GaAs1-xPx:N束缚激子的压力行为

本文研究了77K温度下GaAs_0.15P_0.85:N样品的静压光致发光。在P>10kbar时,可清楚地观察到NN₁的发光。同时,观察到压力下N_x带发光猝灭及谱带窄化现象。结果表明,压力效应明显地加强了N_x→NN₁的热助能量转移过程。对N_x能级和NN₁能级的压力行为进行了分析和拟合计算,得到相应能级的压力系数及波函数中各能谷的有关参数。 关键词：     

流体静压下AlAs合金化的GaAs中Cr~(2+)(3d~4)杂质态的理论研究

本文将一个自旋极化的紧束缚格林函数方法发展到用于流体静压和合金下GaAs:Cr~(2+)(3d~4)杂质态的研究。文中给出了GaAs:Cr~(2+)系统~5E激发态和~5T_2基态受主能级随压力和AlAs合金成份的变化趋势。理论证明了在一定的压力和Al成份下,~5E激发态将从导带底进入带隙,原在通常条件下观察不到的~5E→~5T_2发光就能被观察到。理论预言与实验结果符合得很好。理论还预言:当GaAs与GaP合金的时候,类似的发光过程也能在一定的合金成份下观察到,这一预言有待于实验证实。     

利用激光感生荧光直接显示原子能级超精细结构的新方法

本文详细讨论了一种在空间直接显示原子的超精细结构的方法,并观察到Na原子3~2P_(1/2)态的两个超精细能级结构。发散的片状原子束和发散的片状激光束在空间相互作用,当多普勒频移等于原子跃迁频率和激光器频率之差时,原子被激发并在空间发光。计算和实验都已证实发光轨迹是一圆弧。荧光带的数目表明起精细能级的数目,根据空间位置可定出能级间隔,荧光带的宽度反映原子束的速度分布,实验研究了钠原子的3~2S_(1/2)—3~2P_(1/2)的荧光轨迹,照片显示了两个清楚分开的荧光带,带的间距和计算结果相符。     

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究

报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs系统中观察到了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未占据的第二电子子带之间的近共振散射作用所致。     

Si离子注入对分子束外延Si1-xGex/Si量子阱发光特性的影响

对分子束外延生长带边激子发光的Si_1-xGe_x/Si量子阱结构，通过Si离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变.Si离子注入量子阱中并在600℃的低温退火，形成链状或小板式的团簇缺陷，它导致深能级发光带的形成，在850℃的高温退火后重新观测到带边激子发光.这种团簇缺陷的热离化能约为0.1eV，比Si中空穴或填隙原子缺陷的热激活能(约0.05eV)高.这表明早期文献中报道的深能级发光带是由类似的团簇缺陷产生的. 关键词：     

Ce~(3 )激活的BaO-SrO-SiO_2体系中的晶态和玻璃态的光致发光

Ce~(3 )激活的固体发光现象在文献中已有记载。Ce~(3 )离子在4f能级有一个电子,它在激发下跃迁到5d能级。晶场强烈地影响着这没有屏蔽的激发能级,这些影响反映在激发光谱和发射光谱中。由此引起的发光以几个     

Hg_(1-x)Cd_xTe n~+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究

在流体静压力(0—2GPa)下,对Hg_(1-x)Cd_xTe n~+-p光电二极管(x=0.5)室温电学特性进行了实验和理论研究。通过考虑深能级压力效应及其对深能级辅助隧道电流的影响,较好地解释了实验上观察到的p-n结伏安特性在小偏压范围下呈现的“反常”压力关系。由对实验数据的理论拟合得到两个深能级:D_l(=E_v+0.75E_g)和D_l(=E_v+0.5E_g),以及相应的电子寿命和空穴寿命,并得到了未掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe中深能级的压力系数。     

Ⅳ族元素与Ⅲ-Ⅴ族化合物中浅受主的能谱

研究纯净半导体的边缘发光光谱能提供有关浅杂质能级的详细资料,以补充和完善从红外杂质吸收测量得到的资料。研究自由电子到受主的跃迁和施主受主对谱带可以得到浅受主离化能的精确数值。研究束缚激子发光中的“双空穴”(two-hole)跃迁可得到受主激发态的精确能级。     

