联激光器的短波长高功率提供的先进设计方案扩大了QCL在民用与军用领域的应用前景,该设计方案亦可为其它波段量子级联激光器实现室温高功率的设计提供借鉴。 相似文献
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介绍了脉冲功率技术在离子准分子、准分子和软X射线激光研究中的应用情况。给出了三种激光产生对泵浦源电学参数的要求,并给出实现这些电学参数的实验装置以及实验装置的性能指标。在软X射线激光研究方面,利用10级Marx发生器和Blumlein传输线,建立了最高电流峰值40 kA,前沿为26.6 ns的毛细管放电装置,并实现了46.9 nm激光输出。建立了输出电压600 kV、输出电流20 kA的电子束装置,并作为泵浦源实现了离子准分子光腔效应。为了泵浦S2准分子,采用横向放电方式和低电感放电回路,实现了电压脉冲宽度为29.2 ns的窄脉冲放电。 相似文献
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介绍了脉冲功率技术在离子准分子、准分子和软X射线激光研究中的应用情况。给出了三种激光产生对泵浦源电学参数的要求,并给出实现这些电学参数的实验装置以及实验装置的性能指标。在软X射线激光研究方面,利用10级Marx发生器和Blumlein传输线,建立了最高电流峰值40 kA,前沿为26.6 ns的毛细管放电装置,并实现了46.9 nm激光输出。建立了输出电压600 kV、输出电流20 kA的电子束装置,并作为泵浦源实现了离子准分子光腔效应。为了泵浦S2准分子,采用横向放电方式和低电感放电回路,实现了电压脉冲宽度为29.2 ns的窄脉冲放电。 相似文献
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X射线激光器是运行在电磁辐射波谱中X射线波段的短波长相干光源,通常,X射线激光器都采用高功率激光器作为泵浦源,强激光与靶相互使用形成的高温等离子体作为工作介质,并采用单程(或双程)行波放大的运行方式,近10年来,X射线激光器的研制工作取得了重大进展,并开始了X射线激光应用的初步研究,现在正朝着提供高亮度,有较好相干性并且价格便宜的小型短波长X光光源的目标努力。 相似文献
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本文介绍VUV、XUV和X光波段产生激光的可能途径和极短波长高亮度相干光的应用前景。着重于分析实现极短波长激光振荡的困难性和介绍实现集居数反转的若干激发机制。对目前国内外极短波长激光研究进展也稍作评述。 相似文献
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报道了短波长化学激光系统高反射镜的膜系设计、镀膜材料的选取、反射膜制备技术、基板加工、反射镜性能测试和各种膜系反射镜在强激光辐照下的热畸变和损伤。 相似文献
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据日本电子工程杂志(JEE,1974,№.92,P.53—55)报导,日本电气公司、东芝公司和日立公司在研制半导体激光器方面有所进展,摘要如下: 日本电气公司 该公司去年(1973)六月份公布了延长红外半导体激光器寿命的研究结果。 利用电子扫描显微镜研究老化原因,发现在异质晶体的结区由于热膨胀系数的 相似文献
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AgInSbTe薄膜的短波长记录性能分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用自制的装置研究了Ag5In5Sb47Te33薄膜的静态记录性能与记录激光的功率和脉冲宽度的关系,并对其记录畴形貌特点进行了直接观察。结果表明只有记录激光的功率和脉冲宽度在一定范围之内才能起到信息记录的作用,所得的记录畴形貌十分清晰,基本为非晶态Ag5In5Sb47Te33;小于该范围的激光能量不能使材料结构发生较大的变化,所得的记录畴形貌模糊,反射率对比度低于2%;大于该范围所得的记录畴由烧蚀区和其周围的非晶态Ag5In5Sb47Te33组成。另外,得到了记录激光功率为12mW、脉冲宽度为90ns的Ag5In5Sb47Te33薄膜的短波长最佳记录条件,其记录畴的反射率对比度为22%,直径为380nm-400nm。 相似文献
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设计了一种新型半导体集成光源--AlGaAs短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,采用直接耦合方式将超辐射发光与光放器集成在一起,在脉冲条件下获得了输出功率为57mW的超辐射,谱线宽度FWHM为20nm,放大器的增益为21dB。 相似文献
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