金刚石(ⅠⅠⅠ)Ⅰ×Ⅰ表面的类石墨和类衬底结构

本文提出了一个由LEED能带理论计算所确定的金刚石(lll)1×1表面的类石墨一类衬底结构模型,发现最外的碳原子向内弛豫0.05±0.01A,第一双层空间距d_1=0.498±0.006A(收缩3.3％±0.006A),两个双层之间的空间距d_2=1.43±O.01A(收缩7.4％±0.01),第二双层空间距d_3=0.56±O.01A(膨脓8.7％±0.01A)。并用大π键理论说明了金刚石(lll)1×1表面的豫弛机理     

用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(100)表面的弛豫

用低能电子衍射研究了ⅢA-VA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(100)表面的弛豫,发现当理论计算与实验符合得很好时其结构是:保持表面上A-B键长不变,用一个旋转角ω,使B原(离)子向外移动,A原(离)子向内移动,第一表面原子层间距d_1=0.610-0.810A[对ⅢA-VA(110)],0.536—0.825A[对ⅡB-ⅥA(110)1和0.633-1.060A[对ⅡB-ⅥA(1010),第二表面原子层间距d_2=1.300-1.610A[对ⅢA-VA(100)],1.430-1.700A[对ⅡB-ⅥA(110)]和0.820-0.930A[对ⅡB-ⅥA(1010),而第三表面原子层间距d_3=1.410-2·440A[对ⅢA-VA(110)],2.020-2.250A[对ⅡB-VIA(110)]和 1.910-2.440A[对ⅡB-VIA(1010)]。对此结构,弛豫率α是:0.24±0.02[对ⅢA-VA(110)],0.25±0.02[对ⅡB-VIA(1010)]和0.33±0.03[对ⅡB-VIA(1010)]。     

用低能电子衍射研究GaAs(110)表面的弛豫

用低能电子衍射研究了GaAs(110)表面的弛豫。发现当理论与实验之间符合得最好时,得到的结构是,保持表面上As—Ga键长不变用一个27.32°±0.24°的旋转角(ω),使As原子向外移动0.10±0.02?,Ga原子向内移动0.55±0.02?,而从Ga到第二层时空间为d₂=1.45±0.01?,从第二层Ga到第三层的空间为d₃=2.01±0.01?。对此结构As的背键长l_As=2.43±0.01?(收缩0.56％),而Ga的背键长l_Ga=2.253±0.004?(收缩8.0％)。 关键词：     

Zn在水锰矿和δ-MnO2表面吸附结构的EXAFS研究

用延展X射线吸收精细结构光谱(EXAFS)研究了重金属Zn(Ⅱ)在水锰矿(γ-MnOOH)和δ-MnO₂表面吸附产物的微观结构.结果表明,在0.1M NaNO₃介质中,pH7.5时Zn(Ⅱ)离子主要是通过共用水合Zn离子的氧原子及水锰矿表面上的氧原子结合到水锰矿固体表面上.第一配位层(Zn-O层)的Zn-O原子平均间距为2.00±0.01A,该键长是由于六配位的Zn(H₂O)₆²⁺及其四配位的水解产物Zn(OH)₂或Zn(OH)₄^2－以一定比例混合吸附于水锰矿表面面形成的.第二配位层(Zn-Mn层)存在两个Zn-Mn原子间距,即R₁=3.07±0.02A和R₂=3.54±0.02,分别对应水锰矿结构单元MnO₆八面体与Zn-O多面体两种结合方式:共用两个氧原子的边边结合和共用一个氧原子的角-角结合.pH5.50时,吸附在δ-MnO₂表面上Zn²⁺以六配位的八面体水合离子形式存在.水合锌离子八面体从δ-MnO₂层状结构的空位上下方,与δ-MnO₂的结构单元MnO₆八面体通过共用O原子给合,形成角-角结合的弱吸附.Zn-O原子平均间距为2.07±0.01A,Zn-Mn平均原子间距为3.53±0.01A.EXAFS分析表明,Zn在水锰矿表面吸附不可逆性较强,而在δ-MnO₂表面吸附很可逆,这与Zn和两种锰矿间的结合方式有关.     

