FED显示驱动电路结构及其场发射特性分析

从场发射的基本原理出发,分析了影响场发射电流的内外因素。阴极表面强电场是产 生发射电流的必要条件,但像素的不均匀性和场发射特性的非线性导致无法产生精确的发射电流,由此带来了亮度调节的可控性差;阴极驱动电路作为发射电流回路的一部分,其电路结构直接影响发射电流的控制特性,分析表明电流驱动模式能对阳极束电流进行精确控制,是实现FED亮度控制的理想驱动方式。     

PDP寻址驱动电路及其改进

本文分析了以往的彩色三电极表面放电型彩色PDP中,寻址驱动电路的工作原理和不足之处。并对其不足设计出了一种分组数据传送方法。实验结果表明,该方法可以显著的降低控制电路的成本。     

场发射彩色平板显露器

本文介绍了真空微电子场发射阵列的结构，特性和制造工艺，并提供了四种实用的场发射彩平板显示器结构。     

基于薄膜SOI的PDP高压寻址驱动集成电路

基于自主开发的薄膜SOI高低压兼容工艺,研制出一种64位输出的薄膜SOI PDP高压寻址驱动集成电路.测试结果显示,该电路具有80 V驱动电压和20 mA输出电流,电路时钟频率大于40 MHz.     

便携式LCD显示系统的多线寻址驱动电路

介绍STN LCD多线寻址驱动方式的优点，及使用多线寻址驱动电路时的要求。     

有机发光二极管矩阵显示屏的驱动电路的研究

本文分析了有机发光二极管的结构和驱动和特性,对现行ＬＥＤ驱动电路阳以改进,提高了电路驱动电压,成功地获得了对ＯＬＥＤ（４０＊７）的驱动。     

互补式矩阵译码驱动电路

二位十进制数有100个数字0～99,其十位数和个位数都是一个十进制数字0～9。因此,一个二位十进制数可用二个十进制数字组合得到: D=10m+n其中m、n为0～9的正整数。二进制数1表示有效,0表示无效。用二进制代码可表示十进制个位数和十位数: n=0D_(09)+8D_(08)+……0D(00) m=0D_(19)+8D(18)+……+0D_(10) 其中个位二进制码D_(00)～D_(09)和十位二进制码D_(10)～D_(19)分别只有一个为1,其余均为0。例如:D_(02)=1、D_(18)=1;则n=2、m=8;即D=82。     

微机控制矩阵液晶驱动电路

液晶作为显示器件已广泛应用在各个领域。由于它具有形状薄、重量轻、坚固、工作电压低和耗电省等特点,因此越来越受到人们的重视。近年来,利用矩阵液晶晶格作为大屏幕显示元件,实现图像或文字的显示,已是人们研制的课题。但是,高集成度的液晶驱动电路受到国外禁运的影响,而国内的电路在性能价格比上还存在一些问题。针对这种情况,我们开展了研试工作,并取得了一定的成效。现就矩阵液晶晶格驱动电路的结构和工作原理作一介绍。     

正交块循环矩阵在多路寻址液晶驱动中的应用

传统的多路寻址液晶驱动矩阵电路设计规模与矩阵阶数平方成正比。研究表明:由正交块循环矩阵构造出的多路寻址驱动矩阵的实现复杂度由原来的与矩阵的阶数平方成正比下降为与矩阵的阶数成正比。分析正交块循环矩阵特性后,介绍了基于类单位矩阵的系统化构造正交块循环矩阵的方法。在多行(COMMON)快速帧频响应的多路寻址液晶驱动设计中采用正交块循环矩阵可大大降低实现成本。     

40 inch碳纳米管场发射显示屏的驱动系统研究

针对自行研制开发的国内最大的40 inch二极管型纳米碳管场发射显示屏,采用DVI数字视频接口技术,结合图像解码电路、FPGA控制电路、行列驱动电路,研究开发了二极管型纳米碳管场发射显示屏专用驱动技术,并成功实现了大屏幕动态显示.     

场发射显示技术

场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。     

FED显示器的亮度控制

根据场发射显示器(FED)显示单元的调制特性和矩阵寻址方式特点,分析了其亮度控制的原理和实现方法.综合分析亮度控制的各种方法得出:电流驱动模式能保证亮度的均匀性,脉宽调制电流驱动应是线性灰度调制的最佳方案.     

场发射平板显示器件

综述近年来一些先进国家利用真空微电子技术开展场发射平板显示器件研究的情况。概述这类器件的结构、工作原理、制作工艺、性能特点与发展水平，市场竞争与预测。     

场发射显示器发展动态

概述场发射显示器件的原理，结构和制作工艺及发展水平。展望ＦＥＤ的前景并介绍了国际上围绕ＦＥＤ展开的激烈竞争。     

高灰度级彩色OLED驱动电路的研究

介绍了OLED显示技术及相关市场信息，讨论了当前OLED的驱动技术、芯片和存在的问题，提出OLED高灰度级扫描实现方法和驱动芯片的设计，并进行了系统测试与验证。     

PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作     

手机用TFT彩色液晶显示驱动芯片的可配置接口电路设计

TFT彩色液晶显示驱动芯片的接口电路是手机主机与其显示驱动芯片之间数据通讯的桥梁.常用的接口类型主要有68、80和SPI三种,它们的动作时序与所用信号线各不相同.文章首先分析了这三种接口类型的读写时序,在此基础上提出了与这三种数据格式相兼容的可配置异步接口电路的设计方案,并给出相对应的验证结果及其在0.25μm CMOS工艺库下的综合结果.     

基于STV7610芯片的FED显示屏驱动电路设计

介绍了STV7610芯片的功能,具体阐述了用其作为FED(场致发射显示器)的驱动芯片的驱动电路实现以及相应的FPGA(现场可编程门阵列)控制电路,并对整体设计进行仿真和功能验证.采用FPGA对STV7610芯片进行控制和数据处理,可以实现对FED的灰度调制.采用将行数据划分子场的驱动方法,充分利用了PDP(等离子显示屏)驱动芯片优越的高压驱动特性,提高了驱动电路的整体性能,对现阶段FED驱动电路的集成化具有重要意义.     

彩色FED显示器的图像处理技术

为了改善FED显示器的显示质量,从FED所特有的光电特性入手,给出了FED显示特性的B-T预校正曲线;并基于目前所采用的标准电视信号作为图像信号源,介绍了FED非线性校正算法.在分析FED三基色色度特性的基础上,介绍了FED色度还原算法的理论模型,并把该校正算法成功应用到FED的视频显示中去,使图像质量得到较好的改善.