改善玻璃衬底上ZnO薄膜特性的方法

利用磁控溅射法在玻璃衬底上淀积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为缓冲层,在其上制备了ZnO薄膜。重点研究了AZO薄膜作为缓冲层对玻璃衬底上ZnO薄膜特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)图像和X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明,玻璃衬底上加入厚度为1μm的AZO缓冲层后,提高了衬底材料和ZnO薄膜之间的晶格匹配程度,有助于增大ZnO薄膜晶粒尺寸,提高其(002)取向择优生长特性、薄膜结晶特性及晶格结构完整性。室温下的透射光谱结果表明玻璃/AZO和玻璃衬底上ZnO薄膜的透光特性没有显著不同。光致发光(PL)谱研究结果表明AZO缓冲层可以有效阻止衬底表面硅原子从ZnO薄膜中"俘获"氧原子,减少ZnO薄膜中的缺陷,改善ZnO薄膜的结晶质量。     

水热法合成多孔六边形α-Fe_2O_3纳米颗粒及其表征(英文)

报道了一种不同尺寸多孔六边形α-Fe2O3纳米颗粒的简单、高产合成方法。对所合成的多孔纳米材料进行了X射线衍射、X射线光电子谱、激光喇曼光谱、场发射扫描电镜和透射电子显微镜的表征。所得结果都表明所合成出来的样品为高选择性的多孔六边形α-Fe2O3纳米颗粒。通过系统地控制实验条件,研究了反应时间、铁盐的种类、反应物的起始浓度对所合成样品的影响。通过对所得实验结果的系统对比和分析,给出了该种结构α-Fe2O3纳米颗粒的形成机制。因而,在此报道了一种简单(仅需FeCl3.6H2O和NH4HCO3两种反应物)、一步、经济、可重复性高的多孔六边形α-Fe2O3纳米颗粒的高产合成方案,并且该方案不需要使用任何有机溶剂。     

ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上GaN的生长

研究了直接在ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜．利用脉冲激光淀积法在α-Al2O3衬底上淀积了高质量ZnO薄膜,对ZnO/α-Al2O3样品在1100℃退火得到了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底,并在此复合衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了纤锌矿结构GaN．X射线衍射谱表明反应得到的ZnAl2O4层为（111）取向．扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于30min增加到20h,ZnAl2O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构,相应的GaN X 射线衍射谱表明GaN由c轴单晶变为多晶,单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°．结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核,从而提高了GaN的晶体质量．     

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长

研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽     

无水化学沉积法制备Sb2S3薄膜

采用无水化学沉积(NCBD)法在玻璃基片上制备了Sb2S3薄膜。先用无水乙醇将4．0mL浓度为0．1mol／L的SbCl3乙醇溶液稀释至39．6mL,再加入0．4mL浓度为0．5mol／L的CH3CSNH2乙醇溶液,搅拌均匀后垂直放入玻璃基片,在15～18℃温度下沉积72h后,进行退火处理。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜在退火前后的结构特性进行了研究,利用光学测试计算了薄膜的光学带隙。结果表明,高温退火使薄膜由退火前的非晶态转变为多晶的Sb2S3结构(正交晶系),薄膜的直接光学带隙从1．86eV降低为1.75eV。     

碳纳米管的大面积合成及磁性(英文)

通过溶胶凝胶法和氢气还原法制备出Co纳米颗粒并以此作为催化剂材料,通过催化裂解苯的方法,实现了较低温度(460℃)下在Co纳米颗粒表面上合成碳纳米管。采用X射线衍射、激光喇曼光谱、场发射扫描电镜、透射电子显微镜和振动样品磁强计对所合成的碳纳米材料进行了表征。通过优化实验参数,可制备出最大产率和纯度分别为约50和98.02%(质量分数)的碳纳米管。由于铁磁性Co纳米颗粒的进入,使得整个复合物表现出比较好的磁性能。和以往以苯作为碳源合成碳纳米材料相比,此合成方案简单、成本低,且对环境无任何危害,非常适用于磁性碳纳米复合物的批量合成。     

