工业晶体生长

本文考察了一些典型的晶体材料及其工业生长技术,如提拉法生长硅单晶,水热法生长水晶,VGF法生长GaAs,下降法生长锗酸铋,壳熔法生长锆石等,探讨了工业晶体生长的特点和发展方向.     

Bas晶体生长研究进展

立方砷化硼(BAs)为间接带隙、闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料.理论分析预测BAs具有仅次于金刚石的超高热导率,在电子器件散热领域表现出广阔应用前景,成为当前的研究热点.近年来立方BAs单晶材料的制备取得突破性进展,采用化学气相传输法(CVT)合成了毫米尺寸的高质量单晶,室温下热导率高达1300 W·m-1·K-...     

KADP晶体生长研究

采用水溶液降温在法在以ＡＤＰ为主的溶液中生长了不同组成的ＫＡＤＰ晶体。测定了相应溶液的准稳定区，较系统地研究了溶液中ＫＤＰ含量对晶体形态的影响，初步探讨了晶体开裂的机理，提出了以ＡＤＰ晶体作籽晶时，ＫＡＤＰ晶体生长溶液中ＫＤＰ的最高浓度，以及进一步提高ＫＤＰ浓度的可能途径。所生长的ＫＡＤＰ晶体的波长３００－９００ｎｍ范围内的透过率均在７０％以上。     

《晶体生长微观机理及晶体生长边界层模型》书评

殷绍唐先生所著《晶体生长微观机理和晶体生长边界层理论模型》一书由科学出版社在年前出版了,尽管早已读过这本书的初稿,出版后重学此书,还是收获和感慨良多.     

Yb:FAP晶体生长

采用中频感应提拉法生长了Yb：FAP晶体。对晶体生长中影响晶体质量的因素特别是原料的处理、CaF2的挥发等进行了研究和讨论。运用ICP-AES测定Yb^3＋离子在Yb：FAP晶体中的分凝系数。对Yb：FAP晶体进行了高分辨X射线的四圆衍射实验,结果表明晶体具有比较高的晶格完整性。     

晶体生长界面相研究

在分析前人的晶体生长理论时,作者认为晶体生长过程中可能存在界面相;在分析各种晶体生长现象后认为,晶体生长过程中界面相是存在的,并起着十分重要的作用;通过分析研究,将晶体生长过程中的界面相划分为3个有机的组成部分：界面层、吸附层和过渡层;并进一步论述了界面层、吸附层和过渡层在晶体生长过程中的地位与作用;在此基础上提出了界面相模型。     

炼丹术和气相晶体生长

本文简要论述了炼丹术的兴起、发展、衰落,并试图从晶体学的角度阐述中国古代炼丹术对本草学、矿物学、近代化学及气相晶体生长的贡献.通过对古人相当分散记载的历史文献的搜集、整理,展示我国古代的气相晶体生长的概貌,论述了炼丹术和气相晶体生长的关系,探讨了炼丹术衰落的原因,最终得出气相晶体生长起源于中国古代的炼丹术,银珠(灵砂)是最早采用气相法生长的人工晶体这一结论.     

氟化钙晶体生长的研究进展

随着深紫外光刻技术的发展,透光范围宽、透过率高的CaF2晶体成了人们关注的焦点,其尺寸和质量得到了不断的提高.结合CaF2的基本性质,综述了CaF2晶体的主要生长方法及存在的问题.从原料的纯化处理到晶体的光学加工,归纳总结了提高紫外级CaF2晶体的尺寸、质量和产率的有效措施.     

氧化锌晶体生长基元模拟

本文利用Hyperchem分子模拟软件对氧化锌晶体生长基元Zn(OH)42-进行了系统的模拟.通过模拟分析生长基元的结合方式,提出了生长基元的结合规律.结果表明:Zn原子数(生长基元)与共用O原子数(O桥)的比例越大所形成的络合物越稳定;当分子中Zn原子和共用O原子比例一定时,羟基数目越少则越稳定.并且通过计算机模拟生长基元直线状结合情况解释了单晶ZnO纳米线状或纳米棒状的结构很难在实验中获得的原因.     

AgGaS2晶体生长裂纹研究

从理论和实验上对AgGaS2晶体生长中易产生裂纹甚至开裂的现象与其热应力、晶体尺寸以及温度梯度、生长速率等生长参数之间的关系进行了研究.结果表明:晶体产生裂纹甚至开裂与生长速率、坩埚旋转速率、冷却速率所造成的热应力和热应变有关.采用改进的Bridgman法成功地生长出尺寸为φ12mm×30mm无裂纹的AgGaS2单晶体,给出了制备无裂纹、大尺寸AgGaS2晶体的较佳生长工艺参数.     

提拉法晶体生长数值模拟研究进展

数值模拟方法是了解晶体生长过程中各种物理现象和问题的重要手段,可以为晶体生长工艺参数的设定、温场设计等提供参考.本文介绍了最近几十年来数值模拟技术对提拉法生长晶体过程中物理问题的研究进展,同时对晶体生长过程中界面形状、液流、速度场、温度场、各种输运过程以及工艺条件和参数对晶体生长的影响等的数值模拟进行了介绍.     

电离对晶体生长的作用

为什么有的晶体材料容易生长,而有的则很难.本文通过分析溶液或熔体的电离状态对晶体生长的影响,认为晶体生长的难易程度主要决定于该晶体材料在液相状态下电离度的大小,电离是所有化学键晶体生长的必要条件.通过比较各类晶体生长难易程度与价键结构及其化学元素组成的关系,认为:以偏离子性键、金属键结合的材料,在熔体状态下的电离度大,容易形成晶相;以偏共价键结合的化合物电离度小,难于生长单晶体,但容易制作非晶或纳米材料.