邻苯三酚红修饰碳糊电极阳极溶出伏安法测定痕量锡的研究

研制了邻苯三酚红(PR)修饰碳糊电极,研究了采用该电极测定痕量锡的阳极溶出伏安法.在0.15 mol/L乙酸盐缓冲溶液(pH 4.5)中,通过开路富集,Sn(Ⅳ)与修饰电极表面的邻苯三酚红生成络合物而富集于电极表面,然后介质交换至4.0mol/L盐酸中,于-0.80 V还原后再进行阳极化扫描,于-0.69 V左右获得一灵敏的Sn的溶出峰,二次导数峰电流与Sn(Ⅳ)浓度在1.68×10-8～1.68×10-6mol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限达8×10-9mol/L.对电极反应机理进行了讨论,方法已应用于罐头食品中锡的测定.     

茜素紫修饰碳糊电极阳极溶出伏安法测定痕量锡

研究了利用茜素紫修饰碳糊电极测定痕量锡的阳极溶出伏安法。在 0 1 5mol/L醋酸盐缓冲溶液 (pH 4 .8)中 ,通过开路富集 ,Sn 和茜素紫形成络合物富集于电极表面 ,然后经过介质交换至 3 0mol/L的盐酸溶液中 ,于 -0 .80V还原后再进行阳极化扫描 ,于 -0 .68V左右获得一灵敏的锡的溶出峰。二次导数峰电流与Sn 浓度在 8.4× 1 0 -9～ 1 .4× 1 0 -6mol/L范围内呈良好的线性关系。检出限达 4×1 0 -9mol/L ,同时对电极反应机理进行了讨论。     

聚邻苯三酚修饰电极选择性预富集与测定铋(Ⅲ)

在pH 7的磷酸盐缓冲溶液中 ,氧化聚合邻苯三酚制得一稳定的水不溶性的膜粘附于玻碳电极的表面。此邻苯三酚膜修饰的玻碳电极被用于在一定电位下选择性预富集Bi(Ⅲ )。预富集的Bi(Ⅲ )在一定的电位下还原 ,再用微分脉冲阳极溶出伏安法测定。讨论了预富集、还原、溶出和清洗过程中的各种因素的影响。在最佳条件下 ,Bi(Ⅲ )浓度在 2 .5× 1 0 - 9～ 6.5× 1 0 - 6 mol/L范围内与阳极氧化峰电流呈线性 (富集 1 0min) ,相关系数为 0 9997。检测限为 1 .4× 1 0 - 1 0mol/LBi(Ⅲ ) (S/N =3,富集 1 0min)。对 5× 1 0 - 8mol/LBi(Ⅲ )平行测定 8次 ,相对偏差为 3.4%。方法可用于人发和指甲样品的测定。     

槲皮素修饰碳糊电极吸附溶出伏安法测定人血清中铜

制作了用槲皮素作修饰剂的修饰碳糊电极 ,利用此电极为工作电极 ,建立了测定痕量铜的新方法。在甲酸钠 -盐酸缓冲溶液 ( p H4.7)中 ,于 0 .2 0 V( vs.SCE下同 )处搅拌富集 ,铜 ( )与碳糊修饰电极表面的槲皮素形成电活性络合物而吸附富集于电极表面 ,于 - 0 .40 V静止还原后 ,阳极化线性扫描 ,在 - 0 .0 3V左右获得一灵敏的二次导数溶出峰。在不同富集时间下 ,其二次导数峰电流与铜 ( )浓度分别在1 .5× 1 0 - 9～ 8.0× 1 0 - 8mol/ L和 1 .5× 1 0 - 8～ 9.0× 1 0 - 7mol/ L两个范围内成良好的线性关系 ,检出限可达 8.0× 1 0 - 10 mol/ L。同时探讨了电极反应机理。方法应用于人血清中痕量铜的测定 ,获得了令人满意的结果     

乙二胺四乙酸二钠/碳糊修饰电极测定银离子

报道EDTA/碳糊修饰电极的制备及对银离子的测定。该电极在硝酸介质中 - 0 .6 0V(vs .Ag/AgCl)电位下富集Ag+ ,在 +0 .0 8V处得到一个灵敏的阳极溶出峰 ,峰电流与Ag+ 浓度在 1.0× 10 -9～ 1.0× 10 -6mol/L范围呈良好线性关系 ,检出限为 6 .8× 10 -10 mol/L。     

