微米亚微米有限凹槽衍射特性的实验研究

应用微电子制板技术、电子束扫描曝光和离子刻蚀技术研制成功微米、亚微米级宽度的凹槽结构,并对其进行了衍射特性的研究,实验测试数据表明了这些凹槽的明显的矢量衍射特性.     

微电子技术及其发展

 微电子学是研究在固体(主要是半导体)材料上构成的微小型化电路、子系统及系统的电子学分支,是一门主要研究电子或离子在固体材料中的运动及应用并利用它实现信号处理功能的科学。微电子学是以实现电路和系统的集成为目的,它所实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统,是微小型化的。微电子学的应用技术即为微电子技术,它是信息技术的关键所在。微电子技术的空间尺度通常是以微米和纳米为单位的。目前,微电子技术的发展水平和产业规模已成为一个国家经济实力的重要标志。     

同步辐射X线光刻

X线光刻是未来亚微米应用的重要微光刻技术、近年来,同步辐射X线光源的应用是技术上一个重要发展,本文叙述了同步辐射X线光刻在微电子技术未来发展中的作用、现状及其基本技术问题。并介绍了我国同步辐射X线光刻的发展情况。     

同步辐射X线光刻

X线光刻是未来亚微米应用的重要微光刻技术、近年来,同步辐射X线光源的应用是技术上一个重要发展,本文叙述了同步辐射X线光刻在微电子技术未来发展中的作用、现状及其基本技术问题。并介绍了我国同步辐射X线光刻的发展情况。     

微光刻技术的发展

 时代的列车飞速地向文明社会驶去.20年前,我们不可思议的彩电、冰箱、录相机等家用电器现在已进入了家家户户,微型计算机已被广泛应用于工业、农业、科研和管理.随着半导体技术的出现,庞大得象楼房似的计算机被缩小到可放在办公桌上,笨重的电子管收音机变形为掌上之物……,这一切都要归功于微电子器件,而微电子器件的生产则与微光刻技术密切相关.让我们一起来看看微光刻技术吧！一、器件和电路发展对科学技术发展的要求微电子技术发展的显著特点是器件几何尺寸日趋微细化,达到亚微米或毫微米量级.     

21世界武器装备的"心脏"

被称为武器装备“心脏“的军用微电子技术是现代军事技术的核心和基础,其广泛应用于雷达、计算机、通信设备、导航设备、火控系统、制导设备和电子对抗设备等各类军用设备上.在现代高技术武器装备中,微电子装备的费用已占武器成本的一半以上.微电子技术的发展水平和规模已成为衡量一个国家军事、经济实力和技术水平的重要标志.……     

微米/纳米技术军事应用潜力巨大

 微米/纳米技术包括从亚毫米到亚微米尺寸的材料、工艺和器件的综合和集成技术,该技术领域将对航天工程、信息技术、制导武器、计算机、传感器探测技术、航空航天电子技术、雷达技术、隐身技术、微型机械设计与制造、微型光学自适应技术等诸多技术领域产生重大影响,其军事应用价值和潜力十分巨大!所以美国空军航天与导弹系统中心(SMC)从20世纪90年代初就开始预测微米/纳米技术在上述技术领域对未来空军武器装备系统和新系统结构发展的潜在影响。众所周知微电子技术发展曾使精确制导武器命中率提高2个数量级;使相控阵雷达功能提高了10×10³倍,平均无故障时间提高了230倍.     

MEMS生物传感器及其医学应用

生物传感器是利用生物分子探测生物反应信息的器件,被列为新世纪五大医学检验技术之一,是现代生物技术与微电子学、化学等多学科交叉结合的产物。而微电子机械系统(MEMS)技术可在微米到纳米的尺度上制造固态传感器,并易与信息处理电路集成在一块芯片上,为生物微传感器实现小型化、便携式、低成本,高灵敏度的片上系统提供了有力技术支持。特点及分类MEMS生物传感器由分子识别元件和信号转换器组成,分子识别元件即感受器,由生物活性物质构成,直接接触待检测物质,具有分子识别能力,有的还能放大反应信号。现在识别元件已不仅仅限于生物活性…     

真空微电子器件

真空微电子器件真空微电子学研究的问题涉及微米、亚微米尺寸大小的器件和以固体中电子场发射为原理的部件．所谓固体中电子场发射是指固体中电子在很强的外电场的作用下，克服固体表面势垒的作用，而逸出固体的现象．该现象遵循量子力学原理，电子离开固体表面后沿着电力...     

