改变覆盖层参数对微波介质谐振器揩振特性的影响

讨论了一种调节微波介质谐振器谐振频率的新方法,通过改变该结构中介质谐振器顶端介质覆盖层的厚度,或者置具有不同介电常数的介质覆盖层,均可实现谐振频率的微调,本文应用开波导法分析和计算了介质覆盖层参数的改变对微波介质谐振器谐振特性的影响,并将计算结果与实验数据进行比较,两者吻合良好。     

带电极压电晶体板厚剪共振频率的精确确定及其在谐振器设计中的应用

确定带有电极的石英晶体板的厚剪共振频率在石英晶体谐振器的设计和加工过程中有着实际意义，特别是目前频率的不断增高使得谐振器的厚度已经减小到不得不考虑电极效应的程度．由于电极的相对刚度不可忽视，只考虑电极质量效应的频率计算方法则需要进行修正．基于一个熟知的无限大晶体板的厚度频率的确定方法，得到了晶体板及考虑到压电效应的用弹性常数和密度表达的频率方程．根据谐振器设计中常用的材料来求解频率方程，我们可以在设计过程中精确确定设计参数，从而减少修正次数．由于这些方程和结果对大多数材料都是适用的，保证了这一方法可以相对容易的与现有的石英晶体谐振器和设计和制造过程结合．     

电离层ULF Alfvén谐振的空间测量

利用AUREOL-3卫星对空间ULF/ELF电场、磁场分量以及电子密度同步测量数据．通过对数据的高分辨率谱分析,首次得到电离层Alfven谐振器的谐振谱结构的空间直接测量结果．本文结果表明对于近似垂直与地磁场方向的电场扰动分量,其一阶本征谐振频率为7.8 Hz．二阶谐振频率为14 Hz,且存在SRS谱谐振结构．但对于磁场分量,仅在南北分量和垂直分量上发生谐振．而对水平东西方向的分量,在同一测量时间段内没有发生Alfven谐振现象．     

电离层ULF Alfvén谐振的空间测量

利用ＡＵＲＥＯＬ－３卫星对空间ＵＬＦ／ＥＬＦ电场、磁场分量以及电子密度同步测量数据,通过对数据的高分辨率谱分析,首次得到电离层Ａｌｆｖéｎ谐振器的谐振谱结构的空间直接测量结果．本文结果表明：对于近似垂直与地磁场方向的电场扰动分量,其一阶本征谐振频率为 ７．８ Ｈｚ,二阶谐振频率为 １４ Ｈｚ,且存在 ＳＲＳ谱谐振结构．但对于磁场分量,仅在南北分量和垂直分量上发生谐振,而对水平东西方向的分量,在同一测量时间段内没有发生Ａｌｆｖéｎ谐振现象．     

介质复盖对圆形微带天线性能的影响

基于汉克尔变换域分析，对具有一层介质复盖的圆形微带天线进行了严格的全波分析．利用伽略金法推导出对于未知电流展开系数的齐次矩阵方程，通过数值解求得谐振频率和电流展开系数及远场辐射方向图．文中给出了无介质复盖与介质复盖层厚度为不同数值时，圆形微带天线谐振频率和辐射方向图的数值结果，并与实验数值吻合得很好．     

互推式微波电调介质振荡器的研究

本文阐述了互推式微波介质振汤器的工作原理，给出了使用微波双极型晶体管的ｓ参数优化设计这种振荡器的简易方法，测试得出的特性曲线反映了其良好性能，为使振荡器具有一定的频率调谐能力，在设计中还采用了电调技术，实验结果表明，这种互推式微波电调介质振荡器具有０．６％的调谐带宽。     

基于模糊PI控制的激光器频率跟踪锁定技术

针对谐振式光纤陀螺用光纤激光器频率跟踪锁定应用需求,提出一种基于模糊PI控制的激光器频率跟踪锁定方法。首先对频率跟踪锁定控制总体方案进行了叙述,综合利用模糊控制的快响应和PI控制的高精度技术优点;其次,重点进行了模糊控制器的设计和仿真,阐述了模糊控制流程和方法,并设计了模糊控制器的FPGA程序代码;最后,搭建了基于模糊PI控制的激光器频率跟踪锁定实验测试系统,实现了光纤激光器中心频率对光纤谐振腔谐振频率的快速跟踪锁定控制,为谐振式光纤陀螺应用奠定了技术基础。     

