电场力做功与路径无关的条件

电场力做功与路径无关的条件是带电粒子仅在静电场中运动,如果静电场是分时段的静电场或者粒子运动出静电场然后再进入静电场,电场力做功可能与路径有关.     

静电场作用下双势阱分子隧道效应的猝灭及能级裂距的非线性特性研究

讨论了在静电场作用下，双势阱分子中波函数随外加静电场定域的动态过程，以及能级裂距与外加静电场的关系.证明了静电场作用后，能级裂距既受隧道效应的影响，又受外加静电场的影响.所加静电场较小时与外场强度呈非线性关系，当外加静电场较大时，Stark效应对能级裂距的影响占了主导地位，使能级裂距随外加静电场线性地增大. 关键词： 双势阱 静电场 隧道效应 能级裂距     

基于MATLAB的静电场模拟

在静电场中引入电位和电场强度后,通过等电位线图和场强分布图可以具体的描述静电场这种抽象的物质场。传统的静电场模拟实验直观地展现出了静电场的分布从而形象地描述了静电场,由于这种方法属于类比模拟,所以存在一定的缺陷(比如不直接,不能描述立体规律等等)。随着计算机技术的发展,利用计算机技术来模拟静电场等物质场逐渐成为趋势。通过借鉴大量资料简要地介绍了如何利用计算机模拟静电场,如何利用MATLAB软件模拟静电场的问题。     

静电场描绘仪的改进

利用稳恒电流场在导体中的分布可以模拟静电场的分布．传统的静电场描绘仪存在着一系列缺陷,针对传统静电场描绘仪的不足作了部分的改进．通过实验比较,改进后的描绘仪能很好地模拟静电场．     

用于开放性实验和演示实验的静电场中的乒乓球

静电场与物质的相互作用，既表现在静电场对物质的影响，也表现在物质对静电场的影响．现在让我们用一个创造性的实验来更进一步了解静电场中的电介质极化和导体静电感应现象．     

分离圆柱面与偏心圆柱面静电场问题的镜象解

基于静电场的叠加原理和唯一性定理,用镜象法求解由两圆柱导体所组成的分离圆柱面与偏心圆柱面静电场边值问题,推导出分离圆柱面与偏心圆柱面静电场边值问题的解析解。     

三维静电场实验仪

为克服传统方法不能真实反映静电场的三维本质,综合应用了机械、电子、MCU、传感器、步进电机和计算机接口等技术研制了静电场三维实验仪,实现了静电场的三维空间坐标量和电量的测控,并用所研制的静电场三维实验仪对部分特殊电极所形成的电场进行了模拟实验研究.     

用模拟法研究静电场——静电场的等势线，电力线的描绘

用模拟法研究静电场──静电场的等势线，电力线的描绘乔卫平，陈新雷（上海交通大学２０００３０）静电场描绘是国内外理工类院校普遍开设的物理实验．通常做法是用稳恒电流场的电压模拟静电场的电势分布，而对电力线和电极的电荷密度分布基本不作讨论，或仅在电磁学理论...     

静电场描绘实验的研讨

引言 静电场描绘是国内外高等院校普遍开设的物理实验.由于直接描绘静电场存在很大困难,而稳恒电流场在导体中的分布规律--电流与电势差的分布规律和静电场中场强与电位差的分布规律可以用相同的数学关系式表达,所以通常是用稳恒电流场来模拟静电场.     

“模拟静电场”实验中描绘仪的改进

将双层式静电场描绘仪改为单层式静电场描绘仪．电极从面接触改为线接触。     

金属挡板对平行线栅有界波模拟器的影响仿真研究

利用基于有限积分法的电磁场仿真软件CST仿真和分析了金属挡板对大型平行线栅有界波模拟器内部可用测试区和外部辐射电场分布的影响。首先建立了平行线栅有界波模拟器仿真模型,并依据GJB 8848证明了其合理性;而后重点分析了金属板对模拟器内部可用测试区电场分布的影响,并通过详实的数据列出了金属板位置、厚度、高度和长度等参数的具体作用效果;然后讨论了金属板对模拟器外部辐射电场的屏蔽效果;最后结合仿真结果提出金属挡板的设置应尽可能地远离模拟器,且有效反射面积越小越好,而对厚度无特别要求。     

分布式负载平行板有界波电磁脉冲模拟器的模拟分析

将并行时域有限差分方法用于分布式负载平行板有界波电磁脉冲模拟器模拟,并给出模拟器的尺寸参数对工作空间半高处几个测试点场的影响。研究结果表明：与源在x轴向距离上越靠近的点,其电场的上升沿越小;模拟器传输线最大宽度和最大高度之比为2,且下金属板宽度与传输线最大宽度相同时,测试点场的上升沿较小,半高宽较大;随着传输线在x方向投影长度的增加,与源位置x轴向等距离的测试点场的峰值增大,场的上升沿减小,但减小的量趋于平缓。且同轴线馈电时得到的各测试点场脉冲的上升沿要比直接加平面电场源的方式更大一点,半高宽则要小一点,但两者波形相似。     