高压下的发光

当固体受到压力(静压或轴向压力)时,原子间距发生变化,原子之间相互作用力也产生变化,因而引起固体能带及各种杂质态的变化,相应的光学、电学性质都将变化。研究压力下光电性质的变化将给我们提供能带结构及杂质能级的重要情报。压力作为研究能带结构,尤其是导带底结构的重要方法是人们所熟悉的。而近年来,压力更广泛地应用到杂质态的研究,特别是各类发光中心的研究上。压力的研究能够提供发光中心及发光机制的有关情报。可以说,压力是研究能带结构及发光中心的有力工具。     

KBr:(Ag~-)_2发光的磁场效应

通过测量偏振度和发光衰减时间的磁场效应,研究了KBr中Ag~-离子对的弛豫激发态(RES),产生发光的RES是~3∑_u~+,并进一步在D_2h晶场中劈裂成三个支能级B_(2u)B_(3u)和,A_u。KBr∶(Ag~-)_2中这些支能级之间的能量间隔,由偏振度和发光的衰减时间的温度关系估计为0.13meV和0.52meV。 采用-N_2莱塞在(Ag~-)_2中心的X_1吸收带激发磷光体。观察发光是在激光的前进     

非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心

用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜,测量它们的光致发光(PL)光谱,观察到两个发光峰,峰值能量分别为3.18(紫外峰,UV)和2.38eV(绿峰).样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化,同时比较了用FP-LMT方法计算的ZnO中几种本征缺陷的能级位置.根据实验和能级计算的结果,推测出ZnO薄膜中的紫外峰与ZnO带边激子跃迁有关,而绿色发光主要来源于导带底到氧错位缺陷(O_Zn)能级的跃迁,而不是通常认为的氧空 关键词： ZnO薄膜 热处理 光致发光光谱 缺陷能级     

氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性

用电化学腐蚀法制备了多孔硅(PS),在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理,并进行了光致发光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在420—450℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带(3．24eV,382nm),其发光机理有待于进一步研究。     

Sr_2MgSi_2O_7中本征缺陷和镧系离子的热力学稳定性和转变能级（英文）

利用基于标准PBE0泛函的杂化密度泛函理论计算了Sr_2MgSi_2O_7中本征缺陷、缺陷复合对及镧系离子的缺陷形成能、热力学转变能级以及光跃迁能级,以研究它们在Sr_2MgSi_2O_7∶Eu~(2+),Dy~(3+)的热致发光和长余辉发光过程中所起的作用。PBE0计算的形成能结果表明,缺陷V_O、Sr_(Mg)、Mg_(Sr)和Sr_(Mg)-Mg_(Sr)较容易在还原气氛下制备的Sr_2MgSi_2O_7材料中生成。基于PBE0计算的基质带隙(7.18 eV)和缺陷形成能,获得了上述较易形成的缺陷与复合对以及镧系离子的热力学转变能级和光跃迁能级。根据理论计算结果与实验所确定的陷阱深度的直接对比,电中性及带一个负电荷的氧空位与Dy~(3+)离子可以作为该材料中的电子陷阱,从而有助于其热致发光和长余辉发光。本研究的目的是利用第一性原理研究方法深入理解Sr_2MgSi_2O_7∶Eu~(2+),Dy~(3+)的热致发光和长余辉发光机理,从而作为实验研究手段的一种有效补充。     

Hg1-xCdxTe n+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究

在流体静压力(0—2GPa)下,对Hg_1-xCd_xTe n⁺-p光电二极管(x=0.5)室温电学特性进行了实验和理论研究。通过考虑深能级压力效应及其对深能级辅助隧道电流的影响,较好地解释了实验上观察到的p-n结伏安特性在小偏压范围下呈现的“反常”压力关系。由对实验数据的理论拟合得到两个深能级:D₁(=E_v+0.75E_g)和D₂(=E_v关键词：     

