微通道板防离子反馈膜新工艺

微通道板防离子反馈膜在三代象管中起到延长寿命的作用.本文叙述了微通道板防离子反馈膜的传统工艺和传统工艺对微通道板电性能的影响,提出了一种制备微通道板防离子反馈膜的新工艺.结果表明,新工艺没有给微通道板通道内表面带来碳污染,不影响微通道板电性能.     

微通道板防离子反馈膜调制传递函数的研究

研究电子与薄膜的相互作用，给出电子通过薄膜后的角度分布表达式。利用弹性散射电子在薄膜中的空间几率分布密度表达式计算微通道板防离子反馈膜的调制传递函数。     

微通道板防离子反馈膜阈值电压特性研究

微通道板(Microchannel-plate,MCP)防离子反馈膜是负电子亲和势光电阴极微光像增强器的特有标志,其主要作用是有效阻止反馈正离子轰击阴极以提高器件工作寿命。微通道板防离子反馈膜的厚度决定了其对电子透过、离子阻挡能力的大小,电子透过能力直接影响图像的对比度和信噪比。根据微通道板防离子反馈膜阈值电压定义和测试原理,对微通道板不同厚度防离子反馈膜、不同工作电压条件下的阈值电压特性进行了测试研究。结果表明:防离子反馈膜的阈值电压随着膜层厚度的增加而增加,两者之间遵循正比的线性关系:Y=3.98X+50;在微通道板线性工作电压范围内,防离子反馈膜的阈值电压随微通道板工作电压的增加而降低,两者之间遵循反比关系。该研究对提高微通道板在负电子亲和势光电阴极微光像增强器中的使用性能具有重要意义。     

微通道板防离子反馈膜运转的有效性

介绍微通道板Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜的离子透过特性试验方法及结果，给出描述离子反馈膜运转有效性的理论表达式。     

低磁控溅射率MCP防离子反馈膜工艺研究

为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击,提高微光像增强器的工作寿命,开展了低磁控溅射率法沉积微通道板（MCP）Al₂O₃防离子反馈膜的工艺研究。通过优化制备工艺,获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件：溅射电压1000V,溅射气压(4～5)×10^-2 Pa,沉积速率0.5nm/min等。研究结果表明：在此工艺条件下,能够制备出均匀、致密且通孔满足质量要求的MCP防离子反馈膜。如果偏离这一最佳工艺条件,制备出的MCP防离子反馈膜膜层疏松、不连续,且通孔不能满足要求。     

微通道板噪声因子与工作电压关系研究

为了解决微通道板噪声因子的测量问题,提出了一种测量像增强器光电阴极灵敏度和信噪比,从而测量出微通道板噪声因子的方法 .根据该方法,分别在不同阴极电压、微通道板电压以及阳极电压条件下测量了微通道板的噪声因子.测量结果表明,当阴极电压、微通道板电压以及阳极电压分别变化时,微通道板的噪声因子会随之变化.微通道板电压对噪声因子的影响最大,阳极电压的影响最小.微通道板电压每增加100 V,噪声因子大约增加0.11,而阳极电压每增加100 V,噪声因子大约增加3.3×10-4.微通道板工作电压提高,意味着电子碰撞能量提高,同时也意味着二次电子发射系数提高,而根据现有微通道板噪声理论,微通道板的噪声因子会减小,但实测结果却相反.造成这一矛盾的原因是在现有微通道板噪声理论中,仅仅考虑了二次电子发射系数、探测率、电子碰撞几率的因数,而未考虑到电子碰撞能量的因数,因此噪声理论需要进行修正.     

