LHPG法生长单晶光纤中熔区生长界面对消除气泡的影响

采用激光加热基座法(LHPG法)生长的单晶光纤一般具有较好的表面光学质量,但单晶光纤在生长过程中常产生包裹气泡.该类气泡的存在将严重劣化光纤的性能.由于其产生原因复杂,多年来一直没有有效的消除方法.本文采用LHPG法生长Nd3+:YAG单晶光纤,深入分析了熔区生长界面对消除气泡的影响.实验结果表明,相比于其它熔区,凹形熔区稳定性能较好,是最佳的熔区形状,采用此熔区生长出的单晶光纤没有气泡,具有极好的光学品质.     

LHPG法单晶光纤生长的动力学分析

本文运用动力方法和借助于计算机，对ＬＨＰＧ法中熔区的形状、缩径比，以及生长时单晶光纤的直径变化和了分析。得到稳定生长时熔区的形状、合适的缩径比，以及单晶光纤直径变化的各种情况。     

液相外延法制备LiNbO3薄膜的研究和进展

讨论了液相外延法制备LiNbO3薄膜过程中,衬底和助熔剂的选择对LiNbO3薄膜制备的影响及掺杂改性问题,简要地介绍了LiNbO3薄膜的一些性能及光学应用.研究表明,目前可用液相外延法在LiTaO3、掺镁(5mol;)的同成分LiNbO3及纯的同成分或近化学计量比LiNbO3单晶衬底上制备出具有较高光学质量的LiNbO3薄膜.讨论了液相外延法制备LiNbO3薄膜过程中存在的主要问题、发展前景及今后的研究方向.     

LiNbO3晶体的坩埚下降法生长

通过选择合适的原料配比(Li2O 48.6mol;,Nb2O5 51.4mol;),控制固液界面处的温度梯度为20～40℃/cm,晶体生长速度为0.6～1.5mm/h,采用密闭条件下的坩埚下降法工艺成功地生长出了具有良好光学均匀性的完整LiNbO3单晶.用X射线粉末衍射表征获得的LiNbO3晶相,讨论了若干工艺条件对晶体组分与质量的影响.测定了未密闭条件下生长的LiNbO3晶体不同部位样品的紫外可见光谱,发现其吸收边沿生长方向发生红移,并讨论了产生此现象的原因.     

Zn：LiNbO3晶体的生长及其抗光损伤能力增强的研究

ＬｉＮｂＯ３中掺入ＺｎＯ，用提拉法生长Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的红外透射光谱，抗光损伤能力，光电导和倍频性能。研究和探讨了高掺锌铌酸锂晶体抗光损伤增强的机理。     

Ce：Fe：LiNbO3晶体的生长与其四波混频效应的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯｅ晶体的生长，采用简并四波混频光路测试晶体相位共轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应，在６３２．８ｎｍ和４８８．０ｎｍ波长的非简并四波混频中，获得了变频相位共轭光，具有温度增强效应。     

信息时代的铌酸锂晶体:进展与展望

铌酸锂晶体具有非线性效应、电光效应、声光效应、光折变效应、压电效应与热释电效应等多种物理特性,在表面声波器件、光电器件、声光器件等方面获得广泛的应用.经历了六十多年的发展,铌酸锂晶体历久弥新,随着材料特性的不断开发,新功能、新器件、新应用层出不穷,尤其是铌酸锂单晶薄膜在薄膜滤波器、集成光电器件等领域的性能具有明显优势,...     

Mg：Fe：LiNbO3晶体全息存储性能的研究

在ＬｉＮｂＯ３中同时掺入ＭｇＯ和Ｆｅ２Ｏ３，生长了Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体。该晶体的衍射效率达到８０％，且抗光致散射能力强，响应速度较快。以Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为全息关联存储的记录介质，记录图象清晰，噪声小，恢复图象信息完整。     

Mg：LiNbO3及Nd：Mg;LiNbO3晶体畴结构与单畴化研究

本文对Ｍｇ；ＬｉＮｂＯ３及Ｎｄ：Ｍｇ：ＬｉＮｂＯ３晶体的畴结构与单畴化条件进行了系统的研究；报道了主要晶面的畴结构特征；确定了合适的极化温度和电流密度。