巯基硅烷纳米薄膜修饰金电极测定痕量汞(Ⅱ)

采用3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTS)为单一硅源合成有机硅纳米材料,将其组装到金电极表面,制备MPTS薄膜修饰电极。采用原子力显微镜和透射电镜表征有机硅纳米,粒径为3.3~5.7nm;采用方波溶出伏安法测定该修饰电极对汞的响应信号。结果表明,该修饰电极对痕量汞有高灵敏响应。在0.1mol/L HCl中,于-0.4V电位下富集10min,溶出峰电流与其浓度在1.5×10-12~75.0×10-12 mol/L范围内呈线性关系,相关系数为0.9980,检出限为5.0×10-13 mol/L。该方法用于实际水样中汞的测定,与原子荧光光谱法进行比较,结果基本一致。     

静电纺ZnO/碳复合纳米纤维修饰电极制备及对痕量铅的测定

以ZnCl2与聚丙烯腈(PAN)混合液为前驱液,利用静电纺丝技术制备ZnCl2-PAN纳米纤维,经预氧化和碳化处理得到ZnO纳米粒子负载碳复合纳米纤维(ZnO-CNF)。扫描电子显微镜(SEM)显示,ZnO纳米粒子在CNF表面均匀分散,粒径为20~30 nm。接触角测试表明,ZnO的存在使纤维表面的润湿性明显改善。将ZnO-CNF复合纤维与Nafion在乙醇中均匀分散,采用滴涂法制备ZnO-CNF修饰玻碳电极,SEM及循环伏安(CV)证明复合物膜的成功修饰。方波溶出伏安分析(SWV)表明,此修饰电极对痕量铅有灵敏的选择性响应。通过实验条件优化,在0.1 mol/L HAc-NaAc(pH=4.6)缓冲溶液中,-1.0 V电位下富集10 min,Pb2+溶出峰电流与其浓度在2.4×10-10~2.4×10-7mol/L范围内呈良好的线性关系(R=0.9980),检出限为4.8×10-11mol/L,抗干扰性强,稳定性好。利用本方法测定了实际水样中铅的含量,并与电感耦合等离子体-质谱法(ICP-MS)进行对比,结果一致。     

硒碳糊电极微分电位溶出法测定铜和铋

建立了掺杂硒碳糊电极同时测定铜和铋的微分电位溶出法。在HCl(0.05mol/L)中,在-0.3V(vs.Ag/AgCl)下,Cu2+和Bi3+电沉积在电极表面,再在溶液中溶解氧的作用下,铜和铋从电极表面溶出,分别于0.30V和0.02V获得灵敏的电位溶出峰。微分电位溶出峰高(dt/dE)与铜和铋的浓度成线性关系,线性范围为5.0×10-9～1.55×10-7mol/L,检出限分别为4.0×10-9和2.5×10-9mol/L(S/N=3)。方法用于实际样品中铜和铋的测定,结果令人满意。     

血红蛋白在二维纳米金Langmuir—Blodgett单层膜修饰电极上的直接电化学

利用Langmuir-Blodgett(LB)技术在氧化铟锡(ITO)电极上制备了分散均匀的二维纳米金单层膜,并将血红蛋白(Hb)直接固定于该修饰电极表面,研究了Hb在电极上的直接电化学行为.实验结果表明:纳米金可以改善Hb和电极间的直接电子传递,提高电子传递效率.Hb/Nano-Au修饰电极在pH 5.0～9.0范围内的式电位与溶液pH呈线性关系,斜率为-57 mV/pH,说明Hb的电子传递过程伴随质子转移;该修饰电极对H2O2具有良好的催化作用,在0.1 mol/L pH 7.0 的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,H2O2在2.5×10-6～4.1×10-4 mol/L浓度范围内与响应电流呈良好的线性关系,检出限为6.2×10-7 mol/L;其异相电子转移速率常数为0.66 s-1,米氏常数为0.20 mmol/L.     