防离子反馈膜缺陷对像增强器视场的影响

防离子反馈膜是三代微光像增强器的重要组成部分,其质量对像增强器的寿命和视场起着至关重要的作用。研究了防离子反馈膜质量对像增强器视场的影响。选取具有典型缺陷的防离子反馈微通道板(micro-channel plate,MCP),对防离子反馈微通道板在工作时的视场和防离子反馈膜质量进行分析,获得了防离子反馈膜的缺陷对微光像增强器工作时视场的影响。分析得到防离子反馈膜制备过程中缺陷产生的原因,并初步提出缺陷的解决方案,对后续制备出高质量防离子反馈膜有着非常积极的作用。     

SiO2防离子反馈膜的制备及其性能

防离子反馈膜是一种覆盖在微通道板输入端的Al2O3或SiO2连续超薄膜,该膜对延长微光像管的使用寿命具有重要的作用。首先采用射频磁控溅射方法在0.5～1μm的有机载膜上制备Si薄膜,然后在4～6Pa氧气下放电使其贴敷到微通道板上,同时使Si膜氧化和有机载膜分解,最后在微通道板输入面上形成满足设计要求的SiO2防离子反馈膜。该制膜方法工艺稳定,重复性好,成品率超过90%。给出了有、无薄膜时微通道板的电子透过特性曲线和膜层厚度与死电压间关系曲线。对相同厚度为5nm的SiO2和Al2O3防离子反馈膜的电子透过特性进行了分析和比较,得出了SiO2比Al2O3薄膜对电子透过稍好,相应的死电压分别为220V和255V的结论。结合对膜层电子透过和离子阻止特性的综合分析可以看出,SiO2也是制作微通道板防离子反馈膜较为理想的材料之一。为了定量表征微通道板防离子反馈膜的离子阻止能力,最后指出了防离子反馈膜离子透过率的测量是今后该项研究工作的当务之急。     

微通道板离子壁垒膜及其特性

介绍了微光像管中微通道板离子壁垒膜及其形成技术,研究了其粒子(电子和离子)透过特性。给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出采用X射线光电子能谱(XPS)进行成分分析的结果。介绍了离子壁垒膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题。     

微通道板离子阻挡膜对三代像管分辨率的影响

分析传统的微通道板离子阻挡膜对三代像管分辨率的影响，指出离子阻挡膜衰减碰撞通道壁的一次电子数及其工艺引起的通道内壁碳污染是导致带膜三代像管分辨率下降的主要原因，提出降低离子阻挡膜对三代像管分辨率影响的主要技术途径。     

电子束蒸镀ＭＣＰ超薄防离子反馈膜及膜层特性分析

为了进行ＭＣＰ超薄防离子反馈膜的性能评价研究,并使这种膜层具有良好离子阻挡能力,利用电子束蒸发方法,在微通道板（ＭＣＰ）输入面上制备一种超薄Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜,其膜层厚度为２ ｎｍ时仍连续致密。通过对Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜的电子透过特性测试,给出２ ｎｍ及４ ｎｍ厚防离子反馈膜对应的死区电压分别约为１５０ Ｖ及２００ Ｖ;利用Ｍｏｎｔｅ-Ｃａｒｌｏ法模拟分析了Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜的离子阻挡特性,２ ｎｍ及４ ｎｍ厚Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜对碳离子等的阻挡率分别高于４０％及８６％,另外对有无膜的ＭＣＰ电特性进行测试,可以看出镀２ ｎｍ及４ ｎｍ厚的膜后,ＭＣＰ电子增益分别降低了５１％及８１％。     

微通道板碘化铯膜层抗潮解超薄保护膜层北大核心CSCD

碘化铯膜层对紫外光以及X射线具有很高的光电转换效率,但在空气中容易发生潮解。介绍了微通道板碘化铯膜层抗潮解超薄保护膜层的制备与保护效果。使用扫描式电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)对碘化铯薄膜光阴极微通道板的镀膜深度和厚度进行测试,采用氧化铝作为碘化铯薄膜光阴极的保护膜层,并分别制备了厚度为2 nm、5 nm和10 nm的氧化铝保护膜层。在空气中存放不同时间后,碘化铯薄膜光阴极微通道板表面未发生明显潮解变化,其增益约为8800,暗计数率约为4.1 counts·s^(−1)·cm^(−2)。试验证明,氧化铝能够作为微通道板碘化铯膜层抗潮解超薄保护膜层。     

