高密度光数据存储技术的发展

讨论了信息技术发展中信息数据存储的重要性,比较了磁存储和光存储的各自特点,介绍了光盘存储技术的发展趋势和高度光盘存储技术的关键问题,进一步讨论了超高密度光存储的发展可能。     

高密度信息存储的物理原理

介绍了只读光盘、磁光盘和相变光盘等高密度信息存储手段的物理原理.并以近场光存储技术、超分辨近场结构光盘技术为例,阐述了高密度信息存储技术的最新进展.     

高密度数字光存储技术

 随着信息科学的迅速发展,对存储介质的存储密度和存储容量的要求在不断提高,然而传统的信息存储方法已几乎接近物理极限,于是寻找新的存储介质和存储方法就成为近年来信息科学的研究热点。光存储技术是继磁存储技术之后的又一新兴技术,它利用光改变物质物理或者化学性质存储信息,近年来不仅取得了重大的技术突破,而且形成了一个庞大的产业。现在以光盘为代表的光学数字数据存储技术已成为信息存储中不可缺少的载体。与以往的磁存储相比,光盘存储的优点是存储容量大、密度高、寿命长、信息的信噪比高,可以非接触式读写和擦除等。     

信息存储的现状和未来发展

本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储，硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱动器，它们的面存储密度的极限大致在１０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２的量级，这主要是由存储材料性能和信息存取模式（磁头或光头）的限制。为要进一步提高存储密度，需采取类似近场光学、原子力、磁力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储，但要实现，需要一段较长的时间。在磁存储获得发展的同时，非磁的光存储介质的应用得到了开发，主要是ＣＤ－ＲＯＭ（只读式），ＣＤＲ（写一次）和ＰＤ（相变型）。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用，使当今信息技术中一重要领域——信息存储显得生气勃勃。     

磁信息存储技术的回顾与展望

文章介绍了磁信息存储技术的发展背景，简述了磁信息存储工业百年来的发展历史，论述了磁信息存储工业中重大的技术进步与物理学、材料学、电子工程学、机械学、计算机学等各个研究领域之间的关系，从而说明高技术工业的发展是多学科共同努力的结果，但应用磁学对于突破磁存储工业发展中的技术瓶颈起到非常核心的作用；文章还讨论了微磁学与磁信息存储技术的发展互相促进的过程，介绍了与磁信息存储技术相关的国际前沿研究进展，并探讨了磁信息存储技术未来的发展有可能对物理学及相关学科的基础研究提出的挑战．     

光致变色二芳基乙烯多波长光存储研究

多波长光致变色存储是基于光致变色原理的一种高容量光存储方法.介绍了多波长光存储的存储原理、系统构成和光盘结构.利用三波长光致变色存储实验装置，进行了三波长光致变色存储的实验.结果显示，实验中采用的三种光致变色材料可用于多波长存储，多波长存储读出信号对比度较高，各记录信号之间几乎无串扰.记录信息经50次低速读出后仍保持较高对比度. 关键词： 多波长 光致变色 光存储 串扰     

相变光存储研究的新进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理、材料性能改进和高密度相变存储技术方面的现状和新进展。     

信息存储的现状和未来发展

本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储，硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱动器，它们的面存储密度的极限大致在１０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２的量级，这主要是由存储材料性能和信息存取模式（磁头或光头）的限制。为要进一步提高存储密度，需采取类似近场光学、原子力、磁力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储，但要实现，需要一段较长的时间。在磁存储获得发展的同时，非磁的光存储介质的应用得到了开发，主要是ＣＤ－ＲＯＭ（只读式），ＣＤＲ（写一次）和ＰＤ（相变型）。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用，使当今信息技术中一重要领域——信息存储显得生气勃勃。     

磁存储材料的未来发展

从未来微型计算机对磁存储器应具有超高存储密度的要求出发，讨论了磁存储材料的未来发展．并指出，最有希望的材料是沿用传统模式纵向记录的薄膜磁介质和新型的磁光存储薄膜．对于如何实现此超高密度的磁和磁光存储，文章还讨论了各自需要解决的问题及相关的信息存储和读出技术．     

全息信息存储技术

全息信息存储可存储文字、图象等,是一种高密度、大容量的存储技术,并可与计算机联用,实现记录和检索自动化。     

光存储与传统磁存储理论的比较研究

光存储技术中,除一般所熟知的利用激光的热效应而导致的相变做为存储方式的光盘或磁光盘存储之外,利用量子相干效应进行存储的设想被实验证明是有效的.相比传统的存储,量子相干记录方式与传统的磁记录方式更加相似,其理论与实现的过程中有许多共性的方面.本文在传统磁存储和新的基于电磁感生透明原理的暗态极化声子的光存储方案的基本原理基础上,通过比较研究比较,指出了这种新的光存储方案的主要不足,即原子间关联的缺失导致的存储时间短的问题,并提出了对于这个问题的解决前景的看法.     

