机械-电子复合直流功率开关

介绍了一种由场效应晶体管和交流继电器作为主电流控制器件的直流开关，阐述了其工作原理、设计方法及为提高可靠性，降低MOSFET应力所采取的措施，所设计的开关用于某重点工程。     

C波段固态功放设计和实验研究

结合新近研制的两种功率放大器，介绍了C波段中功率固态功放的设计理论和方法，并用微波仿真软件对其偏置电路和功分／合成电路进行优化仿真，给出了仿真结果和电路版图。通过制作并测试两种放大器，验证了该设计方法的可行性。同时，给出了功放的实物照片和测试数据，该功放适用于C波段5．3～5．9GHz频段，功率量级分别为30W、50W，既可以连续波应用也可以脉冲工作，既可作为独立的放大器也可作为雷达功放组件的基本放大单元。     

一个快速高压固态开关的设计及实现

大多数固态功率开关中，开关速度会随着电源的增加而降低。基于这种原因，有很多方法在高功率下可获得合适速度。其方法之一是中压和额定电流大功率开关串联或并联的开关结构。这篇文章研究了不同型号的快速固态功率开关并选择IGBT作为开关单元。为了模拟，设计了IGBT的微观工作模型。最后，采用了8个IGBT串联的原型固态开关结构并且在7KV和600A下测试，其开通时间少于150纳秒。     

宽带GaAs MESFET开关模型

提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 ,器件测试值与模型模拟值吻合较好     

多栅GaAs MESFET开关

论述多栅开关的结构和特点。开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损 ,多栅开关由于其特殊的结构 ,很好地解决了这一问题。采用多栅结构 ,设计的移动通讯用 DPDT开关在 DC-2 GHz:IL<0 .75 d B,ISO>1 3 d B,VSWR<1 .5 ,P- 1 >1 0 W。开关芯片面积小、成品率高、封装成本低 ,适宜批量生产 ,并已在手机上试装成功。     

固态微波器件与电路的新进展

描述了固态微波器件与电路五个发展阶段,并重点就当前发展的InP HEMT、窄禁带材料HEMT和HBT、宽禁带材料MESFET和HEMT、RF CMOS、InP HBT、SiGe HBT、RF MEMS等七个领域的发展特点、2006年最新进展,以及未来发展趋势进行了介绍.并就我国发展固态微波器件与电路提出发展建议.     

GaAs MESFET微波固态振荡器的设计与实现

通过理论计算与CAD的优化仿真实现了一种基于GaAs MESFET微波固态振荡器.电路结构简单、工程实用性强,且易于集成化.由实际测试表明,振荡器的中心频率为4.54 GHz,输出功率为14.95dBm,在200kHz下的相位噪声为-124.26 dBc/Hz.     

大跨导n型Si／SiGe调制掺杂场效应晶体管

报道了第一支0．25um栅长n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管的制作和器件特性结果，器件用于超高真空／化学汽相淀积（UHV／CVD）制作的器件，在300K（77K）下，应变Si沟道的迁移率和电子薄层载流子的深度为1500（9500）cm2/V.s和2．5×10^12(1.5*10^10)cm^-2，器件电流和跨导分别为325mA/mm和600mS/mm，这些值远优于Si MESFET，它们可与所获得的GaAs/Al-GaAs调制掺杂晶体管的结果相媲美。     

高频地波雷达固态功放模块的优化设计

根据某高频地波雷迭对功放模块的要求,研究地波雷达全固态发射机功放模块的优化设计方法;讨论未级功放电路及其匹配设计中的有关问题;分析该功教模块的散热模型,最后给出了测试结果。结果表明,该发射机在6MHz至8MHz范围内输出功率达600W,满足了该雷达的使用。     

一种新型窄脉冲调制器的设计

介绍一种新型的雷达脉冲调制器,这种调制器与传统的刚性和软性调制器不同,具有多种特点。     

小型化高压固态脉冲调制器

针对高峰值功率发射机调制器的技术要求,介绍了常用的线型调制器和固态刚管调制器电路拓扑,讨论了不同调制器的特点和适用场合。介绍了小型化高压固态脉冲调制器的电路拓扑,分析了影响调制器性能的主要因素。该调制器基于单个大功率绝缘栅双极型晶体管模块和初级采用多组导线并联绕制的脉冲变压器,并采用能量回馈电路来箝位脉冲变压器的反峰电压。文中给出了调制器的输出脉冲波形,并指出了该调制器的适用场合。     

固态发射机中双工控制板的设计

固态发射机中发射前级一般采用双工模式。为实现发射前级的双路切换和可靠工作,需由一块双工控制板进行控制。文中介绍了双工控制板输入模块、内部逻辑模块和输出模块的设计。在实际应用中,该双工控制板很好地实现了发射前级的双工控制、驻波保护和过脉宽、过工作比保护。     

雷达发射机浮动板调制器与故障检测电路的设计

提出了一种改进的浮动板调制器和对正负偏电压的故障检测电路,利用MOSFET寄生电容特性,通过固定脉宽窄脉冲控制调制脉宽,通过增加负偏MOSFET提高输出负偏电压。对故障检测电路进行仿真实验,通过模拟故障,验证故障检测报警信号发生时间均在微秒级别。完成样机的搭建,利用多重方式解决高压绝缘问题,并对其加电进行试验验证,分析实验波形,证明此电路满足设计要求并且具有可行性。     

固态组件合成器的优化设计

对固态组件合成器进行了分析，指出了合成器输入端传输的长度对组件的性能有着重要的影响，对其进行优化设计可以提高组件的可靠性和减少器件的损坏，提高冗余能力。文中给出了分析数据和优化结果。     

固态调制器应用实践

简述固态调制器的组成原理和设计难点，以20kV／50A的固态调制器为例，给出了该调制器的实验数据。结合具体项目，详细论述了该调制器用于多注速调管发射机的试验结果以及该系统的测试波形，肯定了固态调制器在工程上的应用价值。     

S波段高功率固态发射机

介绍了一种Ｓ波段高功率固态发射机。采用２４个千瓦量级的末级功放组件进行功率合成．获得１８ｋＷ以上的峰值功率,其脉冲宽度为１００μｓ,最大占空比可达１０％,瞬时带宽３００ＭＨｚ。     

一种C波段1 kW连续波固态发射机的设计

采用GaAs FET级联放大、功率合成技术设计了工作在C波段、增益50 dB、输出连续波1 kW固态发射机,介绍了设计方法。对组成该发射机的前级和末级功放组件作了详细分析。对于在大功率、连续波工作状态下微带电路的功率容量和介质载体的温升作了评估计算,给出了一种计算微带传输线功率容量和温升的方法。提出了一种结构简单、高效率的双模耦合波导功率合成网络,网络本身的合成效率大于95%。说明了发射机的控制与保护系统所具备的功能和技术要求。     

一种Ku波段固态发射机的设计

介绍一种Ku波段固态发射机的设计,本发射机是脉冲工作,采用了功率合成,输出脉冲功率45w,工作比为20％.