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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 365 毫秒
1.
使用Ge(Li)γ,射线能谱法以及放射化学法测定了14.7MeV中子诱发~(232)Th裂变中从~(77g)Ge到~(151)pm共57个裂变产物的产额.从中得到44个质量数的链产额及质量分布曲线,其中12个链产额尚未见文献公开发表.在质量数134处存在精细结构.质量分布的峰谷比为3.6,轻峰和重峰平均质量分别为91.3和138.1.质量分布对称区存在明显的第三小峰,其裂变产额占总产额的14.0%.  相似文献   

2.
作者应用电子计算机进行γ能谱定量解析方法的研究,已有近20年的历史。全面介绍无此必要。本文只简单地叙述近些年来应用计算机解谱的研究工作。主要是Ge(Li)γ谱峰自动分析方法的研究。  相似文献   

3.
本文研究了样品的体积(量)恒定和样品体积(最)可变两种情况下,环境样品的Ge(Li)γ谱和反康普顿Ge(Li)γ谱的分析方法。  相似文献   

4.
使用Ge(Li)γ射线能谱法以及放射化学法测定了14.7MeV中子诱发232Th裂变中从77gGe到151Pm共57个裂变生物的产额.从中得到44个质量数的链产额及质量分布曲线,其中12个链产额尚未见文献公开发表.在质量数134处存在精细结构.质量分布的峰谷比为3.6,轻峰和重峰平均质量分别为91.3和138.1.质量分布对称区存在明显的第三小峰,其裂变产额占总产额的14.0%.  相似文献   

5.
本文介绍了720MeV ~(12)C轰击~(232)Th裂变反应发射的质子和α粒子的三重微分截面.实验结果证实p和α的发射先于裂变过程,p和α能谱的低能成分来源于类靶余核的准热蒸发.本文用运动源模型拟合了p和α能谱.用聚合模型很好地重现了α能谱。  相似文献   

6.
半导体探测器是六十年代发展起来的一种新型探测器.随着硅、锗单晶性能的提高,硅(锂)[Si(Li )]、锗(锂)[Ge(Li)]及高纯锗[HPGe]探测器的制备工艺日趋完善.与此同时,随着电于学线路的改进,Si(Li),Ge(Li),HPGe探测器及低噪声电子学线路和低温装置所组成的X,γ射线谱仪性能得到迅速提高。逐渐发展成高热率、高能量分辨率的X,γ谱仪,这就使应用γ射线核能谱学增添了新的实验数据,同时使微量及痕量元素分析技术达到了新的水平. 半导体探测器一般又称固体探测器[1],它实质上是由一块半导体材料所组成的电离室.对核谱仪用的探测器的基本要求…  相似文献   

7.
结合我们的经验,叙述用半导体γ谱仪测量燃耗的方法.准备了测量仪器,考验了它们的性能.用平面Ge(Li)γ能谱仪,测量了在热中子反应堆中照射八个月出现烧熔现象的铀棒的燃耗纵向分布.燃耗值是按 Cs137 662 kevγ,射线.Ce144134 kevγ射线和 Zr95 724 kevγ射线的强度测定的.在燃料元件出现空腔处,裂变产物存在着明显的迁移.  相似文献   

8.
加速器中子活化实验是核专业本科实验教学中的重要实验之一.本文在利用14 MeV快中子辐照238U诱发裂变截面实验过程中引导学生挖掘实验数据,测量了裂变核素(89Rb)的重要核参数—半衰期.本工作运用低本底HPGe-γ谱仪测定裂变产物的一系列γ射线能谱,解谱得到89Rb的特征γ峰计数,从而确定89Rb的半衰期.数据分析中应用89Rb核素两条γ射线分别独立得到89 Rb的半衰期为15.30±0.09 min和15.25±0.07 min.测量结果在与文献数据符合较好的基础上,提高了测量精度.  相似文献   

9.
本文将代数方法(AM;Sun et al,J.Mol.Spectrosc.2002,215:93)和Rydberg-Klein-Rees(RKR)方法相结合,获得了基态6Li H和7Li D同位素分子的高振动激发态能谱和Rydberg-RKR势能.所得势能产生的振动能谱同实验数据及AM结果均很好相符.这套方法可以用来有效研究分子内长程相互作用势.  相似文献   

10.
本文介绍了720MeV 12C轰击232Th裂变反应发射的质子和α粒子的三重微分截面. 实验结果证实p和α的发射先于裂变过程, p和α能谱的低能成分来源于类靶余核的准热蒸发. 本文用运动源模型拟合了p和α能谱. 用聚合模型很好地重现了α能谱.  相似文献   

