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<正> (一)DX中心与能带结构的关系 原来Lang等认为DX中心是AlxGa1-xAs中施主杂质与空位形成的络合物。奇怪的是它的浓度与Al的成分x有关。最近的实验彻底澄清了这个问题。因为AlxGa1-xAs能带结构随x的变化,与GaAs能带结构随压力p的变化相似,如果DX中心与能带结构有关,改变压力p与改变组分x应有相似效果。Mizuta等首先发现,对GaAs加压力到20多kbar时,DLTS测量出现一个峰。他们认为这个就是DX中心对应的峰。李名复等的进一步研究证实它 相似文献
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应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类 DX中心光离化能 Ei (~ 1.0 e V和 2 .0 e V)和发射势垒 Ee (0 .2 1e V和 0 .39e V) ,这表明 Zn S1 - x Tex大晶格弛豫的出现是由类 DX中心引起 相似文献
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用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和Al_xGa_(1-x)As缓冲层组份之间的关系。当Ⅴ族与Ⅲ族元素束流强度比增加时,以Al_(0.4)Ga_(0.6)As层作缓冲层的击穿电压比以GaAs层作缓冲层的击穿电压要高得多,而且在Al_(0.4)Ga_(0.6)As上生长的GaAs有源层具有很高的质量。 相似文献
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在掺硅分子束外延Al_xGa_(1-x)As中观察到一个持续光电导中心.当组份x=0.25时,热激活能为E_o=0.06eV.为了说明持续光电导主要来自该中心的贡献,必须确证样品不均匀性的贡献是次要的.提出了把迁移率温度关系作为判别标准. 相似文献
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本文报道了CSP Al_xGa_(1-x)As单模激光器的性能及其制造技术. 相似文献
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本文通过测量n-Al_xGa_(1-x)As/n-GaAs材料的表面光电压并推导了有关的计算公式,判定其光跃迁类型,从而计算出它们的禁带宽度,确定了Al的组分x;计算出它们的少子扩散长度.测量和计算的结果与SEM方法的测量结果基本一致. 相似文献
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Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析 总被引:1,自引:1,他引:0
用手册提供的元素相对灵敏度因子,将基体效应修正和离子溅射效应的修正用于Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱(AES)定量分析获得了比较满意的结果.在这种方法中避免了采用As为内标的内标法时测量元素相对灵敏度因子方面的不足.文中就文献给出的相对灵敏度因子及其离子溅射修正因子之间的差别进行了讨论. 相似文献
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本文将D.T.J.Hurle的点缺陷平衡模型推广到三元Ⅲ-V族化合物.从理论上计算了Sn、Ge和Te等元素掺杂Al_xGa_(1-x)As时,载流子浓度与液相杂质浓度的关系曲线.计算结果与实验值相符. 相似文献
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线性斜量子阱AlxGa1—xAs中的电子态 总被引:1,自引:0,他引:1
采用有效质量方法 ,计算了夹在两无限宽势垒层Al0 4Ga0 6As中的单个斜量子阱AlxGa1 -xAs中的束缚态电子包络函数和能级 ,并讨论了阱宽对能级的影响。 相似文献
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采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器外延材料。通过对量子阱红外探测器材料特性和器件特性的实验测试及理论分析,研究了量子阱红外探测器的响应光谱特性,并通过薛定谔方程和泊松方程的求解,对掺杂对量子阱能级的影响做了研究。结果表明,由于应力导致的能带非抛物线性使得阱中能级发生了变化,从而引起吸收峰向高能方向发生了漂移,而阱中进行适度的掺杂没有对量子阱能级造成影响,光致发光谱实验结果与之吻合较好。在光电流谱的实验分析基础之上,分析了量子阱阱宽、Al组分与峰值探测波长λ的关系,为量子阱红外探测器的设计优化提供了参考。 相似文献
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用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制作的HEMT器件在12GHz下,噪声系数0.76dB,相关增益6.5dB。 相似文献
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This paper has analyzed the AlxGa1 xAs liquid-phase epitaxy layer by Automatic Rotating-Analyzer Spectroscopic Ellipsometer. The energy of the incident light ranges from 1.959eV to 4.300eV. The refractivity n and extinction coefficient k of the epitaxy layer are found to be regularly changed with the x-values of the epitaxy layer.The n-E spectrum displayed a obvious peak among the measured values and the energy position related to the peak increases with increasing of x, which can be written as E= 2.88+ 0.87x. Thus the x value of the epitaxy layer can be obtained from the peak position of the n-E spectrum of the AlxGa1-xAs epitaxy layer by Automatic Rotating Analyzer Spectroscopic Ellipsometer. 相似文献
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