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MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一。采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流于浓度高达2 ×1019cm-3,迁移率达120cm2/V·s的n型GaN:Si单晶膜;并有效地抑制了GaN中由深能级引起的黄带发射,大大提高带边发光强度。研究结果还表明:随着S掺杂量的增大,GaN:Si单晶膜的电子载流于浓度增加,迁移率下降,X光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺S量增大,GaN:Si单晶膜的生长速率显著下降的现象。 相似文献
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采用低压MOCVD生长技术制备GaN对其介面附近的发光特性及其温度行为进行了研究,实验表明界面附近GaN的发光呈一宽带发射,并对叠加于宽带发射上的尖锐发光峰及其温度行为进行了讨论。 相似文献
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GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
用金属有机化合物气相外延(MOVEP)方法生长具有不同表面形貌的非掺杂GaN,并对部分样品的外延层表面进行镜面加工.用阴极射线发光、光散射和拉曼散射方法观察GaN中深能级发光、缺陷散射光分布和拉曼散射光频移.结果表明,缺陷不但影响GaN的发光和光散射,而且影响拉曼频移 相似文献
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分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性 总被引:2,自引:0,他引:2
采用分子束外延技术在蓝宝石衬底上制备Mg掺杂的立方相p-GaN,并对其不同温度下的光致发光光谱进行了研究.实验观察到高Mg掺杂GaN中施主受主对发光的反常温度行为.理论分析表明,高Mg掺杂GaN中施主受主对的发光受到陷阱与受主间竞争俘获非平衡空穴过程和空穴隧穿输运过程的影响. 相似文献
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用MOCVD技术在Al2O3衬底上外延GaN的光致发光研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文通过变温和变激发强度的光致发光研究了用MOCVD在Al2O3上生长GaN单晶薄膜的带边发射,通过分峰拟合得到A,B,C,D四个谱峰,其中半峰宽分别为13.8meV,10.8meV,15.6meV,和50meV。A对应自由激子谱,B,C为两种束缚激子的跃迁,D与氧杂质谱有关。 相似文献
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为了改善白光LED用荧光材料效率低、均匀性差、光衰大、寿命短及物化性能差等不足,本文采用单晶荧光材料取代荧光粉来制备白光LED,并对白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能进行了研究.采用提拉法生长了白光LED用Ce∶YAG及Pr,Ce∶YAG晶体,并通过吸收光谱,激发、发射光谱对晶体材料的光谱特性进行表征.研究表明,Ce∶YAG单晶荧光材料可以被发射波长460 nm左右的蓝光芯片有效激发,产生一个范围为480~650 nm宽峰发射.通过Pr3+,Ce3+离子共掺杂可以有效补偿Ce3+离子单掺杂YAG荧光材料发光中的红色发光成分. 相似文献
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利用深能级瞬态谱(DLTS)和瞬态光电阻率谱(TPRS)研究了利用金属有机物化学汽相沉淀(MOCVD)生长的未有意掺杂的In0.49Ga0.51P中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程.利用DLTS测量观测到了一个激活能为0.37eV的缺陷,该缺陷的俘获势垒值介于180meV到240meV之间.该缺陷的俘获势垒值的大的分布被解释为缺陷周围原子重组的微观波动.在研究中发现研究这些缺陷的俘获过程比发射过程更有效,俘获势垒为0.06eV和0.40eV的两个缺陷在俘获过程中被观测到,而在发射过程中并没有观测到 相似文献
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GaN薄膜的蓝光和红光发射机理研究 总被引:6,自引:3,他引:3
由于生长工艺的不完善,非掺杂GaN薄膜中通常存在未知的杂质和缺陷,产生与这些未知杂质和缺陷能级相关的发光。报道了非掺杂GaN薄膜的692nm红色发光.并研究了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的发射机理;利用作者提出的吸收归一化光致发光激发光谱,直接测量出了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的初始态能级,确定蓝色发光为施主-价带跃迁复合,而红色发光为施主-受主跃迁复合;给出了黄、蓝、红光的发射模型。所取得的结果对于确定未知杂质和缺陷的种类具有重要的参考价值。 相似文献
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J. Mickevicius G. Tamulaitis P. Vitta A. Zukauskas M.S. Shur J. Zhang J. Yang R. Gaska 《Solid State Communications》2008,145(5-6):312-315
Carrier dynamics in GaN was studied using fluorescence lifetime measurement in the frequency domain technique in the temperature range from 8 to 300 K at very low and very high excitation levels. The study was performed in a high-quality GaN epilayer exhibiting a room-temperature nonequilibrium carrier lifetime of 2 ns, which was determined by a light-induced transient grating (four-wave mixing) technique. The results reveal the roles of donor–acceptor pair recombination and conduction band–acceptor recombination in yellow luminescence band formation. 相似文献
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The Raman spectra of unintentionally doped gallium nitride (GaN) and Mg-doped GaN films were investigated and compared at room temperature and low temperature. The differences of E2 and A1(LO) mode in two samples are discussed. Stress relaxation is observed in Mg-doped GaN, and it is suggested that Mg-induced misfit dislocation and electron–phonon interaction are the possible origins. A peak at 247 cm?1 is observed in both the Raman spectra of GaN and Mg-doped GaN. Temperature-dependent Raman scattering experiment of Mg-doped GaN shows the frequency and intensity changes of this peak with temperature. This peak is attributed to the defect-induced vibrational mode. 相似文献
