硫化锌薄膜的微结构剖析

用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术,对分舟热蒸发法研制的掺铒（Ｅｒ）硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析,获得薄膜表面及粉料的构态信息,讨论了影响微晶薄膜质量的主要因素。     

硫化锌交流电致发光薄膜结构与特性研究

用电子束研制不同介质膜作绝缘层的掺铒硫化锌交流电致发光薄膜器件,用Ｘ射线衍射技术测量薄膜表面结构,发现薄膜多晶的沉积有择优取向的趋势。观察不同绝缘层交流电致发光器件的初始稳定过程,讨论绝缘层质量对交流电致发光器件的影响。     

掺铒硫化锌交流电致发光薄膜的表面结构

对研制的掺铒硫化锌交流电致发光薄膜,进行了表面的 Ｘ 射线衍射（ Ｘ Ｒ Ｄ） 、 Ｘ 射线光电子能谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 及发光亮度测量。研究认为薄膜多晶的沉积有择优取向的趋势,表层碳、氧主要来源于吸附与玷污,绝缘层选择高介电常数、低电阻率的材料,可进一步提高器件质量     

固相混合薄膜的微结构和散射特性

按适当比例制备的固相混合薄膜具有较低的散射损耗,其微结构有所改善。得到透射电子显微镜(TEM)、X衍射分析和角散射测量的证实。     

纳米硅薄膜的电致发光和光致发光

对用ＰＥＣＶＤ方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究．在膜的纵向加直流偏压，暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象．在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱，并用Ｌａｍｂｄａ９紫外／可见／近红外分光光度计测量了样品的透射谱，从而得到样品的Ｔａｕｃ曲线和光能隙Ｅ     

Ga2O3:Mn电致发光薄膜的微结构及光谱特性研究

采用电子束蒸发法在硅衬底或BaTiO3陶瓷基片上沉积了Ga2O3：Mn电致发光膜,并进行了不同温度热处理,制备了电致发光器件。用X射线衍射(XRD)分析了Ga2O3：Mn薄膜晶体结构;用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱。研究了Ga：O。：Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系。实验结果表明,Ga2O3：Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高,且晶体结构和结晶取向也随之改变;经500℃热处理的Ga2O3：Mn薄膜电致发光器件发绿光,其光谱主峰分布在495～535nm之间,且随驱动电压增高,谱峰出现蓝移现象。     

Ga_2O_3∶Mn电致发光薄膜的微结构及光谱特性研究

采用电子束蒸发法在硅衬底或 Ba Ti O3陶瓷基片上沉积了 Ga2 O3∶Mn电致发光膜 ,并进行了不同温度热处理 ,制备了电致发光器件。用 X射线衍射 ( XRD)分析了 Ga2 O3∶ Mn薄膜晶体结构 ;用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱。研究了 Ga2 O3∶ Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系。实验结果表明 ,Ga2 O3∶ Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高 ,且晶体结构和结晶取向也随之改变 ;经 5 0 0℃热处理的 Ga2 O3∶ Mn薄膜电致发光器件发绿光 ,其光谱主峰分布在 495～ 5 3 5 nm之间 ,且随驱动电压增高 ,谱峰出现蓝移现象     

Gd3Ga5O12:Ag薄膜电致发光浓度和退火温度特性的研究

本文研究了Ａｇ＾＋的浓度对Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２薄膜光致发光和电致发光的影响。当Ａｇ＾＋沈度达到０．２ａｔ＾,薄膜的光发生很强的淬灭,但是电致发光的淬灭肖度却达１ａｔＴ％,通过对不同浓度的薄膜样品的吸收光谱的测量,发现随着Ａｇ＾＋的浓度的升高,吸收边生红移。由于Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜电致发光有一部分是属于逞间激发,所以电致发光的淬灭浓度要比光致发光高。Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜的退火有助于提高     

