薄膜光学理论与膜系设计

O484.1 2004010438 纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性=Field emission characteristics of BN thin films with nanometer thickness[刊,中]/顾广瑞(吉林大学超硬材料国家重点实验室.吉林,长春(130023)),李英爱…∥液晶与显示.—2003,18     

薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计

O484.1 2007054569利用Raman散射光谱研究铜铟镓硒薄膜表面的掺杂调节作用=Study on modified surface layers of CIGS thin fil msby Raman spectra[刊,中]/刘玮(南开大学物理科学学院光子学中心.天津(300071)) ,田建国…//光谱学与光谱分析.? 2007 ,27(4) .? 716-719研究了采     

薄膜光学 制膜技术与装置

O484.1 2006043380ZnO/AlN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究=Growthand properties of ZnO fil m grown on Si (111) substratewith Al N buffer by MOCVD[刊,中]/郑畅达(南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心.江西,南昌(330047)) ,王立…∥光学学报.—2006 , 26(3) .—463-466采用低温Al N为缓冲层在Si(111)衬底上生长出具有较高结晶质量和少裂纹的ZnO马赛克结构单晶薄膜。薄膜的生长为准二维过程,生长速率4 .3μm/h;样品表面裂纹密度仅为20 cm-1,3μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1 .5 nm;低温10 …     

薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计

O484.1 2005010406 R.F.溅射Ba0．5Se0．5TiO3／RuO2薄膜及其介电特性研究= Dielectric propertics of sputtered Ba0.5 Sr0.5 TiO3 thin film on RuO2 bottom electrode[刊,中]／张柏顺(湖北大学物理学与电子技术学院．湖北．武汉(430062)),章天金…∥光电子技术与信息,-2004,17(2).-19-22 用R.F．磁控溅射法在p-Si(100)衬底上沉积Ba0.5 Sr0.5TiO3／RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用 XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时。薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大。电容器InGa／BST／RuO2的     

薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计

O484.1 2006032350一种新型三层双波段减反射膜设计研究=Study on a newdesign method of three layers antireflecting coating withtwo wavelengths[刊,中]/张耀平(中科院光电所.四川,成都(610209)) ,许鸿…∥光电子技术与信息.—2006 , 19(2) .—22-24双波段增透膜在激光系统中得到越来越多的应用,目前薄膜设计方法仅能设计简单的V与W型增透薄膜,利用矢量方法提出了一种新型的三层双波段减反膜设计方法。基于所提出的薄膜设计方法,设计一个实例,与实际镀制薄膜反射光谱进行了对比。结果表明,实际镀制结果与理论计算结果具有较好的吻合,…     

薄膜光学 制膜技术与装置

O484.1 2007054588氧化铁镍薄膜的制备与表征=Preparation and characterization of iron-doped nickel oxide thin fil ms[刊,中]/黄金昭(天津大学博士后流动站.天津(300072)) ,徐征…//光电子·激光.? 2007 ,18(4) .? 392-395提出了射频反应磁控溅射中薄膜沉积速率同O2流量和溅射功率关系的理论计算模型,根据这一理论计算模型,在O2/Ar气氛中,利用射频反应磁控溅射制备氧化铁镍薄膜;最后分别采用台阶仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、电子扫描镜(SEM)和电化学工作站对薄膜进行了表征,并分析了在制备过程中O2含量、工作压…     

薄膜光学理论与膜系设计

O484.12007010560电沉积-烧结法制备Y2O3∶Eu荧光薄膜的研究=Re-search of luminescence fil m of Y2O3∶Eu prepared bymethod of electrodeposition-sinter[刊,中]/曾冬铭(中南大学化学化工学院.湖南,长沙(410083)),舒万艮…//感光科学与光化学.—2006,24(2).—126-132采用电沉积-烧结方法制备出了氧化钇铕红色荧光薄膜。在0.1mol/L硝酸钇溶液中加入4%(摩尔分数)0.1mol/L硝酸铕掺杂,用三电极体系进行阴极电沉积,工作电极的电位为-1.2V(相对于Ag/AgCl电极),温度65℃,沉积时间为400s,500℃灼烧2h,制备出的发光薄膜与高温固相法制备的…     

