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1.
磁共振成像扫描过程中如果在K空间中出现尖峰噪声,将会严重影响图像质量. 该文提出了一种利用磁共振图像背景信息来定位并修复尖峰噪声的方法. 首先将K空间数据沿着频率编码kx和相位编码ky 2个方向分别进行一维傅立叶变换,然后在获得的2个中间域数据中,分别截取出背景区域, 进行一维反傅立叶变换得到与背景对应的频率域数据,通过对背景频率域数据的分析,获得尖峰噪声的kx和ky坐标,最后对异常点进行修复. 该算法可以很好地消除各种模式的尖峰噪声,与已有的算法相比,能够更好地处理K空间中连续多个相位编码行上出现尖峰噪声的情况,有效地消除图像伪影. 相似文献
2.
使用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,研究了Nb二维单层原子薄片的结构稳定性和电子结构性质.对其所有的二维晶格结构的计算表明,由于Jahn-Teller效应,对称性较高的正方和六角晶格都是不稳定的二维结构.而稳定的二维结构是由对称性较高的六角晶格畸变后形成的对称性较差的斜方和中心长方结构.Nb单层原子薄片不能形成长方晶格结构.通过计算电子结构和Jahn-Teller效应,进一步讨论了这些结构的相对稳定性以及各二维晶格结构的电子能带和态密度等性质.
关键词:
Nb原子薄片
Jahn-Teller效应
电子结构
从头计算 相似文献
3.
使用基于密度泛函理论的第一原理方法,对Fe单层原子薄片在二维正方、二维六角晶格下的电子结构和磁学性质进行了系统研究.结果表明,二维正方、二维六角以及bcc晶格在平衡晶格常数下都具有磁性,其单位原子磁矩分别为2.65,2.54和2.20μВ.对二维晶格在被压缩和被拉伸时的磁性计算表明,随着晶格的被拉伸,当最近邻原子间距大于4.40时,铁原子间的键合被拉断,体系单位原子的磁矩趋于孤立Fe原子的磁矩4μВ;随着原子键长的减小,各体系的磁矩
关键词:
Fe
原子薄片
磁性
从头计算 相似文献
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二维磁性材料是近几年新兴的研究领域,该材料在开发自旋电子器件等领域具备良好的应用潜能.为了了解二维磁性材料的磁性质,明确体系内各近邻磁性原子间的磁相互作用非常重要.第一性原理为各近邻磁交换参数的计算奠定了基础.目前各近邻参数的第一性原理计算常用的是能量映射法,但这种方法存在一定的缺陷.本文通过广义布洛赫条件推导了3种常见二维磁性结构的海森伯作用与Dzyaloshinskii-Moriya (DM)相互作用的自旋螺旋色散关系,这3种结构为四方结构,元胞包含一个磁性原子的六角结构,元胞包含两个磁性原子的六角结构.为了将本文推导的自旋螺旋色散关系应用于实际,我们通过第一性原理计算了一些材料的海森伯和DM作用的交换参数,这些材料分别是MnB,VSe2,MnSTe,Cr2I3Cl3.其中,MnSTe和Cr2I3Cl3都属于二维Janus材料,磁性原子层的上下层对称性破缺,整个体系存在DM相互作用. 相似文献
7.
基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究了三元金属间化合物SrAlSi在高压下的电子性质和晶格动力学性质.三元金属间化合物SrAlSi具有和MgB2类似的六角蜂巢状结构,Sr原子取代了Mg原子的位置,Al、Si原子无序地占据B原子的位子.通过对SrAlSi三元金属间化合物能带和三维费米面的计算,发现在压力的作用下SrAlSi费米面附近的能带发生电子拓扑变化,压力可以导致电子拓扑结构相变(ETTs).通过晶格动力学研究发现,在压力的作用下,SrAlSi的光学支沿着A-L-H方向逐渐软化,声学支逐渐变硬,说明金属间化合物SrAlSi在压力作用下结构不是很稳定,随着压力的继续增大,会有新的结构出现. 相似文献
8.
用linear mufin tin orbital能带方法,计算Si衬底上(ZnS)n/(ZnSe)n(001)超晶格的能带结构,计算中采用外加调整势进行带隙修正.在得到较准确的能带结构和波函数的基础上,计算该超晶格系统的光学介电函数虚部ε2(ω).结果表明,该超晶格系统的光学性质结合了ZnS和ZnSe体材料光学性质的特点,在相当宽的能量范围内有较好的光谱响应.并且该超晶格系统是直接带隙材料,在光电器件应用中有很大潜力.
关键词: 相似文献
9.
采用基于密度泛函理论和投影缀加平面波的第一性原理计算方法, 研究了六方氮化硼单层(h-BN)中的氮原子缺陷(VN)、氧原子取代氮原子(ON)和硫原子取代氮原子(SN)时的几何结构、磁性性质和电子结构.研究发现, VN和ON体系形变较小, 而SN体系形变较大; h-BN本身无磁矩, 但具有N缺陷或者掺杂后总磁矩都是1 μB; 同时给出了态密度和能带结构.利用掺杂体系的局域对称性和分子轨道理论解释了相关结果, 尤其是杂质能级和磁矩的产生.
关键词:
六方BN单层
第一性原理计算
密度泛函理论
分子轨道理论 相似文献
10.
本文发展文献[1]的方法到两种不同自旋的原子(Sa=1,Sb=1/2)构成的晶格中,计算了简单立方晶格在具有再次近邻反铁磁相互作用下在外磁场中的基态自旋结构、能量和相界。从文中给出的相图可知:这种晶格有两种反铁磁自旋结构,有四种亚铁磁自旋结构。
关键词: 相似文献
11.
