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弱Galois扩张与反Smash积 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对(H,K)-余模代数A,讨论了弱Galois扩张A/C,证明了k的每个自由二次扩张是弱Galois扩张.并利用反Smash积#op(K,A)与K-余不变子代数C之间的Morita联系讨论A的投射性、Galois扩张及其传递性. 相似文献
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本文研究了弱模代数上的弱Galois扩张问题,利用不变子函子与积分方法,获得了弱Galois扩张的一个充分必要条件,推广了Cohen,Fishman和Montgomery的对应结果. 相似文献
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设K/F_q是整体函数域,l是与q互素的素数,ξ_1是K的固定代数闭包中的本原l次单位根.对于a,b∈K~*-(K~*)~l,本文主要讨论了根式扩域K(a~(1/2))与K(a~(1/l),(b~(1/l))的性质,利用Kummer理论给出了K(a~(1/l))/K与K(a~(1/l),b~(1/l))/K不是几何扩张的充要条件.当a,b是l-无关时,对于K的素除子P及对应的离散赋值环θ_P,利用这两类扩张的性质,通过分析a,b生成循环群(θ_P/P)~*的充要条件,本文明确给出了满足使得a,b生成循环群(θ_P/P)~*的全体素除子集合M_(a,b)的Dirichlet密度公式. 相似文献
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称左R-模M是ecg-扩张模,如果M的任意基本可数生成子模是M的直和因子的基本子模.在研究了ecg-扩张模的基本性质的基础上,本文证明了对于非奇异环R,所有左R-模是ecg-扩张模当且仅当所有左R-模是扩张模.同时我们还用ecg-拟连续模刻画了Noether环和Artin半单环. 相似文献
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研究具有内射基座的环的性质,引入了IS-模与IS-环的概念.证明了环R的优扩张S是IS-环当且仅当R是IS-环. 相似文献
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环的Excellent扩张 总被引:12,自引:2,他引:10
设S是R的Excellent扩张.本文讨论了R的性质对S的影响及S的性质对R的影响,并利用所得结果改进和推广了一些已知的结论. 相似文献