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溶胶-凝胶法制备电致变色薄膜及器件的研究 总被引:11,自引:4,他引:7
用离子交换法制备WO3电致变色薄膜,并制备结构为WO3/LiCO4+PC/TiO2的夹层式半固态电致变色器件。测试了薄膜及器件的循环伏安特性曲线,研究了薄膜及器件在不同的扫描电压及扫描速率下的电致变色性能,并获得了WO3薄膜在导锂离子情况下的着色效率。实验证明,溶胶-凝胶法完全能够成为一种有效的制备大面积电致变色灵巧窗的方法。 相似文献
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WO3薄膜的电致变色特性研究 总被引:7,自引:2,他引:5
介绍了WO3电致变色薄膜的变色机理和制备工艺,对WO3薄膜的电阻率,结构,化学组玢,电化学特性和变性性能等特性进行了工艺,提出了WO3薄膜的一种新的锂化方法,这种方法对进一步研制全固态电致变色薄膜器件是十分关键的。 相似文献
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研究了导H^+离子全固态电致变色器件性能退化摧在机制,发现有两个因素导致器件性能退化,在器件褪色过程中,存在于WO3薄膜中的水份将导致OH^-在WO3中积累而在其中产生碱性环境,WO3溶于碱性环境而生成钨酸盐,在较高电压作用下H2O电解释放出气体H2和O2而使膜层剥落,通过改进器件结构和改善制备工艺条件,获得了光学密度高达0.5,着色/漂白(Color/Bleach)循环次数高达10^6以上的性能 相似文献
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用作电致变色器件的LiNbO_3离子导体薄膜的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频溅射方法制备用作电致变色器件的LiNbO3薄膜,利用频率外推法和Wangner极化法对所沉积的LiNbO3离子导体薄膜的离子电导率进行了测试和计算,给出了薄膜的光谱特性,分析和讨论了薄膜制备工艺对薄膜结构和离子电导率的影响和作用。 相似文献
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为改善氧化钨电致变色薄膜的电化学循环稳定性,采用磁控溅射方法制备了钽掺杂的氧化钨电致变色薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、光谱椭偏仪(SE)、紫外-可见分光光度计、电化学工作站对薄膜的微观结构、光谱调制能力、着色效率、循环稳定性进行了表征和分析,研究了钽掺杂对氧化钨薄膜结构及电致变色性能的影响。结果表明,适量掺杂可以调节薄膜的微观结构,使薄膜中的裂纹减少,表面更为均匀;但当掺杂过度时,薄膜太过致密,甚至出现表面颗粒团聚凸起的现象,影响了薄膜的多孔性和均匀性,阻碍了离子在薄膜中的迁移和扩散;相对于未掺杂的氧化钨薄膜,适量钽掺杂的薄膜具有更宽的光谱调制范围和更高的着色效率,亦表现出良好的循环稳定性。 相似文献
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LiNbO3晶体中Cr^3+的占位及其EPR参量的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在中间场图像中,建立了d^3(C^*3V)电子组态的能量矩阵;利用叠加模型与自旋哈密顿理论,将LiNbO3:Cr^3+的晶体结构与其EPR参量定量地联系了起来,用该理论对LiNbO3:Cr^3+晶体的EPR参量及其光谱进行了计算,结果与观测基本一致。研究表明,在LiNbO3中是Cr^3+取代了Nb^5+,而不是Li^+。 相似文献
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锂离子注入对V2O5薄膜光吸收的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
采用真空蒸发经热处理制备了V2O5薄膜,使用二电极恒流法从1M/LLiClO4的PC电解质溶液向V2O5薄膜注入锂离子,形成LixV2O5(0≤x≤0.54),测量了V2O5薄膜近垂直反射和透射光谱,计算了光吸收系数。X射线衍射分析表明薄膜为微晶结构。吸收系数与光子能量关系曲线中存在两个不同的变化区域,光子能量较高部分,(αhν)12与hν有线性关系;较低部分,吸收光谱存在一个尾巴。这两个区域的分界能量取决于电子和锂离子的注入量。研究结果表明V2O5薄膜阳极电致变色起源于吸收边缘的移动,而阴极电致变色则来源于小极化子的吸收 相似文献
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对红光上转换玻璃陶资PbF2+WO3+GeO2以及PbF2+WO3+GeF3+TmF3材料中的微晶相进行了喇曼光谱研究,获得了光谱表明PbF2+WO3+GeO2+YbF3+TmF3中的微晶是由PbF:Yb^3+、Tm^3+构成的,其中Yb^3+和Tm^3+替代部分Pb^2+的格位而形成了荷正电的局域杂质中心。这些局域杂质中心导致了PbF2+WO3+GeO2+YbF3+TmF3中局域电场的形成。除了 相似文献
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采用射频射溅射方法制备用电致变色器件的LiNbO3薄膜,利用频率外推法和Wangner极化法对所沉积的LiNbO3离子导体薄膜的离子电导率进行了测试和计算,给出了薄膜的光谱特性,分析和讨论了薄膜制备工艺对薄膜结构和离子电导率的影响和作用。 相似文献
