共查询到11条相似文献,搜索用时 59 毫秒
1.
2.
在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了三种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具,在3~8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果表明,采用阶梯阻抗滤波器偏置网络的测试电路性能较好,比采用扇形线偏置网络的测试电路具有更宽的带宽.该滤波器偏置电路能够用来在整个C波段,即在4~8GHz内对微波功率器件进行测试.但是,微带叉指耦合电容没有起到取代贴片隔直电容的目的,原因是该结构对参数精度要求高,而PCB制作工艺无法满足这个要求. 相似文献
3.
在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了三种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具,在3~8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果表明,采用阶梯阻抗滤波器偏置网络的测试电路性能较好,比采用扇形线偏置网络的测试电路具有更宽的带宽.该滤波器偏置电路能够用来在整个C波段,即在4~8GHz内对微波功率器件进行测试.但是,微带叉指耦合电容没有起到取代贴片隔直电容的目的,原因是该结构对参数精度要求高,而PCB制作工艺无法满足这个要求. 相似文献
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果. 制作了几种0.6μm栅长、100~1000μm不同栅宽的器件,对于栅宽分别为100, 300和500μm的器件,典型最大跨导为190~170mS/mm;截止频率比较相近,大约为24GHz;而最高振荡频率随栅宽增加而降低,分别为56, 46和40GHz. 测试了8GHz频率时,不同工作条件下1000μm栅宽器件的连续波微波功率特性:Vds=17V, Id=310mA, Pin=25.19dBm时,Po=30dBm (1W) ,Ga=4.81dB; Vds=18V, Id=290mA, Pin=27dBm时,Po=31.35dBm (1.37W) ,Ga=4.35dB. 相似文献