非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究

实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象.采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象.实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.005 7.淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不同,体积变化率分别为－3.5%和－2.1%.实验还显示,退火态的As2S8薄膜存在折射率完全可逆现象.     

光折变法制备的As2S8条形波导的光阻断效应

实验研究了As2S8薄膜光折变现象.提出并采用紫外光激励的方法试制了As2S8条形波导,导模激励显示该波导具有良好的导波特性.在此基础上,考察了As2S8条波导的光阻断效应,实现了光-光效应的开关功能.     

非晶态As2S8薄膜波导光阻断效应切断过程研究

采用真空镀膜技术在石英基板上制备了纯As2 S8以及掺杂As2 S8平面波导,通过棱镜耦合技术观察了光阻断效应.结合S和As的外层电子构型,分析了样品内部的化学键结构,利用电子能带结构理论和杂化轨道理论,建立了光阻断效应的动力学方程,并对切断过程进行了数值分析,分析结果与实验数据十分符合,得出该模型能很好地解释光阻断效...     

光折变法制备的As2S8条形波导的光阻断效应

实验研究了As₂S₈薄膜光折变现象.提出并采用紫外光激励的方法试制了As₂S₈条形波导，导模激励显示该波导具有良好的导波特性.在此基础上，考察了As₂S₈条波导的光阻断效应，实现了光-光效应的开关功能. 关键词： 光波导技术 2S₈条形波导')" href="#">As₂S₈条形波导 光阻断效应 光激励法     

As2S8玻璃条形波导的光激励法制备技术研究

为了在As2S8薄膜中制备条形波导,实验研究了As2S8薄膜光致折射率变化和密度变化的现象,采用棱镜耦合、X线衍射和远红外反射光谱等测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象。采用可见光吸收谱测试技术,确认了经紫外光辐照的As2S8薄膜不发生黑化现象。在归纳了实验规律的基础上,提出并采用紫外光激励的方法试制了As2S8条形波导,采用自动调芯端面耦合的方法激励As2S8条形波导的导模,结果显示该波导具有良好的导波特性。     

掺杂AS2S8非晶态薄膜波导的光阻断效应

实验研究了未掺杂和低浓度掺锡和掺磷的As2S8薄膜波导的光阻断效应,提供了三种样品的光阻断响应曲线、室温退激实验数据和光谱测试数据.结果表明,掺锡样品可以明显提升毫秒级响应的快过程恢复作用,同时还具有减少残留传输损耗的效果,掺磷的效果则相反.结合实验结果给出了分析讨论.     

掺杂As2S8非晶态薄膜波导的光阻断效应

实验研究了未掺杂和低浓度掺锡和掺磷的As₂S₈薄膜波导的光阻断效应,提供了三种样品的光阻断响应曲线、室温退激实验数据和光谱测试数据. 结果表明,掺锡样品可以明显提升毫秒级响应的快过程恢复作用,同时还具有减少残留传输损耗的效果,掺磷的效果则相反. 结合实验结果给出了分析讨论. 关键词： 光波导技术 硫属化合物玻璃 光阻断效应 掺杂     

P-N半导体复合型光电极分解水的原理及应用

利用太阳光分解水制氢是解决能源短缺的重要途径．文章概述了光电极分解水的原理，P—N半导体复合型光电极的两种结构及其近期的科研成果．对开展全氧化物混合光电极的研究进行了简介和展望．     

P-N半导体复合型光电极分解水的原理及应用

利用太阳光分解水制氢是解决能源短缺的重要途径.文章概述了光电极分解水的原理,P-N半导体复合型光电极的两种结构及其近期的科研成果.对开展全氧化物混合光电极的研究进行了简介和展望.     

掺锡As2S8薄膜光折变效应及其在条波导制备中的应用研究

实验研究了Sn1As20S79非晶态半导体薄膜的光折变效应及其膜厚变化的现象,归纳了沉积态样品、退火态样品和光饱和态样品的实验规律,提出和采用紫外光激励的方法试制了Sn1As20S79条形波导,632.8 nm波长导模激励显示该波导具有良好的导波特性.     

