三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元

报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数k_p, 光化学回复异构化正/逆反应速率常数k_t和k_c, 热回复异构化反应速率常数k_H, 光化学回复异构化反应平衡常数k_t/k_c, 活化能E, 异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比. D3的光致变色反应速率常数为10^－1 s^－1, 而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10^－8 s^－1, 因此, D3的光响应速度比后者快10⁷倍.     

端基含4个丁氧基偶氮苯介晶基元光致变色液晶树状物的光化学研究

研究了新化合物含4个丁氧基偶氮苯介晶基元的零代(D0)光致变色液晶树状物在氯仿和四氢呋喃中的吸收光强、最大吸收波长、摩尔消光系数、量子产率、活化能、异构转换率、反-顺光异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、光回复异构化反应平衡常数及速率常数．D0的光致变色反应速率常数为10^-1s^-1,而含偶氮基元液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10^-8s^-1,因此液晶树状物D0的光响应速度比后者快10^7倍．     

端基含己氧基偶氮苯基元的一代光致变色液晶碳硅烷树状物的光响应行为研究

研究了端基含己氧基偶氮苯基元新的一代碳硅烷光致变色液晶树状物G1及其偶氮基元化合物M3在各种溶液中的反顺光异构化反应速率常数、光回复异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、量子产率、活化能和异构转换率.G1和M3的光致变色速率常数为0.1s^-1,比对应的光致变色液晶聚硅氧烷的光响应速度快10⁷倍.     

端基含36个己氧基偶氮苯基元的二代碳硅烷光致变色液晶树状高分子的光化学研究

研究了含36个己氧基偶氮苯介晶基元的二代(G2)光致变色液晶树枝状高分子在氯仿和四氢呋喃溶液中的最大吸收波长,摩尔消光系数,反顺光异构化反应速率常数,光化学回复异构化正逆反应速率常数及其平衡常数,G2和G1的光致变色反应速率常数kp为10-1s-1,而含偶氮基元光致变色液晶聚硅氧烷的kp为10-8s-1,因此液晶树状高分子的光响应速率比后者快107倍.     

周边含己氧基的三代光致变色液晶树枝状大分子的光化学

报道了新化合物含108个己氧基端基的三代(G3)碳硅烷光致变色液晶树状大分子在溶液中的反-顺光异构化反应速率常数k_p, 光回复异构化正/逆反应速率常数k_t和k_c, 热回复异构化反应速率常数k_H, 光回复异构化反应平衡常数k_t/k_c, 活化能E, 异构转化率A/A₀及组分比A'/A₀. G3的光致变色反应速率常数的数量级为10^－1 s^－1, 而侧链含偶氮基元的光致变色聚硅氧烷的光致变色反应速率常数的数量级为10^－8 s^－1, 因此G3的光响应速率比后者快10⁷倍.     

三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元

报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数k_p, 光化学回复异构化正/逆反应速率常数k_t和k_c, 热回复异构化反应速率常数k_H, 光化学回复异构化反应平衡常数k_t/k_c, 活化能E, 异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比. D3的光致变色反应速率常数为10^－1 s^－1, 而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10^－8 s^－1, 因此, D3的光响应速度比后者快10⁷倍.     

含硝基二代光致变色液晶树枝状大分子的光化学研究

研究了树外围含36个硝基偶氮苯端基新型二代碳硅烷光致变色液晶树枝状大分子(G₂)在溶液中的最大吸收波长, 摩尔消光系数, 反-顺光异构化反应速率常数, 热回复异构化反应速率常数, 光化学回复异构化反应平衡常数及速率常数. G₂的光致变色反应速率常数的数量级为10^－1 s^－1, 而含偶氮端基侧链聚硅氧烷的光致变色反应速率常数的数量级为10^－8 s^－1, 因此, 液晶树枝状大分子的光响应速率比后者快10⁷倍. G₂的光化学回复异构化反应平衡常数k_t/k_c为1.77～1.97, 有作为光控开关材料的应用前景.     

含硝基一代光致变色液晶树枝状大分子的光化学研究

研究了树外围含12个硝基偶氮苯基元新型一代碳硅烷光致变色液晶树枝状大分子G1和基元小分子M1在溶液中的最大吸收波长、摩尔消光系数、反-顺光化学异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、光化学回复异构化反应平衡常数及速率常数. G1的光致变色反应速率常数的数量级为10^－1 s^－1, 而含偶氮基元液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数的数量级为10^－8 s^－1, 因此液晶树枝状大分子的光响应速率比后者快10⁷倍. G1的光回复异构化反应平衡常数k_t /k_c为1.76～1.77, 有作为光控开关材料的应用前景.     

二代树状碳硅烷液晶研究——端基含36个己氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征.D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K,D2熔点比M3降低2633℃,D2清亮点比M3降低315℃,D2液晶态温区比M3加宽1130℃.D2和一代树状物D1的相态由介晶基元相态决定.D2熔点比D1降低23℃.D2清亮点比D1降低1121℃,D2液晶态温区比D1减少819℃.     

一代树状碳硅烷液晶的光化学研究－－端基含12个4－丁氧基氮苯介晶基元

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1的光响应 速度比后者快10~7倍。     

端基含4个丁氧基苯介晶基元光致变色液晶树状物的合成、结构及液晶性研究

合成了周边含4个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的零代光致变色液晶树状物(D0),并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射法(WAXD)表征.D0显示向列相,与M5相同,树状物相态由介晶基元相态所决定,D0的相行为:K138N147I145N118K.对零代(D0)、一代(D1)、二代(D2)和三代(D3)液晶树状物的清亮焓、清亮熵、熔化焓和熔化熵进行了比较.     

二代树状碳硅烷液晶研究I.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的二代树状碳硅 烷液晶（D_2），并用元素分析，氢谱，激光质谱，红外，紫外，偏光显微镜，DSC和WAXD法表 征D2为向列相，与M5相同，二代树状物相态由介晶基定．D2液晶态相行为是 K85N107I103N69K，其熔点比M5降低27-41℃，清亮点比M5降低17-18宽10-23℃．二 代碳硅烷（D2）与一代碳硅烷（D1）相比熔点增加2-3℃，清亮点降低26-29℃，液 晶态温区减少℃．在二代树状物中观察到S＝＋3／2的高强向错．     

三代树状碳硅烷液晶研究——端基含丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3) 液晶,并用元素分析,核磁共振,激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS),红外、 紫外、偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征，D3为向 列相与M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D3相行为；K79N1261116N，D3熔 点比M5降低33℃，D3清亮点比M5增加2℃，D3液晶态温区比M5加宽35℃。