11.
为了利用低能量分辨率探测器γ能谱分析获取未知放射性核素的特征信息,提高γ能谱中重峰及弱峰分析的准确性和有效性,本文开展了基于Boosted-Gold算法的Na I(Tl)探测器γ能谱分析研究.采用MCNPX建立Na I(Tl)探测器模拟模型,获得了维度201×200的探测器响应矩阵.基于Boosted-Gold算法开发了γ能谱反演程序.实验测量了γ源22Na,133Ba和152Eu的探测器响应能谱,并以不同γ射线能量、不同能差(?E)、不同相对强度为条件构建了3组低分辨率模拟γ能谱,结合响应矩阵及反演程序对实测γ能谱和模拟γ能谱进行反演.以IAEA数据库核素标准特征信息对反演结果进行分析.结果表明:Boosted-Gold算法对实测γ能谱特征能量反演误差最大为2.17%(133Ba源0.276Me V),反演强度与标准强度最大差为0.197(152Eu源1.408Me V).对模拟γ能谱核素特征能量均可准确分析,反演强度与标准强度差值保持在0.01以内;当增强系数p≤14时,Boosted-Gold算法有利于γ放射性核素的定量分析,对于相对强...  相似文献   

12.
对132MeV 16O+197Au反应产生的裂变碎片和巨偶极共振γ射线进行了符合测量,得到了E=92MeV的高激发213Fr的γ衰变谱和γ角关联谱.观测到复合核巨偶极共振γ角关联谱存在很大的各向异性.利用改进的统计模型程序分析了实验数据,不考虑裂变延迟时,统计模型计算可以很好拟合地实验结果.通过对γ角关联谱的理论计算与实验结果的比较,可以得出高激发213Fr核(E=92MeV)的形状从集体长椭球向非集体扁椭球变化.  相似文献   

13.
为了在一次扫描质子核探针实验中能获取多种物理信息,研制了多功能信号探测与数据获取系统。系统由组合探测器、多站多参量数据采集与束流扫描、样品台控制与显微观测三个子系统组成。组合探测器包括了Si(Li)X射线探测器,高纯Geγ射线探测器,以及Au(Si)面垒带电粒子探测器,可完成多种物理参数的同时获取。系统的核心数据采集与束流扫描系统基于NI公司的PXI-7852R数据采集卡和LabVIEW软件平台,具备了多个物理信号采集、多能谱显示以及束流扫描和二维成像等功能。六轴高精度真空样品台由计算机控制,可实现显微图像对样品的定位及对扫描区域的可视化选择。初步实验验证了该系统的可靠性与稳定性。  相似文献   

14.
本文研究了样品的体积(量)恒定和样品体积(量)可变两种情-兄下,环境样品的Ge(Li)r谱和反康普顿Ge(Li)r谱的分析方法。  相似文献   

15.
半导体异质结界面能带排列的实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
卢学坤  王迅 《物理学进展》1991,11(4):456-482
本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。  相似文献   

16.
卢学坤  王迅 《物理学进展》2011,11(4):456-482
本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。  相似文献   

17.
本文提出了用Ge(Li)探测器测量正电子3γ湮没的方法,只测量511keV峰区计数,就能确定3γ湮没与2γ湮没的相对份额。我们称这种方法为“峰法”。对“峰法”和“峰-谷法”的结果进行了比较。 关键词:  相似文献   

18.
高激发213Fr核的形变研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对132MeV^16O ^197Au反应产生的断变碎片和巨偶极共振γ射线进行了符合测量,得到了E^*=92MeV的高发^213Fr的γ衰变谱和γ角关联谱,观测到复合核巨偶极共振γ角关联谱存在很大的各向异性,利用改进的统计模型程序分析了实验数据,不考虑裂变延迟时,统计模型计算可以很好拟合地实验结果,通过对γ角关联谱的理论计算与实验结果的比较,可以得出高激发^213Fr核(E^*=92MeV)的形状从长集体长椭球向非集体扁椭球变化。  相似文献   

19.
1封装薄箔活化片分析系统 此种方法己广泛用于裂变堆的中子强度测量,现己用于几乎所有大型托卡马克的中子产额测量,利用中子辐照某些高纯材料薄箔(样品),被中子活化的样品辐射某种能量的γ射线,经高分辨能力的半导体探测器[如HP—Ge或Si(Li)]测量,得到辐照到样品上的中子的中子数。  相似文献   

20.
在核物理实验和γ剂量探测中,γ射线探测器,如 Ge(Li),HpGe,Nal(T1)和 BGO等都需要刻度能量线性和相对效率.在兆电子伏能区,在加速器上可以利用不同的核反应获得不同能量γ射线.但在没有加速器的地方则无法进行.我们利用一个~105中子/s的Am-Be中子源制成了高能量γ射线刻度源装置.实验装置见图1.这个装置简单、方便.对于没有加速器的地方尤为实用. 一个原子核俘获一个热中子后,由于中子结合能,复合核将处在较高的激发态,它在退激时放出特征的单色γ射线,其能量由激发态的能级决定.一般来说,俘获γ射线谱是多线结构的,但是在高能部分,…  相似文献   

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