槲皮素化学修饰碳糊电极吸附溶出伏安法测定痕量铅

建立了用槲皮素修饰碳糊电极测定痕量铅的新方法 ,在 0 .1 0mol L甲酸盐缓冲液 (pH 4.3 )中 ,于 -0 .1 0V(vs.SCE)搅拌富集 ,再在 -0 .70V静止还原 40s后 ,阳极化扫描 ,于 -0 .42V左右获得一灵敏的铅阳极溶出峰。在最佳条件下 ,富集不同时间 ,其二次导数峰电流与Pb2 + 在 1 .0× 1 0 - 8～ 8.0× 1 0 - 7mol L和 2 .0× 1 0 - 9～ 6.0× 1 0 - 8mol L两个范围内呈线性关系 ,检出限为 8.0× 1 0 - 1 0 mol L(S N =3 )。同时初步探讨了电极反应机理。     

茜素修饰碳糊电极吸附伏安法测定痕量铜

报道了采用茜素修饰碳糊电极测定痕量铜的阳极溶出伏安法。在浓度为0 .1 mol/L 的 HAc- Na Ac缓冲溶液 (p H4.5)中 ,于 +0 .1 0 V处富集 ,- 0 .30 V还原后再进行阳极化扫描 ,于 - 0 .0 5V处获得一灵敏的铜的溶出峰 ,二次导数峰电流与铜浓度在 1 .6× 1 0 -9mol/L～ 4.7× 1 0 -7mol/L范围内呈线性关系 ,检出限达 8.0× 1 0 -10 mol/L。同时 ,对电极反应机理进行了讨论。方法应用于锌合金中铜的测定。     

碳纳米管化学修饰电极测定土壤沉积物中的铜

本文研究了在碳纳米管(CNT)修饰的玻碳电极上,用微分脉冲溶出伏安法(DPSV)对土壤沉积物中铜的测定方法,在1.0mol/L的HCl介质中,于-0.6V电位处富集240s,静置10s,在阳极扫描过程中,被富集于修饰电极表面的铜在约-0.25V电位处出现特定的溶出峰,据此实现铜离子的测定。该方法的线性范围为8.0×10-7～1.2×10-5mol/L,检出限为2.0×10-7mol/L,结果令人满意     

双硫腙修饰玻碳电极阳极溶出伏安法测定痕量镉和铅

报道了双硫腙修饰玻碳电极同时测定痕量镉和铅的电分析方法。镉和铅离子通过与电极表面的双硫腙发生螯合作用而富集在电极表面 ,同时在 -1 .2 0V(vs.SCE)还原成零价镉和铅 ,当电极电势从 -1 .2 0V向 -0 .3 0V扫描时 ,被还原的镉和铅从电极表面溶出 ,分别于 -0 .78V和 -0 .4 8V左右形成灵敏的阳极溶出峰。优化了支持电解质及pH值、双硫腙用量、富集电位及时间等实验参数。利用该修饰电极测定镉、铅的线性范围分别为 1 .0×1 0 - 8～ 2 .5× 1 0 - 6 mol L和 5 .0× 1 0 - 9～ 2 .5× 1 0 - 6 mol L。检测限分别为 5 .0× 1 0 - 9mol L和7.0× 1 0 - 1 0 mol L。该法用于实际水样中镉和铅的测定 ,平均回收率分别为 99.3 0 %和 99.5 4 %。     

邻氨基酚在硫堇分子自组装膜修饰金电极上的电化学行为及其测定

在 0 .0 5 mol/L p H4.2的 HAc- Na Ac- PHP(邻苯二甲酸氢钾 )缓冲溶液中 ,用硫堇分子自组装膜修饰金电极对邻氨基酚的电化学行为进行了初步研究。研究发现 ,邻氨基酚在 - 0 .1 V左右出现一可逆氧化还原峰 ,在 0 .38V( vs.SCE)左右产生一阳极峰。两峰均由邻氨基酚的氧化还原引起 ,较正处的阳极峰表现出吸附波的性质 ,该峰较灵敏 ,适于伏安测定。该峰的峰电流与邻氨基酚的浓度在 1 .0× 1 0 - 6 ～ 5 .0× 1 0 - 4mol/L范围内呈线性关系 (相关系数 r =0 .9991 )。该方法可用于邻氨基酚含量的测定     

丁二酮肟修饰碳糊电极阳极溶出伏安法测定痕量铋

报道了用丁二酮肟修饰碳糊电极测定微量铋的电分析方法。Bi~(3+)通过与电极表面的丁二酮肟作用而富集在电极表面,同时在-0.40 V(vs.SCE)还原成零价,当电极电势从-0.40 V向0.40 V扫描时,被还原的铋从电极表面溶出,在0.03 V出现一个十分灵敏的阳极溶出峰。优化了各种实验参数,如支持电解质的选择及pH值、丁二酮肟的用量、富集电位及时间等。修饰电极测定铋的线性范围为1×10~(-9)～1×10~(-6)mol/L。富集6 min后检出限可达4×10~(-10)mol/L。该方法简便快速,灵敏度高,分析成本低廉,并成功应用于实际水样中微量铋的测定。     

