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横向高压器件LDMOS与LIGBT的特性分析 总被引:2,自引:0,他引:2
给出了横向高压器件LDMOS、LIGBT以及具有阳极短路结构的LIGBT的输出特性、开关特性及耐压特性模拟曲线,并对这三种器件的结构和性能进行了较系统的分析与对比。 相似文献
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由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途,近年来,各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性,并对它们进行了详细的分类,以期对各种横向功率器件的特性及其优缺点有一个全面的了解。 相似文献
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张海鹏 汪沁 孙玲玲 高明煜 李文钧 吕幼华 刘国华 汪洁 Zhang Haipeng Wang Qin Sun Lingling Gao Mingyu Li Wenjun Lü Youhua Liu Guohua Wang Jie 《半导体学报》2006,27(z1):279-282
为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求. 相似文献
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对高压MOS功率器件的设计而言,结终端结构的设计是至关重要的一环。由于电压不断提高,终端结构亦更加复杂、传统的设计方法已不再适用。因此,本文对新的设计手段-计算机模拟进行了详细地研究。首先建立了一套适用于终端结构模拟的物理模型。然后讨论了离散化的形式,并分析了所得大型稀疏线性方程组的迭代收敛性及稳定性。文中还提出了对于耗尽层分布及场限环浮置电位的一种新的处理方法-多重迭代法,从而克服了以往处理方法 相似文献
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提出具有浮空埋层的变掺杂高压器件新结构(BVLD:Variation in lateral doping with floating buriedlayer),建立其击穿电压模型.线性变掺杂漂移区的电场耦合作用使表面电场达到近似理想的均匀分布,n+浮空等电位层与衬底形成新平行平面结,使得纵向电压由常规结构的一个pn结承... 相似文献
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通过调节Zr^4+/Ti^4+比对La^3+、Sr^2+掺杂的PZST反铁电陶瓷进行分析,从中得到两种能用于电压调节器件的陶瓷材料。在20~80℃时,这两种材料的相变电场随温度变化不大。材料的反向开关时间为1~12μs,开关时间随反向相变电场的升高而减小,且与样品的尺寸有关。 相似文献
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依据电参数指标要求,针对高压-高增益硅功率晶体管基区结构和终端结构进行优化研究。提出了一种可用于改善集电极-发射极击穿电压(V(BRCEO))和电流放大倍数(β)矛盾关系的带埋层的新型基区结构,并针对埋层基区结构对高压-高增益硅功率晶体管电性能及可靠性的影响进行了研究。仿真结果表明:新型基区结构不仅可以很好地折中晶体管β与V(BRCEO)之间的矛盾关系,而且还能在较大的埋层基区宽度、埋层基区掺杂峰值浓度范围内使晶体管获得较低且一致性较好的饱和压降;具有新型基区结构的晶体管在改善正偏的情况下抗二次击穿能力具有明显优势。由仿真得到的器件结构参数,研制出的样片的β,V(BRCEO)和集电极-基极击穿电压(V(BRCBO))均满足电参数指标要求。 相似文献