用扫描热显微镜测量微小区域热导性质的探讨

随着高新技术的迅速发展,许多研究对象已进入亚微米和纳米范畴。在对这些对象的热性能和热可靠性的研究中,亚微米尺度的热物性测量已成为关键技术之一。例如：在微电子、微电子机械系统（MEMS）领域中,已使用纳米量级厚度的材质和做出纳米尺度线宽的器件。在材料科学、生物学、医学和化学等许多领域,高空间分辨率下的热物性测量也具有重要意义。本文经过实验;初步用扫描热显微镜判定了微小区域材料热导性质的差别,并从理论上探讨了用该仪器测量微小区域热导性质的方法原理。     

微结构表面上FC-72的强化沸腾换热研究

针对电子器件的高效冷却问题,对表面加工有微结构的硅片上FC-72的池沸腾换热性能进行了实验研究。测试了四种表面微结构,采用化学蒸汽沉积法在芯片表面生成-SiO2薄层所形成的亚微米粗糙面(Chip CVD),采用溅射方法在芯片表面生成-SiO2薄层,然后再对SiO2层进行湿式腐蚀技术处理形成的亚微米粗糙面(Chip E),采用一系列微电子加工技术生成的微米级双重入口洞穴(Chip CAVITY)以及采用干式腐蚀方法生成的方柱微结构(Chip PF)。实验所得的沸腾曲线表明,所有微结构表面与光滑面(Chip S)相比都显示出较大的强化沸腾换热效果,临界热流密度按芯片 S、E、CVD、CAVITY和PF的顺序增大。对于芯片PF来说,随着壁面过热度的增加,热流量呈剧烈的增加趋势且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,最大临界热流密度可达80 W／cm2。     

第七讲微电子技术发展与物理学

微电子学的基础是近代固体物理．微电子技术的快速发展又推动了物理学许多分支的进展．今天，当微电子的基本器件MOSFET缩小接近其终极时，作为下一代的基础，一批基于新的物理效应的纳电子器件又被提了出来．为了突破传统的二值开关系统的共同极限，新的信息处理系统，如量子信息处理，正在大力研究之中．不久的将来，可望出现一次新的信息电子革命．这次革命又将建立在现代物理学及现代生物学的基础之上．     

电子显微镜散斑照相技术

提出了一种新颖的人工亚微米/纳米散斑制作技术.采用超声波分散亚微米/纳米颗粒,然后利用范德华力、静电力和毛细力将其吸附在试件表面.在特定分辨率的扫描电镜下,物体表面的亚微米/纳米颗粒可以看作是亚微米/纳米散斑.此外,发展了一种测量面内亚微米/纳米级变形的电子显微镜散斑照相技术.详细介绍了人工制作亚微米/纳米散斑和电子显微镜散斑照相技术,实验验证了技术的可行性     

二元光学：90年代的光学技术

二元光学是在计算全息与相息图研究发展的基础上新兴的一个光学学科分支．在光的衍射原理的基础上，通过计算机设计与微电子加工技术，人们研制成二元光学器件．它是一种片基表面深度为亚微米级的台阶形分布的纯相位器件，可以微型阵列化与集成化．它在激光波面校正、激光相干合成、微透镜阵列、红外光系统、光雷达、光通信、光互连与光计算等方面有非常良好的应用前景．     

从光电子技术到光子技术

 当前,人类正进入信息化和智能化时代。这是微电子技术、光电子技术、通信技术、计算机科学与技术和自动化、精密机械等应用性很强的科学技术综合发展的结果。在迈入信息化社会的进程中,光电子技术起着十分重要的作用。它是继微电子技术之后,近十几年来迅速发展的新兴高技术。     