用低能电子衍射研究ⅢA—VA化合物{110}表面吸附Sb和Bi的表…

用低能电子衍射研究了Ｓｂ和Ｂｉ吸附在ＩｎＰ｛１１０｝和ＧａＡｓ｛１１０｝表面上表面结构。结果显示出：对Ｓｂ／ＩｎＰ｛１１０｝，表面原子层间距：ｄ１＝０．２７±０．２３Ａ（膨胀９．４％±０．０２Ａ）；旋转角ω１为－１０．７７°±２．２９°和ω２为１５．２６°±０．８２°；吸附键长ｌｃ１－Ａ＝２．８４±０．０５Ａ，ｌｃ２－Ｂ＝２．７５±０．０２Ａ，其键角α＝１０１．２１°±２．１°，β＝１０７．８６°     

用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(1010)表面的弛豫

用低能电子衍射研究了ⅢA-VA和ⅡB-VIA化合物(110)和(1010)表面的弛豫,发现当理论计算与实验符合得很好时其结构是:保持表面上A-B键长不变,用一个旋转角ω,使B原(离)子向外移动,A原(离)子向内移动,第一表面原子层间距d₁=0.610-0.810?[对ⅢA-VA(110)],0.536—0.825?[对ⅡB-VIA(110)]和0.633-1.060?[对ⅡB-VIA(1010),第二表面原子层间距d₂=1.300-1.610?[对ⅢA-VA(100)],1.430-1.700?[对ⅡB-VIA(110)]和0.820-0.930?[对ⅡB-VIA(1010),而第三表面原子层间距d₃=1.410-2.440?[对ⅢA-VA(110)],2.020-2.250?[对ⅡB-VIA(110)]和1.910-2.440?[对ⅡB-VIA(1010)]。对此结构,弛豫率α是:0.24±0.02[对ⅢA-VA(110)],0.25±0.02[对ⅡB-VIA(1010)]和0.33±0.03[对ⅡB-VIA(1010)]。 关键词：     

用低能电子衍射研究Si(111)7×7表面的原子结构

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的Si(111)7×7表面的不等边三角形聚合与添加原子模型。发现:第一层空间距d_k=0.95±0.02?(膨胀21.3%±0.02?),第二层空间距d_l=0.83±0.02?(膨胀5.9%±0.02?),第三层空间距d_l=0.69±0.05?(收缩10.9%±0.08?)和第四层空间距d_b=2.38±0.08?(膨胀3.8%±0.08?)。     

用低能电子衍射研究Cu（001）表面吸附碲的表面原子结构

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确-定的,在Cu(001)表面的4重对称空隙上吸附Te原子的吸附层模型。原子层间距d_1=1.633±0.004,d_2=1.943±0.007(膨胀7.6％±0.007)。     

一个新的Si{001}2×1表面原子结构模型

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的Si{001}2×1表面新的原子结构模型。新结构模型包括二聚键长l_d=2.387?,表面三个原子层间距d₁=0.50±0.01?,d₂=0.96±0.01?,d₃=1.17±0.01?和二聚原子的两个反对称移动。     

多重散射团簇方法对吸附系统SO2/Ag(110)的理论分析

利用多重散射团簇方法 (MSC)对吸附系统SO2 /Ag(110 )的S原子K边X射线吸收精细结构谱 (NEXAFS)作了理论分析 .研究表明 ,覆盖度为 0 5时 ,吸附的SO2 的S—O键长比气体状态时增长了 (0 0 14± 0 0 0 6 )nm ,OSO键角减小了 15°± 5°;SO2 分子的S原子处于芯位 ,但两个O原子处于不对称的位置 ;分子平面与 (110 )的夹角约为5 2° ,同时分子平面相对衬底表面法线有一小角度的倾斜 .MSC计算证实了该吸附系统存在一介于π 与σ 态中间的共振结构 ,这是由SO2 与衬底相互作用而诱导的     