分布式负载平行板有界波电磁脉冲模拟器的模拟分析

将并行时域有限差分方法用于分布式负载平行板有界波电磁脉冲模拟器模拟,并给出模拟器的尺寸参数对工作空间半高处几个测试点场的影响。研究结果表明:与源在x轴向距离上越靠近的点,其电场的上升沿越小;模拟器传输线最大宽度和最大高度之比为2,且下金属板宽度与传输线最大宽度相同时,测试点场的上升沿较小,半高宽较大;随着传输线在x方向投影长度的增加,与源位置x轴向等距离的测试点场的峰值增大,场的上升沿减小,但减小的量趋于平缓。且同轴线馈电时得到的各测试点场脉冲的上升沿要比直接加平面电场源的方式更大一点,半高宽则要小一点,但两者波形相似。     

9.5 m高水平极化有界波电磁脉冲模拟器内场分布特性的初步实验研究

测量了9.5 m高的水平极化有界波电磁脉冲模拟器的内部场,并根据实验测量结果分析了该模拟器内场分布特性,包括一定区域内场均匀性的定量分析及模拟器内部有效测试空间的确定方法,进而对最低位置为距离地面2 m的有效测试空间进行了预估。实验结果表明：位于该模拟器双锥中心正下方且距离该中心5.5～7.5 m的测点场的峰值基本按照测点与双锥中心间距的倒数衰减,且随着测点与双锥中心间距的增大,因锥与极板不连续结构导致的波形变化在时间轴上滞后,而因地面影响导致的波形变化在时间轴上提前;在距离地面比较高的水平面上,两极板之间场的外泄方向场的衰减比双锥中轴线方向场的衰减更慢;该模拟器内部距离地面2 m的水平面上12 m×12 m的区域内所取测点的归一化场平均峰值约为0.678,归一化场平均峰值的标准偏差约为0.068 9,场的均匀性约为2.039 dB。     

行波管中静态轨迹的研究

研究了行波管中均匀聚焦磁场和周期永磁聚焦磁场对轨迹波动的影响。推导了这两种磁场下轨迹波动周期和幅值,讨论了磁场强度对轨迹的影响。解释了聚焦磁场存在小的波动的原因,并且通过计算得出小波动的周期为磁场周期的1/2,揭示了在周期永磁聚焦磁场下,电子轨迹近似等效于周期为周期永磁聚焦磁场1/2的小波动和均匀磁场形成的波动轨迹的叠加。利用电子科技大学编写的微波管模拟套装中的3维注-波互作用模块进行了静态轨迹计算,验证了理论推导。     

The SIMRI project: a versatile and interactive MRI simulator

This paper gives an overview of SIMRI, a new 3D MRI simulator based on the Bloch equation. This simulator proposes an efficient management of the T2* effect, and in a unique simulator integrates most of the simulation features that are offered in different simulators. It takes into account the main static field value and enables realistic simulations of the chemical shift artifact, including off-resonance phenomena. It also simulates the artifacts linked to the static field inhomogeneity like those induced by susceptibility variation within an object. It is implemented in the C language and the MRI sequence programming is done using high level C functions with a simple programming interface. To manage large simulations, the magnetization kernel is implemented in a parallelized way that enables simulation on PC grid architecture. Furthermore, this simulator includes a 1D interactive interface for pedagogic purpose illustrating the magnetization vector motion as well as the MRI contrasts.     

外加静电场的聚焦激光脉冲真空加速电子方案

采用五阶修正的聚焦激光光场方程模拟研究了由Singh提出的在电子和激光脉冲作用尾部阶段施加外场的加速方案,将Singh方案中采用的外加磁场改成了外加电场,并且考虑了光束的纵向电场和光束衍射效应.模拟结果显示,电子可以从加速相位阶段被外场导入下一个加速相位阶段而不进入减速相位阶段,因此电子能获得比不加外场方案更高的净能增益. 关键词： 强激光 激光加速     

Anti-Le-Chatelet behavior driven by strong natural light

We show that strong incoherent broad band light causes positive feedback in response to a static electric field in random media: electric current flows in opposite to a voltage drop direction; static polarization is induced in opposition to an applied electric field. This type of the electron motion amplifies the external action revealing anti-Le-Chatelet behavior. The applied static electric field is amplified up to the domain of optical damage of a silica glass ≈10⁷ V/cm.     

Measurement of Carrier-Envelope Phase and Field Strength of a Few-Cycle Pulse by Non-sequential Double Ionization

We propose a method to measure the carrier-envelop phase （CEP） and the intensity of a few-cycle pulse by controlling the non-sequentiai double ionization （NSDI） process. By using an additional static electric field, we can change the momentum distribution of the double-charged ions parallel to the laser polarization from an asymmetrical double-hump structure to a nearly symmetrical one. It is found that the ratio between the strength of the static electric field and that of the laser field is sensitive to the CEP but robust against the intensity fluctuation. Therefore we can determine the OEP of a few-cycle pulse precisely by measuring the static electric field. Fhrthermore, if the CEP of the few-cycle pulse is fixed at a certain value, we can also calibrate the intensity of the laser pulse by the static electric field.