英国马拉德公司象增强器

1.一般介绍象增强器是电子光学器件。它可以用电子学方法增强聚焦在光电阴极上的景物图象。增强了的图象显示在荧光屏上。象增强器由光电阴极、电子光学透镜和荧光屏组成。现有两种类型的被动式象增强器: a)第一代被动式象增强器(单级和三级级联,均为倒象式);     

一种新型X射线象增强器光电阴极

我们研制了一种X射线象增强器透射式光电阴极,即高低密度夹芯结构的CsIX射线光电阴极,它的量子效率是高密层CsI的1～10倍.该技术应用于X射线象增强器,探测效率可以提高一个量级,使增益较低的MCP都可以作为产品使用.     

国外微光夜视技术的新进展

一、前言微光夜视技术已发展了三代产品。六十年代发展第一代,采用光纤面板耦合的三级级联式象增强器;七十年代发展第二代,采用微通道板(MCP)的象增强器。目前发展的第三代是采用负电子亲和势(NEA)光电阴极的象增强器(其一、二代都采用多碱光电阴极)。     

国外微光象增强器的现状与发展

<正> 一、前言象增强器主要作用是将微弱模糊的象增强为明亮清晰的可见象。从象增强器本身看,现已发展了三代产品:第一代——采用纤维光学面板的级联式象增强器;第二代——采用微通道板(MCP)的象增强器,第三代——采用负电子亲和势(NEA)光电阴极的象增强器。     

利用象增强器构成光电相关鉴相器面阵的研究

本文介绍了利用阴极可控的微通道板象增强器构成面阵型光电相关鉴相器的原理,采用了方波与正弦波相关的方案,在微通道板象增强器的光电阴极加上方波门控电压,把它作为参考信号,测量具有相位差的同频正弦波光信号,研究了它的一些基本特性,给出了这种面型鉴相器的潜在应用.     

利用象增强器构成光电相关鉴相器面阵的研究

本文介绍了利用阴极可控的微通道板象增强器构成面阵型光电相关鉴相器的原理,采用了方波与正弦波相关的方案,在微通道板象增强器的光电阴极加上方波门控电压,把它作为参考信号,测量具有相位差的同频正弦波光信号,研究了它的一些基本特性,给出了这种面型鉴相器的潜在应用.     

象增强器发展现状

象增强器的发展已经很久了。早在20年代,由于电子光学的形成,人们就开始探讨象增强器。30年代出现了这方面的文章。第1篇专利是Barthelemy和Leithine在1936年提出的。象增强器经过了多年的研究和改进,特别是50年代以后出现多碱光电阴极和光学纤维元件,便出现了各式各样的管子。     

会议报导

<正> 北京工业学院研制的JG-1型光电阴极制作多功能信息检控仪,兵器工业部于一九八二年十二月组织并通过了技术鉴定。JC-1型光电阴极制作多功能信息检控仪,是一部制作多种象增强器,光电倍增管,激光摄象管,电子照相象管与高速摄影变象管等光电器件的多碱光电阴极的工艺设备。该仪器系用调光法检     

夜视象管及仪器特性测试技术讲座(二)

<正> 七、■输入状态下象管的信噪比表征象管对微弱光图象信息极限探测能力的参数主要是信噪比。在象增强器中,输出图象是由许多小的闪烁组成的,每一个闪烁由光电阴极上一个被探测到的光子产生。这种闪烁亮度的随机起伏就是噪声。在低照度下噪声更是微通道板象增强器的重要参量。由于闪烁亮度有一个扩展,所以得到的图象是一个有噪声的图象。在极低照度下,如果象管的输出信噪比下降到人眼阈值信噪比以下时,将看不到图象,其它特性再好也是徒劳无益的。信噪比是指:由标准光源产生一定照度E(1x)的光均匀地照明象增强器光电阴极的一小     

多碱光电阴极均匀性对象增强器性能的影响

<正> 一、前言众所周知,象增强器的光电阴极接收来自物空间的辐射照度,其辐射照度的强弱分布在光电阴极上形成输入辐射图象,经光电阴极转     

夜视象增强器

三代18mm 微道板薄片象增强器是为微光夜视应用设计的。高效 GaAs 光电阴极与7056玻璃输入窗口粘接在一起,有一个微道板电流放大器和荧光屏。光电阴极对580—820nm 的微光和红外图象很灵敏。光电阴极的电子图象近贴聚焦在微道板上并几乎无畸变的被放大。微道板的电子图象被近贴聚焦在绿色 P—20荧光屏上,此荧光屏沉积在     

超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱研究

利用785 nm波长激光作为激发源,测量了超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的荧光谱.试验中发现该荧光谱不是一条光滑的高斯型曲线,而是一条在高斯型荧光谱上叠加了一定频率间隔小锯齿峰的曲线.经实验验证和理论分析证明该荧光谱上的小锯齿峰是一种干涉条纹,与超二代微光像增强器的结构有关.干涉条纹之间的间距与相邻两干涉峰波长的乘积成正比,与超二代微光像增强器的近贴聚焦距离成反比.干涉条纹调制度大小与Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的厚度成反比.通过测量超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱上两相邻干涉条纹的间距和调制度,就可以测量或比较出不同超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的膜厚、近贴聚焦距离.研究结果对提高超二代微光像增强器阴极灵敏度和分辨力提供了一个有效的分析手段.     