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By the introduction of high-doping Ce3+ ions, the upconversion fluorescence of Er3+ ions was reduced, and the energy-transfer efficiency from Yb3+ to Er3+ ions was enhanced significantly in Er:Yb:Ce:NaGd(WO4)2 crystals. End pumped by a diode laser at 970 nm in a hemispherical cavity, a 2.0 W quasi-cw laser at 1.5-1.6 microm with slope efficiency of 19% and absorbed pump threshold of 2.0 W was achieved in a 1.7-mm-thick c-cut Er:Yb:Ce:NaGd(WO4)2 crystal. The results show that the Er.:Yb:Ce:NaGd(WO4)2 crystal with high-doping Ce3+ ions is a potential gain medium for a low-threshold 1.5-1.6 microm laser. 相似文献
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采用射频溅射三氧化钨粉末靶的技术,在不同的氧分压条件下沉积得到非晶态WO3电致变色薄膜,分析得知氧分压为1∶10的样品变色性能更好些.采用x射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM),伏安特性曲线和分光光度计分析所制备薄膜的特性.将薄膜在15mol/L的LiClO4的丙稀碳酸脂(PC)溶液进行电化学反应.发现氧分压在1∶10的情况下沉积得到的薄膜呈非晶态,薄膜有较多的孔隙,这有利于Li+的抽取,进而显示出很好的变色性能.x射线光电子能谱(XPS)成分分析表明WO3薄膜在原态中只有W和O两种原子电色反应后
关键词:
三氧化钨薄膜
非晶
射频溅射
电致变色 相似文献
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高压下Na5Eu(WO4)4的光谱和晶场参数 总被引:1,自引:1,他引:0
四钨酸铕钠Na5Eu(WO4)4是化学计量的基质发光材料,发光来源于基质中高浓度的Eu3+.本工作用金刚石对顶砧显微高压光谱系统,在0~8GPa范围内研究了Na5Eu(WO4)4的Eu3+室温光谱,确定了各发射谱线在高压下的红移率.根据晶场理论,确定了Eu3+各能级用晶场参数表示的公式,并与高压下谱线位置实验值定出的能级值拟合,计算出晶场参数Bkq(kq=20、40、44、60、64)随压力的变化率ΔBkq/ΔP. 相似文献
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用相共轭配置的非相干光时间延迟四波混频技术测量了甲醇中甲酚紫的皮秒布居弛豫时间T1大约为157ps.这个结果与用相干光锁模脉冲的泵浦-探测技术测得的结果符合得比较好. 相似文献
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采用磁控溅射方法在侧边抛磨的光纤光栅(D型光纤光栅)上溅射40 nm WO3-Pd复合薄膜,制作了D型光纤光栅氢气传感器.40 nm WO3-Pd复合薄膜是由5 nm的WO3、5 nm的WO3/Pd混合膜和30 nm的Pd 薄膜组成.实验中,首先采用射频溅射技术向D型光纤光栅溅射5 nm WO3薄膜,再利用共溅射技术溅射5 nm WO3/Pd混合膜,最后用直流溅射技术溅射30 nm的Pd薄膜.SEM结果显示在多次通氢气后WO3-Pd薄膜仍然具有较好的表面形貌,这说明WO3-Pd复合薄膜具有较好的机械性能.实验结果表明:该氢气传感器具有较好的重复性,同镀有同样氢气敏感膜的普通FBG相比,D型光纤光栅的灵敏度提高了200%|在氢气体积浓度为6%时,D型光纤光栅传感器的波长变化为15pm. 相似文献
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利用高温熔融法制备了Li+掺杂Tb3+激活硅酸盐闪烁玻璃。通过Li+掺杂Tb3+激活硅酸盐玻璃的紫外可见透射光谱、发射光谱和发光衰减时间谱,研究了Li+的加入对Tb3+掺杂硅酸盐玻璃发光性能的影响。结果表明:适量Li+的加入可有效增强Tb3+激活硅酸盐玻璃的发光强度,且相比于不掺杂Li+的Tb3+掺杂硅酸盐玻璃而言,当掺入质量分数为2.0%的Li+时,Tb3+在玻璃中的最佳掺杂质量分数由12.8%提高至15.3%。其原因是Li+掺杂增加了玻璃体系中非桥氧的数量,从而有利于改善Tb3+在玻璃体中的均匀性,降低Tb3+间因非辐射跃迁而引起的能量损失,以及提高Tb3+的最佳掺杂质量分数。但当掺入Li+的质量分数超过2.0%时,会对Tb3+激活硅酸盐玻璃的闪烁光强产生负面影响,这是因为过多的非桥氧阻碍了X射线激发能达到Tb3+离子的能量传递。 相似文献