聚邻苯三酚修饰电极的制备及其对铜(Ⅱ)的测定

采用电化学方法在pH 7.0磷酸缓冲溶液(PBS)中,将邻苯三酚氧化电聚合制成稳定的水不溶性膜修饰在玻碳电极(GCE)表面,将制得的膜修饰电极(PPG/GCE)在一定电位下选择性预富集铜(Ⅱ),并用差分脉冲溶出伏安法测定。结果表明,该膜修饰电极对铜(Ⅱ)的富集作用明显强于裸玻碳电极。对电聚合条件、富集和溶出介质、还原时间、富集电位等实验参数进行了考察,在优化实验条件下,Cu(Ⅱ)的浓度在5.0×10-8~1.0×10-5mol/L范围内与阳极氧化峰电流呈线性关系,相关系数为0.998 1,检出限为1.0×10-9mol/L。制得的修饰电极具有较高的灵敏度和选择性,可用于实际样品人发的分析,样品的回收率为99%~104%。     

纳米氧化铁修饰玻碳电极检测痕量镉离子

制备了一种纳米氧化铁修饰玻碳电极,并研究了镉离子在该修饰电极上的溶出伏安行为。结果表明,纳米氧化铁颗粒能有效促进镉离子的溶出伏安响应。在pH 6.0的磷酸缓冲溶液中,镉离子能有效吸附在纳米氧化铁表面并在-1.0 V时被还原。被还原的镉在正向扫描过程中可以重新氧化,并在-0.85 V处出现一明显的溶出伏安氧化峰。该峰电流随镉离子浓度的增大而增大,可用于对镉离子的检测。在最佳检测条件(pH 6.0,富集时间350 s,富集电位-1.0 V)下,镉离子的响应电流与其浓度在6.0×10-10～1.0×10-8mol/L以及1.0×10-8～1.0×10-5 mol/L范围内呈良好线性,检出限(S/N=3)为1.0×10-10 mol/L。干扰实验结果表明,一些常见的阳离子以及阴离子对镉离子的检测无明显干扰。将该方法用于实际样品的检测,回收率良好。     

聚苏木精修饰玻碳电极测定酪氨酸

通过在玻碳电极上电聚合聚苏木精的方法制备了聚苏木精修饰电极,研究了酪氨酸在修饰电极上的电化学行为。在0.1 mol/L磷酸盐缓冲溶液(pH3.0)中,富集电位为-0.3 V,富集时间为180 s,氧化峰电流与酪氨酸的浓度在5.0×10-6～1.0×10-4mol/L的范围内呈良好的线性关系,检出限为3.0×10-7mo...     

基于十六烷基三甲基溴化铵存在下铅、银离子的高灵敏度电化学测定

报道了在适量十六烷基三甲基溴化铵 (CTMAB)存在下 ,高灵敏度测定水体中铅、银离子的化学修饰碳糊电极。在pH 2 .5 0 .1mol LKNO3溶液中 ,铅、银离子在钠型蒙脱石修饰碳糊电极上通过离子交换而富集 ,同时被还原。在阳极扫描过程中 ,分别在 - 0 .5 2V和 0 .2 3V(vs.SCE)处出现灵敏的溶出峰。详细研究了测定水样中铅、银离子的条件 ,如介质的pH、CTMAB用量、修饰剂用量、富集电位和时间等。该修饰电极连续测定铅、银离子的线性范围为 5 .0× 10 - 9mol L～ 1.0× 10 - 7mol L(Pb2 + )和 8.0× 10 - 9mol L～ 1.0× 10 - 7mol L(Ag+ ) ,富集 4min后检出限分别为 1.0× 10 - 1 0 mol L(Pb2 + )和 3.0× 10 - 1 0 (Ag+ )。     

CTAB存在下双酚A在纳米氧化锌/碳纳米管复合材料修饰电极上的电化学行为及测定

利用水热法合成了纳米氧化锌/碳纳米管复合材料,将该复合材料滴涂在玻碳电极表面,制得纳米氧化锌-碳纳米管复合材料修饰电极(ZnO-MWCNTs/GCE)。在阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)存在下,利用循环伏安法研究了双酚A在修饰电极上的电化学行为。考察了溶液pH值、CTAB浓度和富集时间等对测定的影响。结果表明,在pH 7.0的含8.0×10-5mol/L CTAB的磷酸盐缓冲液中,该修饰电极对双酚A具有良好的电化学响应,双酚A在修饰电极上的氧化峰电流为裸电极上的7倍。在优化条件下,采用差分脉冲伏安法对双酚A进行测定。双酚A的峰电流在5.0×10-8~1.5×10-5mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为1.0×10-8mol/L。对1.0×10-5mol/L双酚A平行测定8次的相对标准偏差为4.6%。该法用于塑料制品中溶出双酚A的测定,回收率为99%~107%,结果满意。     