掺锡As2S8薄膜光折变效应及其在条波导制备中的应用研究

实验研究了Sn₁As₂₀S₇₉非晶态半导体薄膜的光折变效应及其膜厚变化的现象,归纳了沉积态样品、退火态样品和光饱和态样品的实验规律,提出和采用紫外光激励的方法试制了Sn₁As₂₀S₇₉条形波导,632.8 nm波长导模激励显示该波导具有良好的导波特性. 关键词： 光波导技术 硫属化合物玻璃 光阻断效应 光折变效应     

基于掺锡As2S8条波导的全光逻辑门研究

实验研究了掺锡As2S8条波导的光阻断效应,提出一种新型的基于掺锡As2S8波导的全光逻辑门方案,并试制了掺锡As2S8条波导全光逻辑门,实验结果显示该逻辑门具有良好的波形特性,表明该材料适合做全光逻辑门,具有一定的应用潜力.     

非晶态合金薄带与膜的巨磁电阻抗效应理论及计算

通过建立具有平面近横向各向异性场的非晶态合金薄带及膜的磁畴结构模型，利用线性化Maxwell方程组及Landau-Lifshitz方程，推出了在高频交变磁场及外加面内轴向直流磁场H_ex作用下的铁磁材料的与取向相关的磁导率表达式，得到了对方位角平均的相对磁导率及阻抗的计算式，导出了磁导率与张量磁化率分量间的关系，对材料磁导率的实部及虚部随H_ex的变化进行了计算，并给出了对应的磁谱图.建立的磁导率与外磁场的理论关系可将Panina及Kraus给出的理论结果统一起来. 关键词： 非晶态合金薄带及膜 取向相关磁导率 GMI效应理论与计算 近横向各向异性场     

宽带隙半导体CdAl_2S_4电子结构、弹性和光学性质的研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,对宽带隙半导体Cd Al_2S_4的晶格结构、电学、弹性和光学性能进行了系统的研究.研究结果表明:Cd Al2S4为直接带隙的宽带隙半导体材料;是弹性稳定的具有各向异性的延展性材料;该晶体的光学性质在中能区(3.5~12.5 e V)具有较强的各向异性,其强反射峰处于紫外能量区域,因此其可用作紫外光探测或屏蔽材料.     

宽带隙半导体CdAl2S4电子结构、弹性和光学性质的研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,对宽带隙半导体CdAl2S4的晶格结构、电学、弹性和光学性能进行了系统的研究. 研究结果表明：CdAl2S4为直接带隙的宽带隙半导体材料;是弹性稳定的具有各向异性的延展性材料;该晶体的光学性质在中能区(3.5 ~12.5 eV)具有较强的各向异性,其强反射峰处于紫外能量区域,因此其可用作紫外光探测或屏蔽材料.     

Kinetics of photo‐darkening and self‐bleaching in amorphous As2S3 and As2Se3 thin films

The kinetics of photo‐darkening of amorphous As₂S₃ and a‐As₂Se₃ thin films follows a single exponential, but the magnitude and the rate of the process is higher in case of As₂S₃. The kinetics of self‐bleaching (dark relaxation) in advance photo‐darkened state follows a stretched exponential (SRE) with different stretching parameter for a‐As₂S₃ and a‐As₂Se₃. Within the J. C. Phillips approach we suppose that photo‐darkening in amorphous As₂S₃ films is, to some extent, accompanied by changes in short‐range order interactions, while photo‐darkening of amorphous As₂Se₃ is accompanied rather by changes in Coulomb interactions. The self‐bleaching process reduced the magnitude of photo‐darkening up to 45% and 60% for amorphous As₂S₃ and As₂Se₃ films, respectively. (© 2007 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)