Nafion修饰玻碳电极吸附伏安法直接测定邻氨基苯酚

在 p H=2 .0的 0 .1 mol/ L H3 PO4 缓冲溶液中 ,开路搅拌富集 2 min后 ,从 0 .0 0～ +1 .0 0 V阳极扫描 ,OAP在 Nafion修饰玻碳电极上出现一灵敏的氧化峰 ,峰电位位于 0 .44 V。该峰电流与 OAP在 1× 1 0 - 7～ 2 .5× 1 0 - 5mol/ L的浓度范围内有良好的线性关系 ,检出限为 1× 1 0 - 8mol/ L。对支持电解质的种类及 p H值、Nafion的用量、富集电位及时间、以及扫描速度等进行了优化 ,提出了一种直接测定邻氨基苯酚的电化学方法。将此方法用于水样中邻氨基苯酚的测定 ,取得了满意的结果     

基于十六烷基三甲基溴化铵存在下铅、银离子的高灵敏度电化学测定

报道了在适量十六烷基三甲基溴化铵 (CTMAB)存在下 ,高灵敏度测定水体中铅、银离子的化学修饰碳糊电极。在pH 2 .5 0 .1mol LKNO3溶液中 ,铅、银离子在钠型蒙脱石修饰碳糊电极上通过离子交换而富集 ,同时被还原。在阳极扫描过程中 ,分别在 - 0 .5 2V和 0 .2 3V(vs.SCE)处出现灵敏的溶出峰。详细研究了测定水样中铅、银离子的条件 ,如介质的pH、CTMAB用量、修饰剂用量、富集电位和时间等。该修饰电极连续测定铅、银离子的线性范围为 5 .0× 10 - 9mol L～ 1.0× 10 - 7mol L(Pb2 + )和 8.0× 10 - 9mol L～ 1.0× 10 - 7mol L(Ag+ ) ,富集 4min后检出限分别为 1.0× 10 - 1 0 mol L(Pb2 + )和 3.0× 10 - 1 0 (Ag+ )。     

邻苯三酚红修饰碳糊电极吸附伏安法测定痕量铜

报道了采用邻苯三酚红修饰碳糊电极测定痕量铜的方法。通过在邻苯二甲酸氢钾 -氢氧化钠 (p H4.5)介质中富集 ,Cu2 +和邻苯三酚红形成络合物富集于电极表面 ,然后转换到 0 .0 50 mol· L-1的 H3PO4 中 ,经阴极还原后再进行阳极溶出伏安法测定。Cu2 +浓度在 1 .6× 1 0 -9～ 2 .8× 1 0 -7mol·L-1范围内与二次导数峰电流呈线性关系 ,检出限达 8× 1 0 -10 mol·L-1。同时 ,对电极反应机理进行了探讨。应用于合金样的测定 ,取得满意的结果。     

聚L-谷氨酸/石墨充蜡修饰电极测定多巴胺

用充蜡石墨电极 (WGE)在L 谷氨酸 (GA)无水乙醇溶液中恒电位于 1.6V(vs.SCE)氧化制备了一种聚GA修饰电极 (GA/WGE) ,该电极可用于肾上腺素 (EP)和抗坏血酸 (AA)共存下对多巴胺 (DA)的测定。该电极的灵敏度和选择性主要取决于阳极极化电位与极化时间、富集电位和溶液的pH。DA在该电极上呈现一对循环伏安峰 ,Em=0 .14 5V ,为 1电子 / 1质子的准可逆氧化还原过程。AA和EP也能够在电极上富集和催化氧化 ,伏安峰分别在 0 .30V和 0 .17V。当AA浓度小于 0 .1mmol/L时 ,电极对AA基本不响应 ,可以用DA的氧化峰电流做定量分析。线性范围为 2 .0× 10 -4～ 5 .0× 10 -7mol/L ;检出限为 2 .5× 10 -7mol/L。当AA的浓度较大或在AA、EP共存下 ,可利用DA氧化的再还原峰电流做定量分析。线性范围为 1.0× 10 -4～ 2 .5× 10 -6mol/L ;检出限为 7.5× 10 -7mol/L。该电极制作简便 ,重现性良好 ,定量结果也令人满意     