降温速率对Zr0.8Sn0.2TiO4陶瓷微波特性的影响

以Zr0.8Sn0.2TiO4 (ZST)作为主配方,以w(WO3)=0.25％和w(ZnO)=1％作为改性剂,采用传统的固相法工艺,在烧结环节对其进行降温速率的研究.通过对样品的线性收缩率的测量知1 340℃是最佳的烧结温度.在1 340～1 000℃的降温过程中研究了不同的降温速率对ZST微波性能的影响.对不同降温速率的样品进行了密度测量.结果表明,降温速率为10℃/h时,样品的密度5.05 g/cm3最大.通过X线衍射(XRD)分析仪及矢量网络分析仪对其样品晶体结构和微波介电性能进行了分析.实验结果表明,少量的WO3和ZnO加入可使ZST的烧结温度降低到1 340℃;降温速率的减缓会改变晶格尺寸,使晶格体积缩小.微波性能测试最佳结果为在1 340℃烧结、10℃/h降温速率处介电常数为36.88,品质因数与频率之积Q×f值为35 000 GHz(7.8 GHz).     

氮化时间对脉冲激光沉积AlN薄膜性能的影响

应用脉冲激光沉积(PLD)技术在氮化处理后的蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜。研究了氮化处理时间对AlN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用原位反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过程进行实时观测,利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)和扫描电子显微镜(SEM)对AlN薄膜的结构性能以及表面形貌等进行表征和分析。结果表明,随着氮化时间的增加,AlN形核种子数量增加并逐渐有序,促进AlN薄膜由多晶转为单晶并提高其晶体质量,有利于AlN薄膜由三维生长转为二维生长,改善AlN薄膜表面形貌。为采用PLD技术制备高质量AlN基器件提供了一种新思路。     

覆铜板用二氧化硅粉水萃取液呈酸性原因探讨

球形超细二氧化硅粉样品,经过水萃取处理后,分别利用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)测试水萃取液中金属杂质含量,利用场发射扫描电镜(SEM)测试微粉表观形貌,并结合X射线能量色散谱分析(EDS)球形粉表面微区分析,结果表明,球形二氧化硅粉在球形化过程中,由于颗粒度大部分为纳米级,纳米级二氧化硅粉体具有高的比表面积,因而表面吸附燃气燃烧后二氧化碳气体作用较二氧化硅微粉显著增强,结果水萃取后二氧化碳溶于水,生成碳酸,这是水萃取液呈酸性的主要原因。     

高密度陶瓷倒装焊封装可靠性试验开路后的失效定位

陶瓷材料具有优良的综合特性,被广泛应用于高可靠微电子封装.陶瓷倒装焊封装的特殊结构使得对其进行失效分析相较其他传统封装形式更为困难.针对一款在可靠性试验中发生开路的高密度陶瓷倒装焊封装器件,制定了一套从非破坏性到破坏性的试验方案对其进行分析.通过时域反射计(TDR)测试排除了基板内部失效的可能性,通过X射线(X-ray)检测、超声扫描显微镜(SAM)和光学显微分析初步断定失效位置,并最终通过扫描电子显微镜和X射线能谱仪实现了对该器件的准确的失效定位,确定失效位置为基板端镀Ni层.该失效分析方法对其他陶瓷倒装焊封装的失效检测及分析有一定的借鉴意义.     