ZnS:Ag和ZnS:Cu的薄膜电致发光特性

本文研究了ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ的电致发光性质。用磁控溅射镀膜机和电子束镀膜机,分别制备了以ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ为发光层的夹层结构薄膜电致发光器件,测量了电致发光光谱,研究了发光强度随电压,频率变化规律。结果表明,利用ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ均可获得蓝色电致发光。     

新型交流薄膜电致发光器件的研究

本文介绍了根据加速电子,激发中心在空间上分开,利用低场预热和高场加速的设想,设计并研制的一种新型交流薄膜电致发光器件。     

Microstructural Study of Zinc Sulfide Thin Films^ ①②

The radio frequency magnetron sputtering(RFMS) technique is employed for preparing ZnS:Er electroluminescent films,and the information about surface states and internal bulk structure of the prepared films are obtained by using X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscpy techniquesThe results reveal the microstructure and phase-transition characteristics of the films and provide the reference for seeking new material with high-brightness.     

Study on Surface States of Zinc Sulfide Electroluminescence Thin Films

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＺｉｎｃｓｕｌｆｉｄｅｉｓａⅡ－Ⅳｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｃｏｍｐｏｕｎｄｗｉｔｈｗｉｄｅｂａｎｄｇａｐ．Ｔｈｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓｈａｖｅｅｘｃｅｌｅｎｔｃｈａｒａｃｔｅｒｓｏｆｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ...     

Electroluminescent Excitation Mechanism of Erbium－activated Zinc Sulfide Semiconductor Thin Film Devices

ＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔＥｘｃｉｔａｔｉｏｎＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＥｒｂｉｕｍ－ａｃｔｉｖａｔｅｄＺｉｎｃＳｕｌｆｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＴｈｉｎＦｉｌｍＤｅｖｉｃｅｓ￥ＬＩＵＺｈａｏｈｏｎｇ；ＷＡＮＧＹｕｊｉａｎｇ；ＣＨＥＮＺｈ...     

硫化锌薄膜的制备和结构分析

用常规分舟热蒸发法在玻璃衬底上制备硫化锌薄膜，用X射线衍射和透射电子显微镜研究该薄膜的晶体结构，发现硫化锌薄膜与流化锌粉末在晶体结构上存在差异，实验证实硫化锌晶体是具有高于性的共价键晶体。     

用XPS法研究硫化锌薄膜

运用ＸＰＳ法研究ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ薄膜器件的界面态及所掺激活剂的纵向分布，认为氧吸附形成的ＺｎＳ薄膜的表面构态是产生薄膜界面态和界面陷阱能级的主要原因，对研究薄膜器件的激发过程有参考意义。     

Microcrystalline Structure and Luminescence of ZnS Thin Films

The electroluminescence thin films doped with erbium, fabricated by thermal evaporation with two boats, are analyzed by X-ray diffraction(XRD).The relationship between electroluminescence brightness and microstructure of the thin films is obtained.The results reveal that the large grain size in high index plane of deposited microcrystalline film has an effect on electroluminescence characteristics of the film devices.     

Role of Zinc Source in Chemical Bath Deposition of Zinc Sulfide Thin Films on Si3N4

Zinc sulfide (ZnS) thin films have been grown by chemical bath deposition (CBD) using different zinc sources on a silicon nitride (Si₃N₄) substrate in an alkaline solution. The zinc precursors used were zinc acetate, zinc nitrate, and zinc sulfate. The structural and optical characteristics of the ZnS thin films obtained were analyzed. The morphology of the surface showed that the films were compact and uniform, with some pinholes in the surface depending on the zinc source. The most homogeneous and compact surfaces were those obtained using zinc nitrate as the zinc source with a root-mean-square (RMS) value of 3 nm. The transmission spectra indicated average transmittance of 80% to 85% in the spectral range from 300 nm to 800 nm, and the optical bandgap calculated for the films was around 3.71 eV to 3.74 eV.