MCP的动态范围与增益—调整MCP电压提高成像清晰度的讨论

本文分析了MCP的动态范围与增益之间的关系,指出两者是一对矛盾;增益越大,动态范围越小,反之亦然。而动态范围越大,灰度级分辨力越高,成像越清晰。应用MCP,应在保证足够增益的前提下,尽量使其在较大动态范围下运转,以便使成像更清晰。调整MCP工作电压提高成像清晰度的实质,正是由于牺牲部分增益提高了动态范围的结果。     

兰姆波锂电池极化电压优化实验*

为了降低极化对电池的影响,应用兰姆波技术对锂电池进行优化极化电压的实验。结合二阶电路模型,计算锂电池的极化电压,分析极化电压随各影响因素的变化关系。实验结果表明：当兰姆波的激发频率一定时,极化电压优化幅值随加在压电陶瓷两端的激发电压的增大而增大,呈线性变化;当兰姆波的激发电压保持不变时,极化电压优化幅值与加在压电陶瓷两端的激发频率不成线性关系,而是在某一共振激发频率内达到最优。     

同步加速器Barrier Bucket高频电压的研究

同步加速器Barrier Bucket高频系统用于克服空间电荷效应的影响,并对束团进行预压缩从而实现束团的多次累积来提高束流的流强。实现Barrier Bucket束流多次累积,要求在同步环高频加速腔上产生一个单正弦电压信号。针对单正弦波形的特点,讨论在同轴加载腔上产生该电压波形的方法和条件。通过对单正弦信号的频谱分析得出信号对加速腔高频系统的带宽要求,运用等效并联电路的方法并将同轴加载腔作线性时不变近似,求出输出的腔体电压与输入的激励电流间的关系。Barrier Bucket电压信号对加速腔整个高频系统的带宽要求至少应为单正弦频率的两倍。输入的激励电流为单正弦信号的基础上叠加上一个直流脉冲偏置,偏置大小为腔体Q值。最后,根据分析的结果在兰州重离子加速器冷却储存实验环（CSRe）高频系统的铁氧体加载腔和新研制的磁合金加载腔系统上进行测试,并对测试结果作相关讨论。     

Experimental investigations of the nuclear level density by using heavy ion reactions

The transition of the level density parameter a _off from the low excitation energy value a _off=A/8 MeV⁻¹ to the Fermi gas value a _FG ∼ A/15 MeV⁻¹ was discovered a few years ago studying particle spectra evaporated from hot compound systems of A∼ 160. A number of experiments have been recently performed to confirm the earlier findings and extend the investigation to other mass regions and to higher excitation energies. Furthermore, precision coincidence experiments have been done in the lead region in which evaporation residues are tagged by low energy gammarays. Those experiments open the possibility of a detailed study of the level densities in nuclei where the shell effects are important.     

Output voltage calculations in double barrier magnetic tunnel junctions with asymmetric voltage behavior

In this paper we study the asymmetric voltage behavior (AVB) of the tunnel magnetoresistance (TMR) for single and double barrier magnetic tunnel junctions (MTJs) in range of a quasi-classical free electron model. Numerical calculations of the TMR–V curves, output voltages and I–V characteristics for negative and positive values of applied voltages were carried out using MTJs with CoFeB/MgO interfaces as an example. Asymmetry of the experimental TMR–V curves is explained by different values of the minority and majority Fermi wave vectors for the left and right sides of the tunnel barrier, which arises due to different annealing regimes. Electron tunneling in DMTJs was simulated in two ways: (i) Coherent tunneling, where the DMTJ is modeled as one tunnel system and (ii) consecutive tunneling, where the DMTJ is modeled by two single barrier junctions connected in series.