关于93Mo中21/2+晕阱的来源(英文)

本研究通过壳模型计算研究了N=51的同中子素91Zr、93Mo和95Ru中高自旋晕态21/2+的同核异能态现象。计算发现,低角动量的p_1/2轨道上的质子是仅在93Mo中存在21/2+晕阱的主要原因。同时,本工作还研究了N=52的同中子素92Zr、94Mo和96Ru中10₁+-12₁+能级结构的系统性,发现94Mo中的10₁+-12₁+能级间隙相对最小,考虑到与93Mo的17/2₁+-21/2₁+能级相似的组态,这一结果为93Mo中出现21/2+晕阱提供了补充性的论证。Isomerism of the high-spin yrast 21/2+ states of the N=51 isotones 91Zr, 93Mo and 95Ru has been investigated using the shell model calculations. It is found that the low-j πp_1/2 is responsible for the only yrast trap in 93Mo. In addition, the relatively smaller 10₁+-12₁+ level spacing in 94Mo has been found by investigating the systematics of the 10₁+-12₁+ level structures in the N=52 isotones 92Zr, 94Mo and 96Ru. This result provides a supplementary argument to the origin of the 21/2+ yrast trap in 93Mo from the viewpoint of the similarity between the configurations of 10₁+-12₁+ states in 94Mo and those of 17/2₁+-21/2₁+ states in 93Mo.     

~(100)Mo(n,2n)~(99)Mo,~(96)Mo(n,p)~(96)Nb和~(92)Mo(n,α)~(89m+g)Zr反应截面测量

本文报告了在E_n=13.40—14.79MeV中子能区用活化法以~(27)Al(n,α)~(24)Na截面为中子注量标准测得的~(100)Mo(n,2n)~(99)Mo,~(96)Mo(n,p)~(96)Nb和~(92)Mo(n,α)~(89m+g)Zr的反应截面,中子能量是用铌锆截面比法测定的。文中将实验测量值与理论计算值进行了比较,还对上述三个反应的截面进行了编评,给出了推荐的激发曲线。     

~(46,50)Ti+~(124)Sn熔合反应中耦合道效应的理论研究（英文）

近库仑位垒重离子俘获与熔合是一个典型的多位垒穿透过程。在本征道的理论框架下,多反应道的耦合会使得单个位垒分离成一系列的分立位垒。基于位垒分布的思想,我们最近发展了一个经验的耦合道(ECC)模型,并系统地研究了220个反应体系的俘获激发函数。最近,实验报道了熔合反应~(46,50)Ti+~(124)Sn俘获激发函数的测量结果。本文将简要介绍该ECC模型,并结合通用熔合函数(UFF)的约化方法,利用该模型研究熔合反应~(46,50)Ti+~(124)Sn中的耦合道效应。UFF的约化结果表明,相比于~(50)Ti+~(124)Sn,~(46)Ti+~(124)Sn的垒下俘获截面有额外的增强。ECC模型成功地再现了实验测得的俘获激发函数,并表明,~(46)Ti+~(124)Sn垒下俘获截面的额外增强来源于正Q值的中子转移效应。     

~(12)C+~(13)C熔合截面测量中统计模型引入的系统误差研究（英文）

在本工作中,我们分别采用薄靶和厚靶实验技术,测量了~(12)C+~(13)C反应在质心系能量4～6 MeV的熔合截面。实验得到了~(12)C+~(13)C反应的在线γ产额和离线的24Na活度,利用TALYS统计模型给出的反应道分支比,导出了熔合反应的总截面。通过对比不同实验得到的总截面,定量研究了统计模型修正所带来的系统误差:在线γ分支比修正引入的系统误差为14%;由离线24Na活度测量得到总截面时,~(24)Na分支比修正带来的系统误差也为14%。     

CH_3CHF_2与VO_2~+的反应机理（英文）

采用密度泛函方法在B3LYP/6-311G(2d,p)水平上研究了CH_3CHF_2与VO_2~+反应生成CH_2=CF_2(H_2消除反应),CH_2=CHF(HF消除反应)和CH_3CFO的机理.计算结果表明以上三种反应中,H_2消除反应最容易发生.计算结果证明了相邻碳原子上的氢原子有利于C-F键的断裂.     

基于双共振吸收光谱法的~(14)CO_2探测（英文）

快速且准确地定量探测~(14)CO_2在许多领域都有着重要应用.超灵敏的光腔衰荡光谱技术是一种极具潜力的光学探测方法,但其存在灵敏度不足和易受其他CO_2同位素/杂质分子干扰的问题.本文提出利用阶梯型双共振光谱法将~(14)CO_2从基态激发至中间能级后,再用光腔衰荡光谱法去探测.双共振的吸收过程可以有效提高探测的选择性.本文分析了双共振吸收光谱的定量探测能力,模拟结果显示双共振光谱探测是无多普勒的,可以减少其他分子的吸收干扰,有望实现亚ppt水平的~(14)CO_2高选择性探测.     