用低能电子衍射计算Ni(001)Ni(110)和Ni(111)表面化学吸附硫的表面原子层间距

在本文里,我们用一维的能带理论计算了Ni(001)、Ni(110)和Ni(111)表面化学吸附硫的表面原子层间距d_s。我们发现,当Ni(001)C(2×2)-S、Ni(110)C(2×2)-S和Ni(111)P×(2×2)-S表面的d_s分别等于1.291±0.01(?),0.929±0.01(?)和1.390±0.01(?)时。显示出,理论计算的LEED谱与实验非常一致.     

ATLEED研究6H-SiC(0001)(3~(0.5)×3~(0.5))R30°重构表面

低能电子衍射 (LEED)对 6H SiC(0 0 0 1) (3× 3)R30°表面的研究结果表明 ,该表面有 1/3单层的Si原子吸附在T4 空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接 ,它们之间的垂直距离为 0 171nm .通过对该表面 10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射 (ATLEED)计算 ,得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态 (surfacetermination)的混合比例为S1∶S2∶S3 =15∶15∶70 ,理论计算与实验I V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0 .16 5 ,RP=0 .142 ,表明表面生长符合能量最小化的台阶生长机制     

电子相关和相对论对M_2Te(M=Cu,Ag,Au)的几何结构和稳定性的修正

使用相对论的和非相对论的赝势在HF ,MP2 ,CCSD和CCSD(T)水平上计算了M2 Te(M =Cu ,Ag ,Au)的平衡几何和振动频率。计算的结果表明 ,这些化合物的基态 (单态 ) ,弯曲结构是稳定的 ,线性结构是不稳定的。在MP2水平上研究了电子相关对这些化合物的几何结构的修正。电子相关对键角的修正是非常明显的 ,对于M =Cu ,Ag ,Au ,角∠M Te M分别减少了 2 3.3°,2 1.8°和 2 1.8°。电子相关对键长的修正是微小的。相对论效应轻微地缩短了Au2 Te的键长。比较这三个化合物 ,Au2 Te相对稳定。     

2s_(1/2)—1d_(3/2)壳层原子核能谱的壳模型分析

本文对2s_(1/2)-1d_(3/2)壳层原子核(A=30—40)能谱作了系统分析,计算仅限于由2s_(1/2)和1d_(3/2)支壳层产生的情态,但考虑了它们之间的全部组态混合效应。计算是采用多粒子壳模型的Talmi方法,将二体矩阵元当作参数,其值由实验确定。文中详细分析了Si~(30),Si~(31),P~(30),P~(31),P~(32),S~(32),Ar~(37),Ar~(38),K~(38)等原子核能谱,理论与实验符合颇好。     

Bi_2Pb_2V_2O_(10)的晶体结构

使用X射线单晶衍射法测定了Bi_2Pb_2V_2O_(10)的结构。该晶体属三斜晶系,空间群为C_1~1-P1,单位晶胞内化学式数Z=1,晶胞参数为:a=7.084(4)A,b=7.278(3)A,c=5.587(3)A,α=111.91(5)°,β=95.01(6)°,γ=108.86(4)°,V=245.70A~3,D_x=7.35g/cm~3,μ(MoK_α)=678,94cm~(-1),F(000)=456。用Patterson函数分析及Fo rier技术测定了结构,对原子坐标、各向同性及各向异性热参数进行了最小二乘方修正,R=0.079。结构分析表明,Bi_2Pb_2V_2O_(10)的Pb原子与O原子形成八角十二面体,Bi原子与O原子形成六角多面体。两个共棱的Pb—O多面体与两个共棱的Bi—O多面体相连,并沿bc平面无限延伸。讨论了吸收的影响。最后,将Bi_2Pb_2VO_(10)的结构与Pb_2SO_5的结构进行了比较。     