有序介孔碳-壳聚糖修饰玻碳电极差分脉冲溶出伏安法测定痕量锡(Ⅱ)

将有序介孔碳(OMC)分散于壳聚糖(CTS)溶液,并用于修饰玻碳电极,制成有序介孔碳-壳聚糖修饰玻碳电极(OMC-CTS/GCE),用差分脉冲溶出伏安法研究锡(Ⅱ)在该电极上的溶出伏安特性。实验发现,在1.0mol/L盐酸中,锡(Ⅱ)在-1.2V处被富集在修饰电极表面,在0.0～+1.0V电位范围,以100mV/s的速率扫描,锡(Ⅱ)在+0.35V处产生一灵敏的溶出峰,峰电流与锡(Ⅱ)的浓度在5.0×10-8～1.0×10-5mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为2.2×10-9 mol/L。方法用于合金中痕量锡(Ⅱ)的测定,结果同火焰原子吸收光谱法(FAAS)测定结果一致。     

芦荟大黄素1.5阶微分阳极溶出伏安法测定及电化学性质研究

研究了芦荟大黄素在以 0 .1mol/LHAc (pH 2 .89)为支持电解质 ,玻碳电极为工作电极的吸附伏安行为 .结果表明芦荟大黄素存在一个准可逆的双电子转移过程 ,其峰电流Ip 和峰电位Ep 与溶液 pH值有关 .同时还建立了用 1.5阶微分阳极溶出伏安法测定含量的新方法 .在 - 0 .80V(vs.SCE)电位下富集 ,可得一灵敏的微分阳极溶出峰 ,峰电位Ep 为 - 0 .38V ,峰电流Ip 与芦荟大黄素的浓度在 2 .0× 10 - 7～ 8.0× 10 - 6 mol/L范围内成线性关系 ,最低检出限为 1.0× 10 - 7mol/L .该法用于含有芦荟大黄素体系的测定 ,具有简便、快速、准确等优点     

石墨烯/聚邻苯二胺膜修饰碳糊电极电催化性能的研究

研制了一种新型的石墨烯/聚邻苯二胺膜饰碳糊电极(GR/PPD/CPE)。在NaH2PO4-Na2HPO4缓冲溶液(pH 7.3)中,利用循环伏安法研究了对苯二酚(HQ)和邻苯二酚(CC)在该修饰电极上的电化学行为,利用线性扫描溶出伏安法研究了扫速与峰电流或峰电位的关系,利用微分脉冲溶出伏安法测定了HQ和CC的含量,线性范围分别为6.5×10-7~5.0×10-4mol/L和1.0×10-7~5.0×10-4mol/L,检出限(S/N=3)分别为8.0×10-8mol/L和2.0×10-7mol/L。方法用于自来水样中的HQ和CC的测定,回收率在96.5%~102.5%之间。     

邻苯三酚红修饰碳糊电极阳极溶出伏安法测定痕量锡的研究

研制了邻苯三酚红(PR)修饰碳糊电极,研究了采用该电极测定痕量锡的阳极溶出伏安法.在0.15 mol/L乙酸盐缓冲溶液(pH 4.5)中,通过开路富集,Sn(Ⅳ)与修饰电极表面的邻苯三酚红生成络合物而富集于电极表面,然后介质交换至4.0mol/L盐酸中,于-0.80 V还原后再进行阳极化扫描,于-0.69 V左右获得一灵敏的Sn的溶出峰,二次导数峰电流与Sn(Ⅳ)浓度在1.68×10-8～1.68×10-6mol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限达8×10-9mol/L.对电极反应机理进行了讨论,方法已应用于罐头食品中锡的测定.     