一例肝衰竭婴儿外周血红细胞超微结构改变的电镜观察

目的：观察肝衰竭婴儿红细胞形态的超微结构变化。方法：采集一例肝衰竭婴儿的静脉血,制作扫描电镜和透射电镜样品观察红细胞的超微结构。结果：在扫描电镜下,该婴儿正常双凹圆盘形红细胞数百分比仅为2.5%,而泪滴形、靶形、口形、网织红细胞、刺形、棘形和椭圆形等多种异常形态的红细胞却高达红细胞总数的97.5%。在透射电镜下,网织红细胞和少数成熟红细胞切面具有棒状突起,突起分枝或不分枝,甚至形成了高度曲折凹陷的迷宫图形。结论：该例肝衰竭婴儿红细胞形态从外形到内部超微结构均有显著改变,提示红细胞形态多样性可能与病情复杂和严重程度有关。     

透射电镜电学测试样品杆与扫描电镜联合系统的搭建

透射电子显微镜电学测试样品杆是用于透射电子显微镜中测试样品外场加载下电学性能的专用仪器。本文介绍通过对法兰及其它对接接口的系列设计,使该系统可应用于扫描电子显微镜中。该系列设计改造,能够大大拓展该电学测试系统的应用范围。以单根Si纳米线为例,在扫描电子显微镜中利用该电学测试系统实现Si纳米线弯曲变形下电输运性能的研究。     

Structure study of electrodeposited ZnO nanowires

In this work, we report on the structure study of electrodeposited ZnO nanowires. The samples were mounted as a working electrode and the deposition was performed in a classical three electrodes electrochemical cell. For obtaining ZnO nanowires, the working electrode was a polycarbonate membrane with a random distribution of nanometric pores, gilded one side to ensure electric contact. The morphology and structure characterizations of the different diameters ZnO nanowires were carried out by transmission electron microscopy (TEM) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The electrons pattern diffraction confirmed the same crystal structure of electrodeposited ZnO nanowires indexed by X-ray diffraction (XRD) on electrodeposited ZnO thin films: hexagonal ZnO phase with cell parameters a=0.32584 nm and c=0.52289 nm. Both TEM investigations and HRTEM images reveal a monocrystalline structure for electrodeposited ZnO nanowires. A roughness of few nanometers on the wire surface was observed. Meanwhile, no preferential growth direction has been obviously detected.     

矿渣对复合胶凝材料硬化浆体微观结构的影响

利用XRD和SEM对掺矿渣复合胶凝材料硬化浆体微观结构进行了研究,结果显示:矿渣的掺入使胶凝材料中水泥的质量分数下降,矿渣反应消耗部分Ca(OH)2,导致硬化浆体中Ca(OH)2的含量降低,2 a龄期时掺70%矿渣样品中仍有Ca(OH)2存在。矿渣掺入后,硬化浆体的早期微观结构会较为疏松,随着养护龄期的延长,大量低Ca/Si的C-S-H凝胶生成,使复合胶凝材料硬化浆体逐渐致密,且凝胶中含Al较多。     

Evolution of ZnO nanostructures on silicon substrate by vapor-solid mechanism: Structural and optical properties

ZnO nanostructures with different morphologies and sizes were synthesized on silicon substrate simply by the thermal evaporation of high-purity metallic zinc powder in the presence of oxygen without the use of any catalyst or additives. It was observed that the substrate temperature and the distance of the substrate from the source material play a critical role to determine the morphologies and sizes of the deposited structures. Scanning electron microscopic observations revealed that different types of nano- and microstructures, such as ZnO pyramid-shaped nanotowers, nanowires attached with the sheet-like structures, nanorods, microcages, and microtubes were obtained at different temperature zones with specific distances of the substrate from the source material. High-resolution transmission electron microscopy and x-ray diffraction studies confirm that the deposited products are single crystalline with wurtzite hexagonal structures. The room-temperature photoluminescence spectra of all the deposited structures displayed a strong near-band-edge emission with negligible green emission.     

GaN薄膜电子声成像和电子背散射衍射研究

采用扫描电声显微镜(SEAM)和电子背散射衍射(EBSD)对异质外延在Al2O3衬底上GaN界面区域成像测试分析。异质外延失配应力导致在Al2O3和GaN界面附近的微区晶格畸变在SEAM的声成像中可以清楚看到,而且受应力影响集中区域的微区衬度差异明显。利用EBSD色带图及质量参数分析了失配应力变化,晶格应变和弹性形变在200nm内可以得到释放。