薄膜光学

薄膜光学理论与膜系设计O484.12006021403磁控溅射制备增透ITO薄膜及其性能研究=Study on thepreparation and properties of antireflective ITO thin fil msby magnetron sputtering[刊,中]/李世涛(华中科技大学模具技术国家重点实验室.湖北,武汉(430074)),乔学亮…∥光电工程.—2005,32(11).—20-24用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO(In2O3∶SnO2=1∶1)薄膜。质量流量计调节氩气压强PAr为0.2~3.0Pa,氧流量fO2为0~10cm3/min。详细探讨了溅射时PAr和fO2变化对ITO薄膜光学性能的影响。图6表2参15(严寒)O484.12006…     

薄膜光学理论与膜系设计

O484.1 2004032075 聚乙烯咔唑/铟锡氧化物的界面分析=Interface analysison the poly(N-vinylcarbazole)/indium-tin-oxide[刊.中]/彭应全(兰州大学物理科学与技术学院.甘肃,兰州(730000)),郑代顺…∥光电子·激光.—2003,14(7).—767—771     

薄膜光学 其他

O4842006054451关于退火温度对VO2薄膜制备及其电学性质影响的研究=Preparation and electrical properties of VO2thin fil msaffected by annealed temperature[刊,中]/王静(四川大学物理系,辐射物理教育部重点实验室.四川,成都(610064)),何捷…//四川大学学报(自然科学版).—2006,43(2).—365-370采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响。经XRD、XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均…     

薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计

O484.1 2004053087 MCP电子透射膜的制备及半视场特性=Fabrication of electron transmission film at the input of MCP and its half view properties[刊,中]/闫金良(烟台师范学院物理系,山东,烟台(264025))∥半导体光电,—2004,25(3),—188-190,241 介绍了微通道板(MCP)电子透射膜在成像器件中的     

薄膜光学理论与膜系设计

O484.1 2004064347 宽角度入射600～700nm波段减反射薄膜的研究=Study of antireflection coatings of 600～700 nm at wide angle incidence[刊,中]/徐晓峰(中科院上海技物所.上海(200083)),张凤山…∥光学学报.—2004,24(9).—1173-1176 阐述了利用非均匀膜系理论设计宽角度多层减反射薄膜的方法,从理论上分析了在宽角度情况下,偏振光产生透过率不同的原因。选取了Ta_2O_5和SiO_2两种材料作为折射率材料,选取BK7作为基底材料模拟设计了光谱区在600～700nm波段、入射角为0°～80°之间的宽角度多层减反射薄膜,探索出了一条新型膜系设计的途径,其优化结果是较为理想的。图1参20(于晓光)     

稀土发光铁电薄膜的研究进展

稀土掺杂是提高光电功能材料性能的重要途径.把稀土掺杂铁电材料与稀土发光相结合,还可拓展出铁电材料的新性能,比如,选择合适的稀土元素掺入钛酸铋铁电材料,可使之在保持较好的铁电性能的同时,又显示良好的发光性能.近年来,这类在氧化物铁电材料中由于稀土离子掺杂产生光致发光特性的研究引起了人们的关注,有望研制集成发光铁电器件.本文简要介绍了稀土发光铁电材料的研究状况,重点介绍我们在稀土发光铁电薄膜方向的研究进展.我们的研究表明,稀土掺杂钛酸铋铁电薄膜同时具有较好的发光特性和铁电特性,这与其独特的成分构成和层状钙钛矿结构密切相关; Eu3+离子荧光结构探针可以为进一步研究Eu~(3+)掺杂铁电薄膜材料的结构与性能关系提供新思路;在某些铁电薄膜(如Pr离子掺杂的x(K_(1/2)Bi_(1/2))TiO_3-(1-x)(Na_(1/2)Bi_(1/2))TiO_3薄膜等)中掺入稀土离子后,稀土离子的发光可用于检测铁电薄膜中是否存在准同型相界;将ZnO纳米材料和金、银纳米颗粒与掺铕钛酸铋薄膜复合,可显著增强稀土发光.     