高稳定锁相介质振荡器微波源的设计

在研究介质振荡器的基础上，采用锁相环路控制介质振荡器方法，设计了一种高稳定锁相介质振荡器微波源并对设计中的几个主要问题进行了详细描述，通过对其相关性能测验，证明该高稳定锁相介质振荡器微波源是一种具有时频计量标准精度的微波源，填补了该领域国内空白，在多个领域中具有较广泛的实用价值。     

掺杂单晶硅纳米梁的谐振频率特性

掺杂有利于提高单晶硅纳米材料的力学性能.本文主要通过分子动力学方法研究了掺杂浓度和尺寸对纳米单晶硅梁谐振频率的影响,结果表明:谐振频率随着单晶硅纳米梁掺杂浓度的增大而增大,但值变化很小,对梁的谐振频率影响并不明显;同时,谐振频率随着单晶硅纳米梁长度尺寸的增大而减小,随着单晶硅纳米梁厚度尺寸的增大而增大.由此可以得出结论:掺杂浓度会影响纳米单晶硅梁的谐振频率,但是影响较小,而影响其谐振频率的主要因素是纳米单晶硅梁的尺寸.     

具有一层空气隙的矩形微带天线谱域导抗法

对具有一层空气隙的矩形微带天线进行了分析，利用谱域导抗矩阵推导出谱域中的并矢格林函数，利用伽略金法导出了谐振频率的本征方程，并从基片上表面切向电场分量的傅里叶变换直接得出辐射方向图．本文计算出的谐振频率和辐射方向图与其它的理论数值及文献中的测量结果相比较，其一致性很好．     

多镜非稳腔的光线矩阵分析方法

应用光线矩阵方法,求解多镜非稳腔的几何自再现模的共轭像点位置和波面线度的几何放大率。用模的微扰稳定性条件,简捷地确定几何放大率的合理取值和共轭像点位置的稳态解。且讨论了多镜非稳腔的平均单程“衍射损耗”。     

双直角棱镜光腔的模式及损耗分析

本文利用张量光学的方法分析了双直角棱镜光腔的模式，对由制造上的角度偏差引起的附加衍射损耗进行了研究。     

任意光束通过光阑弱衍射在远场的光阑矩阵

本文得到了任意光束通过光阑弱衍射在远场下的光阑ABCD矩阵，并用所得矩阵具体地分析了带硬边光阑的典型谐振腔.     

基于RTD的新型D锁存器设计

共振隧穿二极管（RTD）作为一种较成熟的量子器件,具有独特的负内阻特性,由RTD组成的单双稳态转换逻辑单元（MOBILE）能够很好地利用该特性进行数字电路设计.基于MOBILE,设计了一种新的RTD输出控制电路.该电路的优点是将RTD的正向和反向电流电压特性相结合,无须使用面积较大的三端器件,电路设计较便捷.采用RTD输出控制电路和HEMT器件,设计了一种新的D锁存器.该D锁存器采用高电平偏置电压,不仅可使MOBILE获得需要的高电平触发方式,而且电路具有自锁特性.HSPICE仿真实验证明,该D锁存器不仅电路结构简单,而且功耗低、速度快.     

非轴对称的吸积盘的不稳定性分析Ⅰ辐射压为主要压力

针对非轴对称的吸积盘中压力主要为辐射压的区域,采用一种新的黏滞机制(反常磁黏滞),利用数值方法进行了吸积盘的不稳定性分析。结果表明,随着方位角扰动波数的增大,热模越来越不稳定;黏滞模、In-模和Out-模越来越稳定。并且,吸积盘所采用的黏滞机制对不稳定性结果有着重大影响     

非轴对称的吸积盘的不稳定性分析Ⅱ.气压为主要压力

针对非轴对称的吸积盘中压力主要为气压的区域,采用一种新的黏滞机制(反常磁黏滞),利用数值方法进行了吸积盘的不稳定性分析。结果表明,当吸积盘无黏滞时,吸积盘的稳定性不受不透明度的影响;随着方位角扰动波数n的增大,热模、黏滞模是越来越不稳定,In-模和Out-模则是越来越稳定     

BaTiO3薄膜的Sol—gel法制备及对其介电特性的研究

以钛酸甲丁酯和乙酸钡为主要原料,以乙二醇独甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法在（１００）低阻硅片上制备了ＢａＴｉＯ３薄膜电容,用ＸＲＤ分析了该薄膜的结构,发现薄膜在硅片上取向生长,同时又对薄膜的介电性质进行研究,结果表明,薄膜的介电特性在高频范围内随频率的变化比较稳定,并讨论了晶化温度对薄电容的影响。