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相似文献
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1.
分析了在多芯片叠装封装产品中采用晶圆级芯片贴装薄膜对传统芯片制备以及后续封装工艺所产生的巨大影响。阐述了在晶圆级芯片贴装薄膜贴覆工艺,芯片制备以及后序工艺中所遇到的巨大挑战。  相似文献   

2.
<正>在半导体制程领域提供雷射技术已经超过2 0年的GSILumonics公司,前不久在上海举行了"先进晶圆级芯片打标技术研讨会",向业界展示了从晶圆刻印到链接处理、晶粒刻印、混合信号电路修整、以及其他一系列最新技术和产品。 研讨会上GSI Lumonics公司除向与会者介绍了高端的集成电路封装趋势和以激光技术为基础的晶圆级芯片打标系统外,还详细叙述了为什么晶圆级芯片打标技术能使  相似文献   

3.
本文主要介绍了一种新型的 CSP 高级封装——晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)及其特点,并简述了 CSP 封装的主要特点及发展前景。  相似文献   

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5.
300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势   总被引:5,自引:0,他引:5  
翁寿松 《半导体技术》2004,29(1):27-29,55
采取300mm晶圆是半导体生产发展的必然规律.300mm晶圆与90nm工艺是互动的.90nm新工艺主要包括193nm光刻技术、铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等.本文着重讨论300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势.  相似文献   

6.
《集成电路应用》2004,(7):24-24
随着大陆半导体产业链的快速发展,在全国4大经济圈中长三角地区已经成为大陆集成电路产业的发展核心区域,根据2003年统计数据显示,长江三角洲占全国IC产业产值比重的64.2%,而上海地区亦占据全国比重38.6%,产业聚集效益明显。  相似文献   

7.
为了应对半导体芯片高密度、高性能与小体积、小尺寸之间日益严峻的挑战,3D芯片封装技术应运而生.从工艺和装备两个角度诠释了3D封装技术;介绍了国内外3D封装技术的研究现状和国内市场对3D高端封装制造设备植球机的需求.介绍了晶圆植球这一3D封装技术的工艺路线和关键技术,以及研制的这一装备的技术创新点.以晶圆植球机X-Y-θ植球平台为例,分析了选型的技术参数.封装技术的研究和植球机的研发,为我国高端芯片封装制造业的同行提供了从技术理论到实践应用的参考.  相似文献   

8.
《集成电路应用》2004,(9):39-39
尽管晶网双雄台积电与联电未来营收及获利增长表现仍然可以值得期待,不过,面对2004年第二季以来,包括PC、DVD播放机、数码相机、液晶电视及手机等主力3C产品陆续出现销售未如预期以及库存大幅提高的情形,迫使国际IDM大厂与IC设计公司在晶圆厂投片量出现越来越保守的现象。  相似文献   

9.
开发新产品时,经常要估算晶圆上有效芯片数,以往大多靠经验公式估计,它们通常有较大的误差,本文提出了精确计算晶圆上有效芯片数的新算法——椭圆公式,它特别适合于大规格晶圆,高成品率的生产线上应用。  相似文献   

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<正>虽然绘图芯片、网通及手机芯片等市场已进入库存修正阶段,除了65/55nm以下先进制程产能仍短缺,40nm及28nm产能更是供不应求,晶圆双雄台积电及联电仍然扩产不停歇。设备业者表  相似文献   

11.
尽管全球经济面临不景气的局面,但在刚结束的2008财年,Intersil取得了7.7亿美元营业额,同比增长2%。但Intersil集团市场总监AdamLatham却表示:”对Intersil公司来说,营收增长超过竞争已不稀奇,比营业额的增长更重要的,应该是我们在过去的一年采取了大胆的行动,先后收购了D2Audio、  相似文献   

12.
《集成电路应用》2006,(11):48-48,50,51
在晶圆背面涂覆工艺中采用芯片粘结剂作为浆料,将其涂覆到晶圆背面之后再烘干。其优点是同干膜方法相比成本降低20-30%。可以控制键合层厚度并且得到更高的单位时间产量。  相似文献   

13.
《中国电子商情》2005,(8):68-69
参加Semicon West trade大会的高管表示.经历痛苦的下滑后.主要的芯片封装供应商开始发现产能吃紧,这推动了后端设备需求增长。  相似文献   

14.
市场研究公司Gartner日前提高了2009年全球芯片行业销售收入的预计,主要原因是今年第二季度全球PC、液晶电视、手机和其它设备需求的增长超过了原来的预计。Gartner现在预测2009年全球芯片行业的销售收入将达到2120亿美元,比2008年的2550亿美元减少17.1%。Gartner原来预测2009年芯片行业的销售收入将比2008年减少22.4%。  相似文献   

15.
参加Semicon Westtrade大会的高管表示,经历痛苦的下滑后,主要的芯片封装供应商开始发现产能吃紧,这推动了后端设备需求增长。  相似文献   

16.
针对外围分布着硅通孔的晶圆级芯片封装结构,利用有限元分析软件ANSYS建立全局模型与次模型,在温度循环试验规范条件下将封装体与硅通孔结构分开进行仿真与探讨。了解模型受到温度载荷所产生的热力学行为。研究发现封装体在经历温度循环试验后所产生的位移呈现圆形对称分布,结构在高温时向外翘曲,在低温时向内弯曲;重布线层在与锡球交界处会产生明显的应力集中。硅通孔结构中铜垫片越接近开孔所受应力越大;硅通孔结构的重布线层部分,应力集中在转角处以及靠近钝化保护层交界处。  相似文献   

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概述了美国国家半导体的晶圆级芯片规模封装技术——也就是微型表面贴装元器件(Mi-croSMD)。采用8I/O数、凸点节距为0.5mm封装论证此新型封装技术,该技术满足于低管脚数模拟和无线元器件。较高管脚数(多达48)产品扩展在各种范围的限定条件之内。论述了封装结构、工艺流程及封装可靠性,并阐述了板级组装工艺过程和互连可靠性。  相似文献   

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19.
《集成电路应用》2005,(10):24-25
根据EE Times报导,Advanced Silicon Materials LLC(ASiMi)宣布该公司即将结束polysilicon(polycrystalline)材料的销售,这种材料被使用在硅晶圆的生产上;该公司此项决定将会进一步使缺货的情况更形恶化。ASiMi此举将会减少全球polysilicon的供应达5%,也将因而冲击到全球晶圆的价位,分析家认为可能使明年的售价上扬5%至10%。  相似文献   

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