超突变P-N结空间电荷区

本文研究单边超突变结空间电荷区,结的轻掺杂边为高斯分布。推导电势和电场分布、耗尽层宽度以及耗尽层电容。指出在一定电压范围内可用简单的分析式来表征耗尽层宽度和电容。己有的结果可当作本文的特例。由计算机数值求解主要方程,作出特性曲线族,特性及其讨论可供器件设计参考。实验结果与理论曲线符合较好,证明假设的杂质分布是合理的。     

双栅GaAsMESFET串联电阻的测量方法

本文在单栅GaAsMESFET串联电阻测量方法的基础之上,对双栅GaAsMESFET的串联电阻进行了分析,推导出双栅GaAsMESFET串联电阻的数学解析式,并给出了测量串联电阻的方法,用它对实际器件做了测量。     

OLED器件空间电荷限制电流模型的MATLAB分析计算

介绍了OLED器件空间电荷限制电流(SCLC)模型的MATLAB分析计算方法.SCLC模型可能是线性或非线性微分方程,将阳极与阴极之间的空间分割为一系列节点以后,SCLC模型可以通过有限差分方法整理为一个矩阵方程.对于线性模型,只需要调用一次MATLAB矩阵左除命令即可获得其数值解.对于非线性模型,可以通过牛顿法做矩阵迭代计算求出其数值解.介绍了确定电场函数的方法.给出了所用的MATLAB计算程序.该方法概念简单,使用方便,不需要花费较多精力编程即可以求解OLED器件的SCLC模型.     

沟道形状对无结型多栅器件性能影响探究

随着集成电路特征尺寸进入纳米尺度,摩尔定律的延续受到一定的挑战,纳米技术代的晶体管亟需全新的材料、器件结构和工艺集成技术。在器件结构方面,无结型场效应晶体管由于其近似理想的电流电压特性、优良的等比例缩小能力以及极其简单的制造工艺,受到了人们广泛的关注。通过三维数值仿真工具Synopsys Sentaurus 3DTCAD,对多栅的无结型MOS晶体管进行了数值模拟仿真。并在此基础上探究了无结型器件沟道形状对其电学特性的影响,提出了具有倒角正梯形沟道的多栅无结型晶体管结构,验证了其相较于普通无结多栅型器件更加优良的电学特性,以及栅长下降至20nm以下节点时对短沟道效应的进一步抑制作用。     

栅非对称配置的GaAsMESFET击穿电压的研究

本文分析了栅非对称配置的GaAsMESFET的栅-源击穿电压和栅-漏击穿电压,给出了二者关系的简单数学表达式,由此发现了栅-漏击穿电压与器件夹断性能的关系,从实验上证明理论分析是正确的,对器件制造有一定的指导意义.     

利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究

室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器,其有效光敏元面积扩大的问题越来越突出.本文利用激光诱导电流检测(LBIC)系统测试了平面结InGaAs(P-I-N)探测器芯片的光敏元,证实了有效光敏面扩大的存在.从实验结果看,掺杂离子的横向扩散和结区的侧向收集效应,是平面工艺形成的光伏器件光敏元面积扩大的主要因素,并利用得到的实验数据拟合求出了器件少子的扩散长度.     

利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究

室温铟镓砷（InGaAs）焦平面技术在航天工业上的应用越来越广泛，铟镓砷（InGaAs）焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小，这使得常规工艺形成的光伏探测器，其有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。本文利用激光诱导电流检测（LBIC）系统测试了平面结InGaAs（P—I-N）探测器芯片的光敏元，证实了有效光敏面扩大的存在。从实验结果看，掺杂离子的横向扩散和结区的侧向收集效应，是平面工艺形成的光伏器件光敏元面积扩大的主要因素，并利用得到的实验数据拟合求出了器件少子的扩散长度。     

利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究

室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在航天工业上的应用越来越广泛，铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小，这使得常规工艺形成的光伏探测器，其有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。本文利用激光诱导电流检测(LBIC)系统测试了平面结InGaAs(PIN)探测器芯片的光敏元，证实了有效光敏面扩大的存在。从实验结果看，掺杂离子的横向扩散和结区的侧向收集效应，是平面工艺形成的光伏器件光敏元面积扩大的主要因素，并利用得到的实验数据拟合求出了器件少子的扩散长度。     