Br_2~+分子离子[1+1]双光子解离动力学（英文）

本文利用最近研制的低温离子阱-离子速度成像谱仪在冷离子束中研究了同位素质量分辨的~(79)Br_2~+分子离子的[1+1]双光子激光解离动力学.借助其1~4∑_(u,3/2)~-态为中间态使~(79)Br_2~+共振吸收两个光子至4～5 eV区域的高激发态并发生解离.利用离子速度成像技术获得了光解产物~(79)Br~+的二维速度分布和平动能释放谱.通过平动能释放谱确定了不同解离能量处量子态分辨的解离产物通道分支比.光碎片产物的角分布表明~(79)Br_2~+分子离子的双光子解离是1~4∑_(u,3/2)~-态的△Ω=0平行跃迁至一个Ω=3/2高解离态发生的.由于分子激发态中的强自旋-轨道耦合作用,高激发的四重态很可能参与到实验观测的光解过程.     

Q值效应对多核子转移反应~(136)Xe+~(208)Pb的影响（英文）

基于改进的量子分子动力学(ImQMD)模型,模拟了~(136)Xe+~(208)Pb在质心系入射能量为E_(c.m.)=617MeV的多核子转移反应。为了研究这个特殊的反应体系,将不同核子数转移前后形成的类弹与类靶对应的Q值的指数概率分布引入模型中考虑Q值效应,并将计算结果与实验探测的总动能损失分布和质量分布进行了比较。我们发现考虑Q值效应后的计算结果更好地再现了实验数据。在少于10个核子的转移过程中,核子的转移明显受到了Q值效应的驱动。在更多的核子转移过程中,Q值效应明显压低了反应产物的生成截面。这是因为大量的核子转移主要发生在小碰撞参数,对应的复合体系的寿命由于Q值效应明显减小。在ImQMD与ImQMD+Q的计算结果比较中,我们还发现,Q值效应明显增加了比208Pb更丰中子的中子数为126的初级碎块生成截面。     

ScH~+和ScH_2~+分子离子的结构与势能函数(英文)

本文利用相对论有效原子实势(RECP)和密度泛函(B3PW91)的方法对ScH 和ScH2 分子离子的结构进行了优化,得到了它们的平衡几何构型和谐振频率.采用最小二乘法拟合出ScH 分子离子的Murrell-Sorbie势能函数,在此基础上,推导出光谱数据和力常数,并通过多体展式理论导出ScH2 分子离子的势能函数,其等值势能面图准确地再现了ScH<,2< 分子离子的结构特征和离解能,由此讨论了反映势能面的静态特征,并利用杂化轨道理论解释了ScH2 分子离子的结构.     

二面角弯曲异构体:M_2Pt_2~(0/-)团簇的理论研究（英文）

本文采用密度泛函理论和波函数理论研究了M_2Pt_2~(0/-)团簇(M表示碱土金属元素)在气相中的几何结构和电子性质.研究表明,拥有平面结构的D_(2h)异构体比拥有较小二面角及较短Pt-Pt键长的C_(2v)异构体更稳定.M(s,p)与Pt(5d)的相互作用和Pt-Pt共价键之间的相互竞争导致了这两种异构体在稳定性方面有所不同.M(s,p)与Pt(5d)的相互作用支持D_(2h)异构体的平面结构;Pt-Pt共价键作用导致了C_(2v)异构体的弯曲结构.Be_2Pt_2的单重态和三重态的势能曲线有两个不同的交点,但是Ra_2Pt_2和Ca_2Pt_2~-的不同多重度的势能曲线间只有一个交点,这可能是由于三重态Ra_2Pt_2和四重态Ca_2Pt_2~-较平坦的势能曲线造成的.上述结果揭示了一个拥有最小原子数的二面角弯曲异构现象,并且为解释其他潜在的角度弯曲异构体提供了理论帮助.     

~(70)As(β~++EC)衰变到~(70)Ge的低自旋激发态（英文）

通过~(70)As的放射性衰变研究了~(70)Ge的激发态,新发现能量为1 036.99,1 196.66,1 539.29和2 531.7 keV的四条新γ射线,重新确认了2 219.34 keVγ射线的跃迁位置,新确认496.74,1 295.24和1 417.24 keV这三条γ射线首次放入衰变纲图,本工作证实了1 881.67,2 325.42和2 424.41 keVγ射线的跃迁位置,建议了能量为4 243.10和5 265.81 keV的两个新能级,建立了新的衰变纲图,基于比较半衰期和γ跃迁分支比建议了一些能级的自旋-宇称。     

晕核~（11）Li，~（14）Be和~（17）B的进一步研究

在三体模型的基础上，采用汤川作用势，进行变分计算，进一步研究了晕核１１Ｌｉ，１４Ｂｅ和１７Ｂ的基态性质，给出了晕中子密度分布的一个解析表达式．理论计算结果与最新的实验数据一致．     

自然界中~(14)C的来源

1 问题的提出 14C测年技术是美国科学家利比(W.F.Libby,1908-1980)于1946年创立的,可以用来测定7万年以内含碳标本的年龄,现已在考古学、地质学、人类学和地球动力学等领域得到了广泛应用.人教版新教材选修3-5"放射性元素的衰变"一节在"科学漫步"栏目中介绍了这一技术.     