多碱光电阴极工艺对象增强器暗背景的影响

<正> 一、前言多碱光电阴极在象增强器中起着极其重要的作用,它的性能在很大程度上关系到整个象增强器的工作性能。象增强器在进行目标图象的转换时,除产生象差外,还要产生背景噪声,使输出图象的对比度变差,而影响观察效果。这种噪声与光     

微通道板向第Ⅲ代管和新的领域转移

<正> 一、前言早在1960年前就把纤维光学面板用作级联微光象增强器的关键元件,这就是所谓Ⅰ代管。其工作原理是: 一块输入面板能够把图象从它的外表面传递到真空管内侧的内表面上,在它上面可制作光电阴极(见图1(a))。从光电阴极释放出     

第三代象增强器性能极限的探讨

到目前为止,业已发表了大量论述GaAs光电阴极各个方面的文章,但是,有关GaAs在象增强器中应用的文章却报导得很少。仅有的儿篇文章认为,带有GaAs光电阴极的象增强器(第三代)将证明对现有的象管是个重大的改进。但已公布的数据很难说明第三代是否已经达到其研制的极限,或能否预料到对它的进一步改进。本文综合了已公布的有关实验与理论数据,并将其与目前研制的第三代象增强器样管的新的实验数据进行了比较。为了确定第三代象管性能的物理极限与工艺极限,对照所积累的数据,逐一研究了第三代象管的各个主要参数:灵敏度、鉴别率、噪声和寿命。因此本文对     

GaAs光电阴极制备工艺的俄歇分析

我们在一台制作第三代象增强器的超高真空系统中安装了俄歇(Auger)能谱仪,以其对GaAs光电阴极的制备过程进行在线监测分析,其中包括选择性腐蚀过程的俄歇观测,阴极激活前清洁措施的效果评价和Cs-O激活过程中As/Ga俄歇信号比对光电灵敏度的影响,Cs源纯度的分析及对光电发射的影响。根据分析结果,激活出了1000μA/lm的反射式光电阴极和500μA/lm的透射式光电阴极。     

关于象管光电阴极搁置疲劳问题的探讨

一、引言无论是单级红外变象管还是多级级联管或二代微光象增强器,其制作过程主要是光电阴极的制作。制作好的光电阴极经过一段时间之后,常会发现灵敏度下降及光谱特性的长波阈向短波方向移动,这种现象通称为阴极的疲劳,见图1、2。疲劳后的阴极有时可以通过一定的处理(如对红外变象管可将光电阴极在黑暗处搁置一段时间,用红外线对阴极面进行短时间照射等),使其灵敏度得到部分恢复,但多数情况下灵敏度不能完全恢复。     

采用微通道板(MCP)增强器的光闸

对18毫米近贴聚焦式微通道板增强器的光电阴极或微通道板进行选通,可获得曝光时间约为1毫微秒的光闸。本文介绍光闸性能的测量结果,包括多个增强器在各种不同的脉冲形态下的总光门、均匀性与时间的关系、分辨率、线性度和动态范围。讨论了与快速选通有关的增强器的参数以及由增强器的几何形状造成的选通速度的局限性。还给出了作过特殊改进的增强器的结果,其中除光电阴极的3毫米×18毫米区域外,全用不透明的金属底涂层覆盖。同时也给出了第三代(GaAs光电阴极)增强器选通的初步结果。各种光闸性能评价用的表征方法也在讨论之内,许评论了增强器选通用的快速电脉冲发生器。     

防离子反馈微通道板的最佳工作电压试验研究

带防离子反馈膜的微通道板(micro-channe plate,MCP)是负电子亲和势光电阴极微光像增强器的关键部件之一,其工作状态对负电子亲和势光电阴极微光像增强器的性能有严重影响,通过对无膜MCP及镀有不同厚度防离子反馈膜的MCP在不同阴极电压下、不同MCP电压下增益的测试与分析,最终确定出防离子反馈MCP的最佳工作电压:①对于负电子亲和势光电阴极像增强器用无膜MCP,其最佳工作电压为:当阴极电压大于一定值V_c1时,MCP增益几乎不变,说明此时的阴极电压V_c1为无膜MCP的最佳工作电压;当MCP电压为某一特定值V_m1(阴极电压为大于V_c1的任一值)值时,MCP出现增益,但增益值很低,当MCP电压大于(V_m1+100V)值时,MCP增益较大(大于20 000),可认为板压为(V_m1+100V)值为无膜MCP最佳工作板压;②对于同种材料的带膜MCP,其最佳工作电压为阴极电压V_c=无膜MCP的最佳阴极电压V_c1与防离子反馈膜的阈值电压的代数和,MCP电压为V_m > (V_m1+100V),具体值应根据防离子反馈MCP增益值的线性工作区来确定。该文的研究对防离子反馈MCP的最佳工作电压的确定及对负电子亲和势光电阴极像增强器性能的提高具有重要的意义。     

光放大、控制与器件

TN144 2004064395 微光像增强器的进展及分代方法=Image intensifier’s progress and division of generations[刊,中]/金伟其(北京理工大学信息科学技术学院光电工程系.北京(100081)),刘广荣…∥光学技术.—2004,30(4).—460-463,466 介绍了微光像增强器的主要性能指标及其对系统成像的影响。分析了像增强器按技术分代和按性能水平分代的方法。针对欧洲的超二代以及美国的三代/超三代像增强器的主要技术指标,说明了按性能分代的合理性。结果表明,这种分代方法在军用和民用领域的应用中对