非线性电路模拟程序中GaAsMESFET器件噪声因子的修正

利用测量得到的［Ｓ］参数和线性噪声参数Ｆｍｉｎ、Ｙｏｐｔ及Ｒｎ来获取器件的非线性本征噪声因子，修正了非线性电路模拟程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件噪声因子，并将实验结果与直接优化结果进行了比较。     

高温正向大电流下TiAl,TiptAu栅GaAsMESFET的栅退化机理 …

针对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了ＴｉＡｌ栅和ＴｉＰｔＡｕ栅ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析,确定了栅寄生并联电阻的经是导致器件的跨导ｇｍ、栅反向漏电流Ｉｓ、夹断电压Ｖｐ等特性退化,甚至导致器件烧毁失效的主要原因。     

双掺杂单结型p-n结空间电荷区静态特性理论及其实用

用一新的工艺解析模型求得双掺杂单结型p—n结空间电荷区静态特性的一般理论。基于对C—V曲线之“∫”形陡变区的定量分析,阐述了该理论在电调变容管中的实用结果,还给出器件的优化设计考虑。     

1700 V精细沟槽栅IGBT器件设计

为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、载流子存储层注入剂量、沟槽栅元胞结构等因素对精细沟槽栅IGBT器件性能参数的影响,确定了最优工艺参数,并对1 700 V精细沟槽栅IGBT芯片进行流片和封装。测试结果显示,相比普通沟槽栅IGBT模块,1 700 V精细沟槽栅IGBT模块在芯片面积减小34.2%的情况下,关断损耗降低了8.6%,导通压降仅升高5.5%,器件性价比得到了优化。     

结空间电荷区和偏压对红外光伏探测器D_λ~*的影响

本文考虑了结空间电荷区的影响,在耗尽近似下,导出了PN结红外光伏探测器I-V特性和探测率D_λ~*的解析式,并用所得结果分析了偏压、光吸收系数、少子体寿命和表面复合速度对厚基区InSb光伏探测器D_λ~*的影响。     

浮栅器件栅耦合系数修正的探讨

提取浮栅器件栅耦合率的方法一般都是针对不可忽略的沟道耦合现象进行修正.对这些方法进行了比较、分析发现,对于短沟道浮栅器件,会由于参考器件存在明显的DIBL/SIBL效应,使提取的源、漏耦合系数偏大产生了很大的误差.提出了一种对亚阈值斜率法提取浮栅器件栅耦合系数的修正方法,结合了DIBL/SIBL效应因子,基于亚阈值斜率之比来较简单地实现更精确的近似,得到的栅耦合系数与设计值吻合较好,误差在2%以内,表明此修正法是合理且精确的.     

非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性

采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜. GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释，其他电流输运机制（空间电荷限制电流）起主要作用. 分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1E4cm-3和位于EC-0.363eV的陷阱能级. 测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.     

X波段GaAsMESFET功率放大器的设计

给出了根据给定的电路拓扑结构和ＦＥＴ的Ｓ参数，借用Ｓｍｉｔｈ圆图设计思想进行放大器设计的机辅设计方法，并用该方法设计了Ｘ波段ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率放大器。实验调试结果表明运用该方法能很好地满足设计指标且简单有效。     

非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性

采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.     

非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性

采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.     

功率器件IGBT槽栅设计尺寸对直流参数影响的研究

IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先简要介绍IGBT及历代器件工艺的发展,提出了一种槽栅IGBT的工艺流程,并研究了其槽栅设计尺寸对器件主要直流参数的影响。     

背栅应力对LOCOS隔离的SOI器件背栅阈值电压的影响

LOCOS隔离的SOI器件的性能强烈依赖于其背栅特性,而背栅应力会影响到背栅的特性。常温下在SOI器件的背栅上施加大电压并持续30秒以上可以显著改变背栅的阈值电压。这种改变是稳定的和时不变的。对NMOS加正的背栅压和对PMOS加负的背栅压都可以提高其背栅阈值电压。实验结果表明沿着硅岛的边缘有一条从源到漏的寄生漏电通道,而且将栅,源,漏接地并在背栅上加大的偏压可以强烈影响漏电通道。因此我们可以得到结论,背栅应力会影响与漏电流直接相关的背栅阈值电压。