量子阱混杂单片集成宽可调谐激光器与半导体光放大器

采用量子阱方法集成半导体光放大器的取样光栅可调谐激光器,这在国内尚属首次.该器件波长调谐范围可达33nm,在放大器注入50mA电流时,输出光功率可达10mW,同时边模抑制比可达35dB以上.     

量子阱混杂单片集成宽可调谐激光器与半导体光放大器(英文)

采用量子阱方法集成半导体光放大器的取样光栅可调谐激光器,这在国内尚属首次．该器件波长调谐范围可达33nm,在放大器注入50mA电流时,输出光功率可达10mW,同时边模抑制比可达35dB以上．     

单量子阱半导体激光器的调谐特性

本文根据量子理论的薛定谔方程，推导出在有限深势阱条件下载流子满足的能量本征值方程，并给出理论计算结果，为设计用于泵浦固体激光器的激光二极管提供了理论依据。     

单片集成可调谐半导体激光器研究进展

单片集成可调谐半导体激光器的使用为光纤通信系统和智能光网络带来极大的灵活性、可扩展性以及经济性.文章综述了单片集成可调谐半导体激光器的调谐机制、结构特点以及性能比较,概要介绍了最新研究进展情况,分析了相关发展趋势和市场应用前景.     

具有透明波导的量子阱半导体激光器及其光集成技术

本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的基本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄渴束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。     

基于半导体光放大器的可调谐激光器

采用半导体光放大器设计实现了可调谐频域锁模激光器,可得到调谐范围宽、稳定性高的激光输出,基于半导体光放大器的可调谐激光器可用于光纤光栅传感系统,提高系统信噪比和解调精度,增强复用能力,改善系统性能.     

量子阱半导体激光器概述

本文主要从量子理论中的电子波函数所满足的薛定锷方程出发,讨论了量子阱理论。进而介绍多量手阱激光器(MQWL)的重要特征之一——阈值电流密度随量子阱的数目变化的情况。     

量子阱半导体光放大器的增益偏振相关性研究

应用能带计算理论,研究了张应变量大小、量子阱厚度对量子阱半导体光放大器(SOA)中的增益偏振相关性的影响.采用张应变量子阱为有源区,设计了增益偏振无关的1.55 μm的SOA,它可以在较宽的载流子浓度范围、较宽的光波长范围内满足增益对偏振的不灵敏要求.另外,还采用混合应变量子阱为有源区,设计了增益偏振无关的1.31μm的SOA.     

具有透明波导的量子阱半导体激光器及其光集成技术

本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。     

低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移

提出了采用低能氦离子注入多量子阱(MQW)材料和合适的快速退火条件,实现了MQW带隙波长的蓝移.用这种材料制作了FP腔激光器,与未注入器件相比,实现了37nm的激射波长蓝移.     

低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移

提出了采用低能氦离子注入多量子阱(MQW)材料和合适的快速退火条件,实现了MQW带隙波长的蓝移.用这种材料制作了FP腔激光器,与未注入器件相比,实现了37nm的激射波长蓝移.     

用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器

采用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA,可调谐范围为4.6nm,边模抑制比(SMSR)为40dB.     

用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器

采用选择混合InGaAsP InGaAsP量子阱技术 ,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射 (DBR)激光器 .激光器的阈值电流为 51mA ,可调谐范围为 4 6nm ,边模抑制比 (SMSR)为 40dB .     

A Wavelength Tunable DBR Laser Integrated with an Electro-Absorption Modulator by a Combined Method of SAG and QWI

We report a wavelength tunable electro-absorption modulated DBR laser based on a combined method of SAG and QWI.The threshold current is 37mA and the output power at 100mA gain current is 3.5mW.When coupled to a single-mode fiber with a coupling efficiency of 15%,more than a 20dB extinction ratio is observed over the change of EAM bias from 0 to -2V.The 4.4nm continuous wavelength tuning range covers 6 channels on a 100GHz grid for WDM telecommunications.     

自启动、宽调谐的ps掺Yb双包层光纤激光器

对连续泵浦的自启动、宽调谐的ps脉冲掺Yb^3＋双包层光纤激光器进行了实验研究。采用20m单模掺Yb^3＋双包层光纤作为增益介质,利用77MHz射频信号的声光调制器（AOM）作为频移器以及体光栅构成外腔,得到了重复频率为1GHz、平均功率为56．3mW以及脉宽小于60ps的脉冲,激光器的调谐范围超过40nm。     

Monolithic Integration DFB Laser Array by Angling Active Stripe and Using Thin-Film Stripe Heater

Multi-wavelength quantum well DFB laser array has been fabricated on an InP substrate by angling the active stripe at an oblique angle to the axis of the grating lines and coating a Pt/Ti thin-film heater to change the laser temperature. Owing to the oblique angle,four sin-gle-mode lasing wavelengths around 1.55μm were obtained simultaneously. By changing the working of the thin-film heater,the DFB laser can be tuned continuously beyond a range of 2.2nm with 3. 8nm/W of tuning efficiency while maintaining a side-mode suppression ratio (SMSR) more than 30dB.     

宽带可调谐掺Yb3 光纤环形腔激光器

讨论了利用腔内偏振控制器(PC)在掺Yb^3 光纤激光器中实现连续可调谐激光输出的机理,采用976nm半导体激光器(LD)作为抽运源,高掺杂浓度掺Yb^3 光纤作为增益介质,调整腔内PC,得到连续调谐宽度达20nm(1030～1050nm)、线宽小于0．2nm的输出光脉冲,激光阈值为40mw。在输入功率为110mw、输出耦合比为90：10时,最大输出功率为6．5mw,斜率效率为10％。与其他结构光纤激光器相比,这种全光纤结构具有更高的效率和更好的稳定性,且在整个调谐宽度范围内,激光输出功率具有很好的平坦度。