薄膜光学 制膜技术与装置

O484.1 2004053708 ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质=Preparation and properties of conducting transparent ZnO-SnO_2 films deposited at room temperature[刊,中]/黄树来(山东大学物理与微电子学院,山东,济南(250100)),马瑾…∥半导体学报,—2004,25(1)。—56-59 在室温下,采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上     

薄膜光学 薄膜材料与器件

O484.1 2006043371含不同链长的三个卟啉LB膜修饰电极的光电响应研究=Study on photocurrent generation of three porphyrin mono-layer modified electrodes with various side chain lengths[刊,中]/李富友(复旦大学先进材料实验室.上海(200433)) ,余军华…∥化学学报.—2006 ,64(4) .—301-305利用LB(Langmuir-Blodgett)技术将含不同链长的卟啉化合物(C4Py ,C6Py和C8Py)单层膜转移到ITO(Indi-um-Tin Oxide)导电玻璃上,发现其具有良好的光电转换性质。卟啉化合物修饰后的紫外吸收光谱与光电流工作谱重叠,表明卟啉化合物起到了敏…     

薄膜光学 制膜技术与装置

O484.1 2006032385聚合物纳米孔隙增透膜制备工艺的研究=Fabrication ofpolymer nanoporous antireflection fil m[刊,中]/杨振宇(华中科技大学激光技术国家重点实验室.湖北,武汉(430074)) ,朱大庆…∥光学学报.—2006 ,26(1) .—152-156论述了聚合物纳米孔隙增透膜的制备工艺流程,分析了聚合物材料分子量、实验环境温度和湿度、溶剂挥发性等条件对纳米孔隙增透膜的影响。研究表明,聚合物材料分子量的增大、温度的降低、湿度的升高以及采用挥发性弱的溶剂都将导致增透膜孔隙尺寸的增大,孔隙越大其对光的散射损耗就会越大,所以增透膜的透过…     

薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计

O4842006010501光电子封装中新型激光焊接吸收薄膜的设计=Design ofnovel absorptive thinfil mfor laser weldingin optoelectron-ic device capsulation[刊,中]/江绍基(中山大学光电子技术与材料国家重点实验室.广东,广州(510275)),李伟多…∥红外与激光工程.—2005,34(5).—505-510设计了一种用于对Si O2、Si和Li NbO3等材料进行激光焊接的吸收薄膜。这种“金属-介质-金属”的3层吸收薄膜减少了夹在透明母料之间的焊料表面对Nd∶YAG激光束的反射。该设计使激光能量在实验中的实际吸收率超过99%。这种吸收膜与焊料层的结合使激光能更…     

薄膜光学 薄膜材料与器件

O484.1 2007054584Cd WO4膜的制备及发光特性的研究=Luminescence of Cd WO4fil ms prepared by spray pyrolysis[刊,中]/娄志东(北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室.北京(100044)) ,衣兰杰…//液晶与显示.? 2007 ,22(2) .? 162-166利用一种软化学合成方法—喷雾热解法,在玻璃基底上制备了钨酸镉(Cd WO4)发光膜,研究了其结构、吸收光谱、光致发光及较低电压下的阴极射线发光特性。由吸收光谱估算出Cd WO4膜的禁带宽度约为3 .70 eV。当基底温度在350 ℃以上时,生成的Cd WO4膜在紫外光及阴极射线激发下发…     

薄膜光学 光学薄膜参数测试

O484.5 2006043401GaN薄膜表面缺陷密度的提取=Density extraction of de-fects for GaNfil msurface[刊,中]/王俊平(西安电子科技大学微电子学院.陕西,西安(710071)) ,任春丽…∥微电子学与计算机.—2006 ,23(3) .—194-197通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析,提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法。该方法首先采用阈值分割法二值化背影复杂的GaN薄膜表面图像;然后基于数学形态学方法提取出薄膜表面缺陷的密度;最后给出了薄膜表面缺陷粒径的分布模型。实验结果表明,此方法使GaN薄膜表面缺陷提取简单且易于测量,为分析缺陷原因提高薄膜…     

薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计

O484.12006054374用PLD法在MgO(100)衬底上生长ZnO薄膜的结构和光学特性=Structural and optical properties of ZnOfil ms de-posited on MgO(100)substrates by PLD[刊,中]/苏凤莲(安徽大学物理与材料科学学院.安徽,合肥(230039)),汪洪…//安徽大学学报(自然科学版).—2006,30(2).—67-70用脉冲激光沉积法在MgO(100)衬底上沉积了ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃、550℃和700℃。利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学性能进行研究。X射线衍射的结果表明,在400℃和550℃下生长的ZnO薄膜具有高度c-轴择优取向,但是…