电子相关和相对论对M2Te(M=Cu,Ag,Au)的几何结构和稳定性的修正

使用相对论的和非相对论的赝势在HF,MP2,CCSD和CCSD(T)水平上计算了M2Te(M=Cu,Ag,Au)的平衡几何和振动频率.计算的结果表明,这些化合物的基态(单态),弯曲结构是稳定的,线性结构是不稳定的.在MP2水平上研究了电子相关对这些化合物的几何结构的修正.电子相关对键角的修正是非常明显的,对于M=Cu,Ag,Au,角∠M-Te-M分别减少了23.3°,21.8°和21.8°.电子相关对键长的修正是微小的.相对论效应轻微地缩短了Au2Te的键长.比较这三个化合物,Au2Te相对稳定.     

DyP_5O_(14)晶体的新相

本文首次观察到具有单斜I(P2_1/c)的DyP_5O_(14)晶体,并用光学显微镜,X射线结构分析和红外光谱等方法予以证明。DyP_5O_(14)在室温下存在着mmmF_2/m类铁弹体的单斜I结构,其铁弹相变温度为159±3℃。单斜I的DyP_5O_(14)的晶胞参数,a=8.62A,b=8.84A,c=12.82A,β=90.28°。这一发现是L_nP_5O_(14)晶体结构类型转变的必然结果,并使它们的性质变化规律更加完整。     

非晶态Co_(70)Cr_(20)Zr_(10)合金在居里温度附近的磁性

本文研究非晶态Co_(70)Cr_(20)Zr(10)合金在居里温度附近的磁性,样品的磁特性符合二级相变规律。得到临界指数β=0.45±0.02,γ=1.9±0.1,δ=5.13±0.05。Co_(70)Cr_(20)Zr_(10)合金的居里温度为Tc=(186.7±0.2)K。临界指数β,γ,δ满足γ=β(δ-1)关系,但临界指数值都偏离三维Heisenberg模型的理论值,这种行为可能起源于非晶态合金磁的不均匀性。讨论了Kouvel-Fisher(K-F)参数γ(T)对温度T的依赖关系。     

H2(v=3)+H2(He)碰撞中的转动能量转移

激发态Na2与H2碰撞,使H2(v=3,J=3)得到布居,在H2和He总气压为800Pa及温度为700K的条件下,利用相干反斯托克斯拉曼散射（CARS）光谱技术研究了H2(3,3)与H2(He)间转动能量转移过程。改变CARS激光束与激发Na2的激光之间的延迟时间,测量He不同摩尔配比时H2(3,J)态CARS谱强度的时间演化,得到H2(3,3)的总弛豫速率系数分别为=(21±5)×10-13cm3s-1和=(5.6±1.6)×10-13cm3s-1。测量H2(3,J)各转动态的相对CARS谱强度,由速率方程分析,得到H2(3,3)+H2→H2(3,J)+H2中,对于J=2,4,转移速率系数分别为11±4和8.2±3.1cm3s-1。在H2(3,3)+He→H2(3,J)+He中,对于J=2,4,转移速率系数分别为3.1±1.2和2.1±0.7cm3s-1。对于H2(3,3),单量子弛豫׀∆J׀=1约占该态总弛豫率的90%。     

ф(x)=(1/x)integral from n=0 to x((ydy)/(e~y-1))数值表

纯金属多晶体中原子的热振动对X射线衍射强度的影响,通常由所谓Debye-Waller因子e~(-2M)来表达,其中h=普朗克常数=(6.6252±0.005)×10~(-27)尔格一秒;k=玻耳兹曼常数=(1.3804±0.0001)×10~(-16)尔格/度;m=原子质量;该金属在特定状态下的德拜示征温度。 因此中φ(x)函数对于强度计算、示征温度的计算都很有用,目前我们所能找到的φ(x)值表失之太简,x的间距太大。为了解决研究工作的需要,我们另作了计算,方法如下: