GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征

超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构,采用分子束外延(MBE)方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,变温(10～300K)光致发光(PL)等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰,谱峰范围跨跃800～880nm,双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现。在注入电流140mA时,器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm,室温下连续输出功率达到6mW。     

GaAIAs／GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征

超辐射发光二极管（SLD）具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管，并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和，我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs／GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构，采用分子束外延（MBE）方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射，变温（10～300K）光致发光（PL）等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰，谱峰范围跨跃800～880nm，双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现。在注入电流140mA时，器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm，室温下连续输出功率达到6mw。     

辐射与发光 发光与发光器件

TN312．8 2005020847 无源OLEDs器件的设计和制作=Design and fabrication of passive matrix organic light-emitting diodes[刊,中]／成建 波(电子科技大学光电信息学院．四川,成都(610054))。蒋 泉…//光电子·激光．-2004,15(11)．-1315-1319 对无源有机发光二极管器件(OLEDs)的众多问题,诸 如交叉串扰、等效电路和电压降进行了定量分析,建立了 计算无源OLEDs功耗的数学模型。与单屏驱动的 OLEDs比较,采用双屏驱动可显著减小器件的功耗,主要     

超辐射发光二极管抗反射膜的设计

分析了设计超辐射发光二极管抗反射膜的光导纳法,介绍了有效折射率的概念。选用TiO2和SiO2两种材料给出了中心波长为850 nm时的设计实例。结果表明设计时要考虑有效折射率,才能获得好的性能。     

辐射与发光 发光与发光器件

TN312．8 2005064014 绿色光源-LED=Green light sources-LED[刊,中]/武 毅(清华大学建筑设计研究院．北京(100084))∥灯与照 明．-2005,30(2)．-45-48,53 介绍了发光二极管(LED)的结构、发光原理,阐述了 作为绿色照明光源的发光二极管的特点及应用前最。图2 表3参2(杨妹清)     

辐射与发光 发光与发光器件

TN312．8 2005053215 GaN基发光二极管芯片提取效率的研究=Study on light extraction efficiency of GaN-based light-emitting diode chips[刊,中]／申屠伟进(清华大学电子工程系,集成光电 子学国家重点联合实验室．北京(100084)),胡飞…∥光电 子·激光．-2005,16(4)．-384-389 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极 管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN 与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取 效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的 正面出光的芯片光提取效率至少高20％;同时,低GaN光 吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效地增 加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下 时光提取效率较高。图6表3参13(严寒)     

低偏振高功率1 310 nm超辐射发光二极管的液相外延生长

对新月形超辐射发光二极管的液相外延生长过程进行了机理分析。利用Matlab软件对建立的非平面生长模型进行了理论计算,并利用扫描电镜(SEM)对液相外延生长的形貌进行了分析,通过理论计算与实验分析设计了获得低偏振、高功率超辐射发光二极管的外延结构。利用该结构研制的超辐射发光二极管芯片在100 mA工作电流、25 ℃工作温度下输出功率达到3.6 mW,相应的输出波长为1 306 nm, 光谱半宽为39 nm,光谱波纹为0.17 dB,偏振度为2%。     

1310 nm高功率超辐射发光二极管的制备及性能研究

为优化1 310 nm超辐射发光二极管输出性能,提高器件输出功率,针对J型波导结构的1 310 nm超辐射发光二极管的波导结构参数及器件散热能力进行研究。结果表明波导刻蚀深度、弯曲角度和绝缘层厚度是影响器件实现高功率输出的重要因素。基于研究结果对超辐射发光二极管器件结构及工艺进行优化,制备出脊宽5μm、弯曲角度8°、刻蚀深度1.7μm、绝缘层厚300 nm的J型超辐射发光二极管。该器件在室温及500 mA连续注入电流条件下,直波导长度1.5 mm时实现10 nm宽的输出光谱,输出功率达到42.2 mW。     

辐射与发光 光辐射与辐射源

O432．1 2005053214 可见-近红外(488～944nm)基于低温辐射计的高精度光 辐射绝对定标研究=Highly accurate calibration of optical radiation based on cryogenic radiometer at visible and near infrared spectrum(488-944 nm)[刊,中]／李双(中科院安 徽光机所遥感研究室．安徽,合肥(230031))．王骥…∥光 学学报．-2005,25(5)．-609-613     

辐射与发光 发光与发光器件

TN312．8 2005010011 基于蒙特卡罗模拟方法的光源用LED封装光学结构设计 =LED’s optical encapsulation structure design based on Monte Carlo simulation method[刊,中]／颜峻(福州大学电子科学与应用物理系．福建,福州(350002)),于映∥发光学报．-2004,25(1)．-90-94 引进蒙特卡罗(Monte Carlo)随机模拟方法对常规形式发光二极管(LED)的光学封装结构进行模拟,得出了     

噻吩基联苯乙烯蓝色发光材料的合成与发光性能

设计并合成了新型含噻吩基团的联苯乙烯类蓝色有机电致发光材料4,4′-双(2-苯基-2-(2-噻吩)乙烯基)-1,1′-联苯(TPVBi),通过红外、核磁共振、元素分析对其结构进行了表征。利用紫外可见吸收光谱、荧光光谱和循环伏安法等研究了其HOMO、LUMO能级及发光性能。TPVBi溶液的荧光发射峰值波长为451nm,薄膜的荧光光谱最大发射波长为464nm。循环伏安测得其氧化峰电位为1.227V。TPVBi的HOMO能级为-5.55eV,LUMO能级为-2.67eV。以TPVBi作为发光层制作了结构为ITO/CuPc(10nm)/NPB(30nm)/TPVBi(35nm)/TPBi(35nm)/Al(100nm)的有机发光二极管器件,并研究了该器件的电致发光性能。该器件在电压为19.5V时,达到最大亮度1782.3cd/m2,在电流密度为15.69mA/cm2时,最大电流效率为1.73cd/A;器件的发光CIE色坐标为x=0.25,y=0.40。     

辐射与发光 发光与发光器件

TN312.8 2006042820GaN基发光二极管的可靠性研究进展=Research and pro-gress in reliability of GaN-based LED[刊,中]/艾伟伟(北京工业大学光电子技术实验室.北京(100022)) ,郭霞…∥半导体技术.—2006 ,31(3) .—161-165从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐射复合中心增加等方面介绍了GaN基LED的退化机理以及提高器件可靠性的措施,并对GaN基LED的应用前景进行了展望。图5参23(于晓光)TN312.8 2006042821空间交会对接标志灯发光器件的选择与分析=Selectionand analyses for the luminous devices of …     

辐射与发光 发光与发光器件

TN312.820060100071W级大功率白光LED发光效率研究=Lumen efficiencyof1W-level high power white LED[刊,中]/李炳乾(佛山科技学院物理系.广东,佛山(528000))∥半导体光电.—2005,26(4).—314-316,361研究了1W级大功率白光发光二极管(LED)发光效率随功率变化的关系。实验结果表明,功率在0~0.11W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11W时,发光效率为15.6l m/W;当功率大于0.11W时,发光效率随功率增加开始减小;功率继续增加时,发光效率降低的速度越来越快。在器件额定功率1W附近,发光效率为13l m/W。发光效率随功率增加而下…     

发光层掺杂对红光OLED性能影响研究

制备高效率、高亮度的红光有机发光二极管是显示器实现全彩色的关键,对高性能的红光有机发光二极管器件研究具有十分重要的意义.本文主要研究了掺杂剂(DCJTB)浓度对红光有机发光二极管性能影响.实验采用真空热蒸镀的方法,选取结构为ITO／2-TNATA(20 nm)/NPB(30 nm)/AlQ(50 nm):(X%)DCJTB／AlQ(30 nm)／LiF(0.8 nm)／Al(100 nm)的红光器件,在高准确度膜厚控制仪的监控下,实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀.研究表明:红光掺杂剂掺杂浓度为(2.5~3.0)%时,在12 V电压下,可以得到发光亮度最高达到8 900 cd/m²,发光效率大于2.8 cd/A,且发光光谱波长为610~618 nm较为理想的红光有机发光二极管器件.     

辐射与发光 光辐射与辐射源

O432．1 2005042439 正电子面沟道辐射的非线性特征=Nonlinear properties for the planar channelling radiation of a positrons[刊,中]／韦洛霞(东莞理工学院．广东,东莞(523106)),李勇…／／发光学报．-2005,26(2)．-168-172 从Lindhard势出发,在小振辐近似下,将其展开到四次项;在经典力学的框架内,将粒子运动方程化为含立方项的二阶非线性微分方程。利用Jacobian椭圆函数和第一类全椭圆积分解析表示了系统的解和粒子运动的周期, 导出了正电子面沟道辐射的瞬时辐射强度、平均辐射强度和最大辐射频率,得到了与实验相符合的结果,指出了利用沟道辐射作为γ激光的可能性。参11(于晓光)     

光电子技术与器件 电视、电视技术

TN948．41 2005053727 CMOS 64×64焦平面高帧频摄影机的研制=Development of CMOS 64×64 focal plane camera with high frame-fre- quency[刊,中]／彭秀华(重庆光电技术研究所．重庆 (400060)),蒋志伟…∥半导体光电．-2005,26(1)．-62- 65 给出了CMOS 64×64焦平面高帧频摄像机的电路框 图,叙述了摄像机的工作原理。详细地叙述了焦平面、探 测器响应度、信号读出电路的设计以及摄像机的可靠性设 计,并给出了焦平面的工作时序图。图10(严寒)     

窗口吸收区结构超辐射发光二极管的优化设计与特性研究

本文从理论上对1.3μm InGaAsP/InP窗口吸收区结构超辐射发光二极管进行了优化设计.并在考虑增益饱和和热效应的条件下,用耦合速率方程模拟计算了该结构超辐射发光二极管的功率输出特性.分析研究了窗口区长、泵浦区长、有源层厚度和输出腔面反射率对其输出特性的影响.研究结果表明,由于窗口吸收区的有效散射和吸收,很好地抑制了F-P受激振荡,可用于实现高性能超辐射发光二极管.     

发光二极管负电容与复合发光关系

利用正向交流(ac)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象。通过对复合发光机理和发光二极管p-n结进行分析,得到了发光二极管在特定的正向电压范围内,由于发光概率复合急剧变化出现了＜0的现象;当＜0时,分析发光二极管结电容在正向偏压下对交流小信号的响应得到发光二极管表观电容的电流相位落后交流小信号电压相位,发光二极管表观电容表现为一个负电容。首次得到了发光二极管负电容与复合发光的关系表达式。     

InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管发光机理转变的低频电流噪声表征

本文对InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管开启后的电流噪声进行了测试, 结合低频电流噪声的特点和载流子之间的复合机理, 研究了低频电流噪声功率谱密度与发光二极管发光转变机理之间的关系. 结论表明, 当电流从0.1 mA到10 mA逐渐增大的过程中, InGaN/GaN发光二极管的电流噪声行为从产生-复合噪声逐渐接近于低频1/f噪声, 载流子的复合机理从非辐射复合过渡为电子与空穴之间载流子数的辐射复合, 并具有标准1/f噪声的趋势, 此时多量子阱中的电子和空穴之间的复合趋向于稳定. 本文的结论提供了一种表征InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光机理转变的有效方法, 为进一步研究发光二极管中载流子的复合机理、优化和设计发光二极管、提高其发光量子效率提供理论依据.     

辐射与发光 光辐射与辐射源

O432．1 2005010009 非相干辐射源的发展与应用=Development and application of incoherent light source[刊,中]／张北宁(东北电子技术研究所,辽宁,锦州(121000))∥光电技术应用.- 2004,18(2),-15-16,38 介绍了非相干光源的发展和应用．探讨了现阶段应用非相干红外辐射源的必要性。参3(杨妹清)