等曝光量时间递增双光子三维光存储

为提高双光子三维光存储的深层存储信息的读出信号强度和存储容量,根据Torok的光在多层介质中传播理论,模拟了折射率失配情况下(介质折射率为1.48,数值孔径为NA=0.65)双光子写入光束在不同存储深度处会聚点的强度分布,分析得到了会聚点处最大光强平方与存储深度的关系;根据原子的光吸收基本理论,分析得到了等曝光量写入光强不变情况下曝光时间随存储深度增加的递增关系;根据上述结果和利用自制的双光子三维光存储系统在光致变色存储材料中实现了连续八层的信息存储对比实验,实验结果表明等曝光量时间递增存储方法可有效提高存储容量和深层存储信息的读出信号强度.     

光致变色多阶游程光存储研究

多阶游程存储是一种不改变光学系统而显著提高光存储容量和数据传输率的新方法.介绍了光致变色多阶游程存储原理和实验系统.提出了基于光致变色原理的多阶游程存储数学模型，该模型反映了记录符反射率与曝光功率、曝光时间之间的非线性关系，并在此基础上确定了光致变色多阶游程存储的写策略.基于650nm光致变色材料进行了4阶游程存储的动态实验.结果表明，实验中采用的650nm光致变色材料可用于多阶游程存储，采用的写策略能够有效地使记录信道线性化，利于采用适合线性系统的信号处理方法. 关键词： 多阶游程 光致变色 光存储 写策略     

近场光存储及其研究进展

本文从近场光学的超分辨原理出发详细介绍和分析了孔径探针型近场光存储技术，SIL透镜近场光存储技术和近场超分辨结构光盘存储技术等的基本原理、研究现状以及它们的优缺点及存在的问题。     

相变光存储研究的新进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理、材料性能改进和高密度相变存储技术方面的现状和新进展     

光存储的现状及未来

介绍近年来ＣＤ光盘的发展，综合介绍近年来发展较快的磁光存储和全光存储的膜系材料、存储原理。并对光存储今后的发展进行预测     

光学记录、存储与器件

研究了光信息记录材料介质和纳米物理显影核,两者均属于信息记录材料领域研究的热门课题。随着材料科学、光存储技术的发展,国内外对光存储介质的研究不断深人。文章对全息、光谱烧孔、电子俘获、双光子、光致变色     

近场光学在高密度存储中的应用

近场光学在高密度存储方面有着很大的潜力 ,使得近场光学存储近年来得到了广泛的关注。近场光学存储具有高密度大容量及可以利用许多已有相关技术等优点 ,预计近场光学存储密度能达到 7Gbit/ cm2 ;它还可以采用硬盘驱动器中的空气悬浮磁头技术和磁光存储中的技术等 ,使近场存储的研究和开发更加迅速。目前 ,近场光学存储主要有三种方案 :探针型方案、超分辨率近场结构、固体浸没透镜方案 ,这三种方案都是通过不同的方法缩小记录光斑来实现高密度的存储。介绍了近场光学存储的原理、研究现状及材料 ,并对三种近场存储方案的实现方法和发展概况作了详细的阐述 ,分析了这三种方案的优缺点     

光盘——激光存储技术的应用

 光盘是激光技术在信息记录、存储、提取、传输等方面的重要应用,是光电子技术和计算机技术相结合的产物。自70年代诞生以来,由于其高密度、大容量的信息存储优势获得了广泛的关注,其推广和应用日趋活跃,并迅疾形成一个专门的信息产业。微光存储的基本原理光盘是利用激光相干性好的特点,将光束聚焦到直径1μm以下的焦斑上,使处在该区域内的记录介质受高功率密度光的烧蚀形成小孔,或产生其他改变物质性质的影响。光束受欲存储的信息调制,于是在介质上便记录下这种信息。为了操作方便,记录介质基层都制成圆盘形状,故得名光盘,英文Com-pactOpticalDisk,简称CD。     

可擦重写式磁光光盘存取技术的物理原理

 数字光盘是现代信息存储技术的结晶,但当今正在被广泛应用的一次只读（ＲＯＭ）式光盘或一次写入（ＷＯＲＭ）式光盘,由于不能写入或多次写入,所以在应用上存在着不可克服的局限性。而近几年开发出来的可擦重写（ＥＤＡＷ）式光盘就从根本上克服了这种缺陷,理论上可以无数次改写,给信息激光存储技术带来了很大的进步。在实现了实用化的可擦重写式光盘中,磁光型光盘是一个典型代表,它主导着目前可擦重写式盘片的领域,具有存储容量大、密度高、可靠性好、信息位价格低等优点,重要的是它应用的是一种独特的近乎全新的数据存取技术。