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以n型单晶Si(111)为衬底,利用Au作为催化剂,在温度、N2流量和生长时间分别为1 100 ℃,1.5 L·min-1和60 min的条件下,基于固-液-固生长机制,生长了直径为60~80 nm、长度为数十微米的高密度Si纳米线。随后,以Y2O3粉末为掺杂源,采用高温扩散方法对Si纳米线进行了钇(Y)掺杂。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和荧光分光光度计对不同掺杂温度(900~1 200 ℃)、掺杂时间(15~60 min)和N2流量(0~400 sccm)等工艺条件下制备的Y掺杂Si纳米线的形貌、成分、结晶取向以及激发光谱和发射光谱特性进行了详细的测量和表征。结果表明,在掺杂温度为1 100 ℃,N2流量为200 sccm、掺杂时间为30 min和激发波长为214 nm时,Y掺杂Si纳米线样品表现出较好的发光特性。样品分别在470~500和560~600 nm范围内出现了两条发光谱带。560~600 nm的发光带由两个发光峰组成,峰位分别为573.6和583.8 nm,通过结构分析可以推测,这两个发光峰是由Y3+在Si纳米线的带隙中引入的杂质能级引起的。而470~500 nm较宽的发光带同样来源于Y离子在Si纳米线带隙中引入的与非晶SiOx壳层中氧空位能级十分接近的杂质能级。 相似文献
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研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381nm的近带边紫外发射峰和位于450nm的强的蓝绿带发射,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关,紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。 相似文献
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铈激活的钇铝石榴石(YAG:Ce)由高温固相反应制备.样品证明为纯的的石榴石物相.YAG:Ce的激发光谱为双峰结构,主要激发峰在460nm,与GaN的蓝光发射匹配.YAG:Ce的发射光谱为一宽带,波长范围从蓝绿到红,主峰波长为540nm,能与GaN的蓝光组合形成高亮度白光.YAG:Ce在漫反射光谱中的的两个吸收峰与YAG:Ce的激发峰相吻合,进一步证明了铈激活的YAG对GaN蓝光的有效吸收.YAG:Ce有很高的发光强度和高达89%的量子效率. 相似文献
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Hajime Asahi Shigehiko Hasegawa Yi-Kai Zhou Shuichi Emura 《Journal of luminescence》2012,132(12):3136-3140
InGaGdN layers and InGaGdN/GaN superlattice (SL) structures were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. InGaGdN layers exhibited photoluminescence emission at room temperature and its peak wavelength was red-shifted with the increase of In composition. Clear hysteresis and saturation were observed in the magnetization versus magnetic field curves at room temperature for the InGaGdN layers. Si co-doping into InGaGdN layers increased the electron carrier concentration and enhanced the magnetization. In the InGaGdN/GaN SL samples, enhanced magnetization was also observed. Si doping into wide bandgap GaN layers in these SL structures further increased the magnetization, where InGaGdN layers were not doped with Si. All these results can be understood with the carrier-mediated ferromagnetism. 相似文献
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Miasojedovas S Butkus M Jursenas S Lucznik B Grzegory I Suski T 《Micron (Oxford, England : 1993)》2009,40(1):118-121
Luminescence properties of 100-mum thick GaN epilayers grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) over three different substrates: high-pressure grown n-type bulk GaN (HP-n-GaN), high-pressure bulk GaN doped with magnesium (HP-GaN:Mg), and free-standing HVPE lifted-off from sapphire (FS-HVPE-GaN), were compared by means of one-photon and two-photon excitations. The contribution of carrier capture to nonradiative traps was estimated by the analysis of luminescence transients with carrier diffusion taken into account. The estimated values of carrier lifetime of about 3ns and diffusion coefficient of 1cm(2)/s indicate the highest quality of GaN epilayers on FS-HVPE-GaN substrates. 相似文献
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利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN:Mg薄膜特性进行研究发现:除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外,大部分Mg原子以间隙原子状态(Mgi)存在,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度,致使薄膜质量变差;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主—浅受主)复合引起,其中D为MgGaVN
关键词:
GaN∶Mg
异质外延
扫描电子显微镜
拉曼散射
光致发光谱 相似文献