利用离子激发发光研究低温条件下ZnO发光行为EI北大核心CSCD

离子激发发光(Ions beam induced luminescence,IBIL)可以实时原位分析不同温度、不同离子辐照条件下材料内部点缺陷的演变行为。本文利用2 MeV H^(+)研究了300,200,100 K温度下ZnO单晶内部点缺陷发光及其随注量的演变行为。实验中发现ZnO深能级发射和近带边发射,结合Voigt分峰与XPS实验结果,确定红光(1.75 eV)与V_(Zn)相关,橙红光(1.95 eV)来自Zn_(i)到O_(i)跃迁;对于与V_(O)相关的绿光(2.10 eV),其红移可能由于温度降低导致更多电子由导带释放到Zn_(i)。峰中心位于3.10 eV和3.20 eV近带边发射分别来自于Zn_(i)到价带的跃迁和激子复合,红移原因分别为Zn_(i)附近局域化能级和带隙收缩。利用单指数公式对发光强度进行拟合,获得的衰减速率常数(f)可以表征缺陷的辐射硬度,对比发现深能级发射峰在200 K时辐射硬度最大,而近带边发射峰在300 K时辐射硬度最大。     

老化产生的深能级对GaP纯绿发光二极管发光效率的影响

测量了GaP纯绿发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱,研究了老化产生的深能级的来源及其对二极管发光效率的影响.在老化后的发光光谱中观测到650nm和1260nm发光带,发现1260nm发光带的发光强度随老化时间的增加而增强.实验结果表明老化产生的与磷相关的深能级严重地影响了GaP纯绿LED的发光效率.     

127 I核的新能级纲图（英文）

利用1 2 4 Sn( 7Li,4n) 1 2 7I反应研究了1 2 7I核的在束γ谱 ,建立了包括 2 5个新能级和 52条新γ射线构成的新能级纲图 .将基于πh1 1 2 粒子态 ( 1 1 2 - )的负宇称能级推高到 ( 3 5 2 - ) ,在较重的1 2 7I核中得到了退耦合能级结构 .由于在两个正宇称带ΔI=2能级系列中观测到了强的带间跃迁 ,建议此带的主要成分为g7 2质子的组态 .另外还观测到了两个正宇称ΔI=2和ΔI=1能级系列 ,它们可能基于πd5 2 的单准粒子带和一个 3准粒子带 .     

TiO2∶Mo体系的光子雪崩上转换

在 978nm激光二极管的激发下 ,Mo掺杂的TiO2 材料表现出很强的宽带上转换发光 ,该发光来源于 [MoO4]2 - 基团的激发态3T1 ,3T2 能级到基态1 A1 能级的电子跃迁 .通过研究发光强度与抽运功率的关系及上转换发光的上升时间曲线 ,发现TiO2 ∶Mo体系的上转换发光中存在着雪崩机制 ,应用转换函数理论分析了光子雪崩的产生条件和主要特征 ,理论结果和实验数据很好地符合     

通过Pr^(3+)掺杂SrZnOS实现应力发光颜色调控及其应力发光机理EI北大核心CSCD

采用高温固相法成功制备出新型Sr_(1-2x)Pr_(x)Li_(x)ZnOS应力发光材料。通过XRD、扫描电镜、漫反射、光致发光、荧光衰减、应力发光和热释光等测试详细研究了晶体结构、形貌、光致和力致发光性能及其发光机理。在298 nm激发下,Sr_(1-2x)Pr_(x)Li_(x)ZnOS的发光位于522 nm和674 nm,分别来自于Pr^(3+)离子从激发态^(3)P_(0)到^(3)H_(5)、^(3)F_(2)的跃迁。随着Pr^(3+)浓度增加,发光强度先增加后减小,在x=0.015时发光最强,且衰减时间从17.79μs减短到5.93μs。在载荷为5000 N激发下可以获得Pr^(3+)离子的522 nm和674 nm的应力发光发射带。位于522 nm和674 nm的两个发射带的相对强度I_(G)/I_(R)随着掺杂浓度的增加呈线性减小,且在色坐标图(CIE)和实物应力发光照片中均能观测到应力发光的颜色从黄绿光到橙黄光的转变。该材料的研究将为应力发光领域提供调控颜色的新思路,在压力显示成像和应力传感领域具有潜在的应用价值。     

MOCVD法生长Ca_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系

测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度的变化关系,并初步分析其来源.