基于机器学习的过焦扫描显微测量方法研究

微电子机械系统（Micro-Electro-Mechanical System,MEMS）具有小型化、高集成度的特点,随着MEMS结构深宽比的不断增大,对MEMS结构尺寸的测量提出更高的要求。过焦扫描光学显微技术（Through-focus Scanning Optical Microscopy,TSOM）是一种高精度无损的光学测量方法,通过采集一组离焦图并沿扫描方向截取TSOM图像,利用库匹配的方法从中提取待测结构的尺寸信息。该方法对于纳米级结构测量有着极高的灵敏度,然而对于微米级特征尺寸存在建库困难且易受环境干扰的问题。本文针对微米级MEMS沟槽结构,在传统的光学显微镜基础上进行改造,建立了TSOM光学系统采集离焦图像,利用图像特征提取方法生成TSOM特征向量集,结合机器学习的方法建立不同槽宽尺寸的回归预测模型,对微米级MEMS槽宽尺寸实现纳米级测量精度,单点重复性测量2μm槽宽的相对标准差（Relative Standard Deviation,RSD）在1%左右,10μm和30μm槽宽RSD分别低于0.2%和0.35%,结果表明该方法对于微米级MEMS沟槽测量具有极高的应用前景...     

亚微米光栅的制作和零级衍射效率滤波特性的验证

从亚微米光栅的特点出发,分析了应用于防伪技术领域的亚微米光栅的各项关键制作技术和特点,制作了具有零级衍射效率滤波特性和用于光变色防伪的亚微米光栅,光栅零级衍射效率滤波特性的测量结果与使用耦合波理论计算得到的结果是完全一致的。由此可以根据防伪技术所需要的滤波特性设计亚微米光栅的参数。     

面向21世纪的微电子技术

1 引言 以微电子技术为基础、以计算机技术和现代通信技术为两翼而发展的信息科学技术，作为现代高新技术的先导，在20世纪取得了令世人瞩目的伟大成就；尤其是近30年来，由于信息科学技术的迅速崛起，极大地推动了现代工业生产技术和当代高新技术的发展．今天，信息科学与技术已渗透到国民经济的各个领域和社会生活的每一个角落，从根本上改变了人类社会生活的面貌，成了现代化生产与现代化生活的重要支柱．     

物理学研究与微电子科学技术的发展

回顾了微电子学的诞生和微电子技术的发展历史,展望了微电子技术未来的发展趋势.在微电子技术诞生和发展过程中具有一些里程碑式的发明,如晶体管、集成电路、集成电路平面工艺、MOS器件、微处理器、光刻技术、铜互连工艺的发明等,其中物理学研究和突破起了关键的基础作用.在社会需求、物理学研究和技术进步的推动下,微电子技术一直并将继续以特征尺寸缩小、集成度提高的模式,按摩尔定律预测的指数增长率发展.微电子技术的发展,不仅为物理学的研究提供了崭新的技术基础,而且为物理学研究展现了更为广阔的空间.但随着器件特征尺寸逐渐缩小并逼近其物理极限,微电子技术的发展将受到来自于材料、工艺和物理基础等方面的挑战,并呈现出多维发展的趋势,这些挑战涉及了微电子学与物理学的共同理论基础,需要二者互相锲合,期待新的突破.     

集成原子光学及其原子芯片

随着原子激光冷却、囚禁与操控技术以及微米、纳米微电子制作技术的快速发展与不断完善,一个新兴的原子光学分支学科—“集成原子光学及其原子芯片”正在形成。本文重点介绍了集成原子光学及其原子芯片的集成方案、实验结果及其最新进展:包括表面微结构原子光学元器件、微磁结构集成原子光学、微光结构集成原子光学和微磁光结构集成原子光学及其原子芯片的设计方案与微制作技术及其最新实验结果。最后,简单总结了原子芯片的设计原则,讨论了芯片设计与研制中尚待解决的问题,并就集成原子光学的潜在应用及其未来发展作一简单展望。