采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下采用线性响应的密度泛函微扰理论研究了具有六角结构的BaVS3化合物的晶格动力学性质,得到了整个声子谱.计算得到的Γ点拉曼频率和实验数据进行了比较,其中E22g模、A1g模和实验测量值符合得比较好.对于E32g模,采用线性响应计算的结果与实验值差别较大.对该模应用冻结声子方法研究后认为差异主要是由于E32g模的较强的非谐性引起的.此外V原子在平面内的振动模E12u出现了虚频.虚频的出现预示着六角相的BaVS3结构的不稳定性,从而很好地解释了该材料由六角相到正交相的结构相变.
关键词:
晶格动力学
密度泛函
赝势方法
3')" href="#">BaVS3 相似文献
12.
在面心立方(fcc)、体心立方(bcc)和六角密堆积(hcp)3种不同结构晶体的自由电子能带模型中,发现4个最低能带与5个次低能带本征值的平均能量(称为平均键能,Em)与费米能级(EF)相当接近;并进一步在hcp结构的钛(Ti)、锆(Zr)和铪(Hf)以及bcc结构的铁(Fe)等金属中,采用从头赝势能带计算方法和平均键能计算方法,证实在这些金属的实际能带中,平均键能(Em)值仍然非常接近于费米能级(EF)值.该发现有助于进一步了解平均键能(Em)的物理内涵.
关键词:
平均键能
费米能级
能带结构 相似文献
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采用矢量平面波方法计算了由球形空气原子构成的体心立方结构和六角密堆结构的光子能带,两种结构下都看到了贯通整个布里渊区的禁带。本文预言周期性介电结构的最大折射率调制度和最大禁带宽度对应于同样的原子体积分数,而且这个最佳的原子体积分数是结构无关的。文中还计算了由各向异性介电小球构成的面心立方结构的光子能带并看到了禁带,这与各向同性介电小球构成的面心立方结构很不相同。 相似文献
15.
利用扫描隧道显微镜(STM)系统地研究了C60薄膜在GaAs(001)表面的异质外延生长.在GaAs(001)2×4-β相表面,观察到C60薄膜以非密排面进行生长,并在生长中有结构相变产生.实验数据表明,薄膜下层面心立方(fcc)的晶格常数比C60晶体的晶格常数要大13%;而薄膜的表层结构则展示了非理想的六角密堆(hcp)结构,其表面为hcp(1100)面,生长过程是非理想的层状生长模式.在GaAs(001)-c(4×4)衬底上,C60薄膜的表面仍然是fcc(111)面,其结构参数与C60晶体一致,但C60薄膜采用了三维模式进行生长
关键词: 相似文献
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采用基于密度泛函理论和平面波赝势技术的CASTEP程序对Zn1-xBexO合金电子结构和光学性质进行了计算.当0≤x≤1,其带隙从0.963 eV变化到7.293 eV.分析了晶格畸变和能带间排斥效应对带隙的影响.当Be含量x=0.125,0.25,0.375,0.5,0.625,0.75时,a/b轴压应变控制着带隙变化;当x=0.875,1时,c轴压应变控制着带隙变化.能带间的p-d排斥影响价带顶变动,Γ1v与Γ1c之间排斥影响导带底变动.这些能带间的排斥效应被用来分析Zn1-xBexO带隙变动.另外,也分析了Zn1-xBexO介电函数虚部ε2.
关键词:
带结构
光学性质
应变
排斥 相似文献
18.
采用嵌入原子势和分子动力学方法,模拟了单晶铁在一维应变条件下由体心立方(bcc)转变为六角密排(hcp)结构的微观过程. 当应变加载至相变临界值时,hcp相开始均匀形核并沿{011}晶面长大为薄片状体系.弹性常数C31和C32在相变前被逐渐硬化,C33则在相变前出现软化行为;当体系完全相变后,上述各弹性常数显示开始随体积压缩而迅速硬化,温度效应对晶格具有软化作用,可削弱C33的硬化和软化过程;样品在压缩过程可出现孪晶结构,孪晶结构使晶格发生剪切变形.混合相中,hcp相势能比bcc相高,最大剪应力方向与bcc相反向;系统的偏应力与hcp相质量分数近似呈线性关系.
关键词:
结构转变
分子动力学
一维应变 相似文献
19.
本文探讨LMTO-ASA能带从头计算方法在B1结构晶体研究中的应用。着重研究了该结构MgO晶体的晶格常数、体模量和结合能等有关静态性质以及能带结构计算中添加空原子球的重要作用,采用了一种计算量很小而准确度却与计算量很大的从头计算赝势法相当的LMTO研究方法。该方法对B1结构MgO晶体的晶格常数a0、体模量B0和结合能Ec的计算结果分别为:4.21?,1.58Mbar和5.73eV/atom,与已有实验结果和其它更为复杂的从头计算方法的计算结
关键词: 相似文献
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从Haun的PZT热力学理论出发,给出了PZT四方相区介电常数εr与晶格畸变c/a关 系的基本方程,并深入地根据相关实验资料和物理图像的合理推论,建立了关于晶格畸变c/ a与介电常数εr相互依赖的基本关系式.然后,根据该基本关系式仔细地研究了PZT四 方相区晶格畸变c/a对介电常数εr影响的物理图像.与相关实验资料比较表明,基本 关系式得到的介电常数εr随晶格畸变c/a的变化规律,与相关实验结果相比较,两者 吻合得
关键词:
晶格畸变
r')" href="#">介电常数εr
四方相
PZT 相似文献