示波极地测定车间空气及其周围大气中的锡

用示波极谱法测定了焊锡车间空气及其周围大气中的锡。在 p H 2 .5的0 .1mol/ L 氯乙酸介质中 ,Sn( )与焦没食子酸形成的络合物在汞电极上还原可分别在 -0 .2 5 V和 -0 .45 V各产生一峰形良好的还原波。当有四价钒存在时 ,-0 .45 V处的波的峰电流大幅度增大 ,产生一灵敏的催化电流。该催化电流与锡浓度在 1× 10 -8～ 5× 10 -7mol/ L 范围内呈线性关系 ,检测限为 5× 10 -9mol/ L     

1-(3-硝基苯基)-3-[4-(苯基偶氮)苯基]-三氮烯修饰碳糊电极测定痕量锡

制备了三氮烯修饰碳糊电极(m-NPPAPT/CPE),并研究了Sn(Ⅱ)在该电极上的吸附伏安行为,建立了一种测定痕量锡(Ⅱ)的新方法。采用二阶导数线性扫描溶出伏安法进行分析。结果表明:在1mL 0.5mol/L HCl溶液中,于-1200mV处搅拌富集一定时间,在-1200～-200mV范围内以150mV/s的扫描速度线性扫描,Sn(Ⅱ)吸附在修饰电极表面,于约-476mV(vs SCE)处产生一个灵敏的阳极溶出峰,峰电流比未修饰电极增大约11倍。其峰电流与Sn(Ⅱ)浓度在4.0×10-10～1.0×10-8 mol/L和1.0×10-8～4.0×10-6 mol/L范围内分两段呈良好线性关系,其线性回归方程分别为ip(μA)=1.646C(μmol/L)+2.9566和ip(μA)=52.804C(μmol/L)-0.6402,相关系数分别为0.9973和0.9967;检出限(S/N=3)为2.7×10-10 mol/L(富集时间120s)。本方法操作简便、灵敏度高,应用于罐头食品中锡含量的测定,结果满意。     

离子交换伏安法同时测定水体中的镉、汞

报道了一种同时快速测定水体中痕量镉、汞的电分析方法。在 p H 4.0 0的磷酸盐缓冲溶液中 ,镉、汞在钠型蒙脱石修饰玻碳电极上通过离子交换富集 ,获得一个灵敏的阳极溶出峰 ,由此可同时测定痕量的镉、汞离子。利用该方法测定镉、汞的线性范围分别为 8× 1 0 - 9到 2× 1 0 - 6 mol/L和 4× 1 0 - 8到 7.5× 1 0 - 6 mol/L ,检出限分别是1× 1 0 - 9mol/L和 8× 1 0 - 9mol/L。该方法简便、快速 ,灵敏度高。用此修饰电极测定了水样中的镉、汞离子 ,结果令人满意     

有序介孔碳-壳聚糖修饰玻碳电极差分脉冲溶出伏安法测定痕量锡(Ⅱ)

将有序介孔碳(OMC)分散于壳聚糖(CTS)溶液,并用于修饰玻碳电极,制成有序介孔碳-壳聚糖修饰玻碳电极(OMC-CTS/GCE),用差分脉冲溶出伏安法研究锡(Ⅱ)在该电极上的溶出伏安特性。实验发现,在1.0mol/L盐酸中,锡(Ⅱ)在-1.2V处被富集在修饰电极表面,在0.0～+1.0V电位范围,以100mV/s的速率扫描,锡(Ⅱ)在+0.35V处产生一灵敏的溶出峰,峰电流与锡(Ⅱ)的浓度在5.0×10-8～1.0×10-5mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为2.2×10-9 mol/L。方法用于合金中痕量锡(Ⅱ)的测定,结果同火焰原子吸收光谱法(FAAS)测定结果一致。     

桑色素修饰碳糊电极吸附溶出伏安法测定人尿中痕量铅

制作了用桑色素作修饰剂的碳糊修饰电极 ,利用该电极为工作电极 ,建立了测定痕量铅的新方法。在甲酸钠 盐酸缓冲溶液 (pH 4 .9)中 ,在 - 0 .10V(vs .SCE)下搅拌富集 ,铅 (Ⅱ )与化学修饰碳糊电极表面的桑色素形成电活性络合物而吸附富集于电极表面 ,经 - 0 .85V(vs.SCE)静止还原后 ,阳极化线性扫描 ,在 - 0 .4 3V(vs .SCE)获得一灵敏的二次导数溶出峰。在最佳条件下分别富集 360s和 180s ,其二次导数峰电流与铅 (Ⅱ )浓度分别在 5 .0× 10 - 9～ 1.0× 10 - 7mol·L- 1和 2 0×10 - 8～ 1.0× 10 - 6 mol·L- 1两个范围内呈良好的线性关系 ,富集 6min ,检出限可达 1.0× 10 - 9mol·L- 1(S/N =3)。同时 ,探讨了电极反应机理。方法应用于尿铅测定 ,获得满意的结果