CS_2~+经由~2Σ_u~+←~2Π_(g,3/2)跃迁的[1+1]光倒空和光碎片激发谱(英文)

用483.2nm的电离激光使CS2分子经由[3+1]REMPI制备出CS2+(X~2Πg,3/2)后,在270~285nm扫描解离激光获得了CS2+经由~B2Σu+←X~2Πg,3/2跃迁的光倒空和光碎片激发谱,由此给出了CS2+~B2Σu+电子态的振动频率ν1=613cm-1和2ν2=707cm-1.分析表明,正是CS2+的[1+1]双光子光激发解离过程导致了母体离子CS2+的光倒空和光解离成碎片离子CS+和S+,该过程中光碎片离子的分支比CS+/S+大约为3.     

[Co(CO_2)_n]~+团簇的红外解离光谱实验和理论研究（英文）

本文利用红外光解离光谱研究了一价钴阳离子与二氧化碳之间的相互作用.通过密度泛函理论计算得到[Co(CO_2)_n]~+团簇的几何结构,并且模拟了它们的振动光谱与实验数值进行比较.研究结果表明,在[Co(CO_2)_n]~+(n=2～6)团簇中,钴阳离子通过电四极矩静电作用以端点结合的方式与二氧化碳中的氧原子结合在一起.团簇的红外光谱都集中在二氧化碳反对称伸缩的波数附近,并且随着团簇尺寸的变化出现蓝移,最后把[Co(CO_2)_n]~+的红外光解离光谱与稀有气体贴附的[Co(CO_2)_n]~+-Ar的红外光解离光谱进行了比较.     

高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件（英文）

用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的没有掺杂的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件电子迁移率从15 000 cm~2·V~(-1)·s~(-1)提高到16 000 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。AFM测试表明材料有好的表面形态和结晶质量。从77 K到300 K对Hall器件进行霍尔测试,结果显示器件不同温度范围有不同散射机构。双δ掺杂结构形成高灵敏度、高二维电子气(2DEG)浓度的In As/Al Sb异质结Hall器件具有广阔的应用前景。     

~(20)Mg β衰变谱学与~(15)O(α,γ)~(19)Ne反应（英文）

~(15)O(α,γ)~(19)Ne(p,γ)~(20)Na反应链是高温CNO循环向快速质子俘获过程突破的一条关键路径,相关的反应率输入量可通过~(20)Mg的β衰变可布居~(19)Ne共振态并测量其衰变性质来获得。通过高效率高精度地测量~(20)Mgβ衰变中产生的质子与γ射线得到了~(20)Mg衰变的详细信息,并构建了完整的衰变纲图,还进行了~(19)Ne 4 033 keV共振态衰变性质的探索,获得了该态在~(20)Mgβ衰变中被布居的分支比上限。通过比~(20)Mg和~(20)O镜像能级跃迁的结果确认了同位旋非对称性,为检验相关理论模型提供了精确的实验数据。对于突破路径中有重要影响的~(19)Ne 4 033 keV共振态的性质,有待更高统计的实验进一步研究。     

SU(6)对称性和(3/2)~+重子电磁质量差

(1/2)~+和(3/2)~+重子属于SU(6)群的56维表示。假定总磁矩按照正规表示变化,除SU(3)对称性给出的结果外,还可以预言     

浦项中子装置上~(209)Bi中子全截面测量（英文）

在浦项中子装置(PNF)的100 Me V电子直线加速器上利用透射法和飞行时间法测量了209Bi的0.1～100 e V的中子全截面。文中对于实验装置特点、用吸收片法拟合本底、拟合中子飞行距离和时间零点的处理过程做了较为详细的描述。测量结果与以前发表的实验数据以及评价数据ENDF/B-VII.1做了比较,比较结果符合得较好。     

高灵敏度InAs/AlSb量子阱的霍尔器件(英文)

用分子束外延在Ga As(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系。结果表明,在300 K下,Si-δ掺杂的量子阱结构的电子迁移率高达25 000 cm~2·V~(-1)·s~(-1),并且该器件输入电阻和输出电阻较低。同时,Si-δ掺杂的量子阱结构霍尔器件的敏感度好于没有掺杂的量子阱结构霍尔器件。