微分电位溶出法测定白酒中微量铅

应用微分电位溶出法测定白酒中微量铅,测定时采用三电极系统(镀汞玻碳电极,饱和甘汞电极,铂电极)。在pH2.0～5.0酸度条件下,铅(Ⅱ)在-1.10V预富集60s,在-0.10～-0.90V区间记录溶出电位,铅(Ⅱ)的溶出电位在-0.44V。铅(Ⅱ)的溶出峰高与铅(Ⅱ)浓度在0～10μg·L-1区间内呈线性关系。方法的检出限为0.2ng·ml-1,RSD(n=6)为1.17%,回收率为96%,与AAS法作比较,结果一致。     

基于脱氢枞胺基希夫碱-多壁碳纳米管修饰电极测定铅

采用脱氢枞胺基希夫碱和多壁碳纳米管复合材料修饰玻碳电极,以循环伏安法和示差脉冲阳极溶出伏安法研究此修饰电极的导电性能,及Pb2+在此电极上的电化学行为。结果表明,修饰电极在0.2 mol/L HAc-NaAc缓冲体系(pH 5.5)中,于!1.1 V下沉积250 s,Pb2+在1.0×10!8~1.0×10!6mol/L范围内与溶出峰电流呈良好的线性关系,线性回归方程为I(μA)=6.6173C(μmol/L)+0.2597(R=0.9971),检出限为5.0×10!9mol/L(S/N=3)。将此修饰电极用于水样品中Pb2+检测,结果令人满意。本方法操作简便,耗时短,具有很好的准确性、灵敏度和选择性,实现了水样中低浓度铅的准确、快速测定。     

镍纳米粒子修饰碳糊电极直接电催化鸟嘌呤的研究

将镍纳米粒子与石蜡、石墨按照一定比例混合制备镍纳米粒子修饰碳糊电极,采用循环伏安法(CV)对修饰碳糊电极进行电化学表征,在0.1 mol/L B-R缓冲溶液(pH4.5)中研究了鸟嘌呤在该修饰电极上的电化学行为。结果表明,与裸碳糊电极相比,以掺杂法制备的镍纳米粒子修饰电极能够明显降低鸟嘌呤的过电位,增大其氧化电流,很好地催化氧化鸟嘌呤。在优化的实验条件下,鸟嘌呤在该修饰电极上的氧化峰电流与其浓度在1.0×10-5~5.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限(3σ)为7.5×10-6mol/L。     

痕量Pb2 在nano-TiO2膜电极上的电化学行为及应用研究

利用纳米二氧化钛(nano-TiO2)的结构特性制备了一种nano-TiO2膜修饰的玻碳电极.采用阳极溶出伏安法详细研究了Pb2 在nano-TiO2膜修饰玻碳电极上的电化学响应行为,并对各种实验参数进行了优化.实验结果表明,在0.10 mol/L HAc-NaAc缓冲体系(pH 4.0)中,于-1.2 V富集搅拌480 s,再静置60 s后阳极化扫描,Pb2 在-0.48 V左右出现一灵敏的阳极溶出峰.Pb2 的溶出峰电流与其浓度在2.0×10-9 ～1.0×10-7 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限可达1.0×10-10 mol/L.该修饰电极具有一定的抗干扰能力,将其应用于实际水样中Pb2 的检测,结果令人满意.     

姜黄素的电化学性质及其测定

在0.1 mol/L磷酸盐缓冲液(pH 3.0)中,姜黄素于玻碳电极上存在可逆的单电子转移过程,据此,本文建立了以差示脉冲伏安扫描法检测姜黄素含量的新方法.在+0.8V(vs.SCE)电位下,含姜黄素的电解液(试样)于玻碳电极上经过富集,可得一灵敏的还原峰,峰电位Ep为+0.386V.峰电流Ip与姜黄素浓度(1.0×10-8~2.5×10-7mol/L范围内)成线性关系,最低检出限为4.0×10-9mol/L.本法操作简单、快速、灵敏、准确,可用于药物中姜黄素含量直接测定.     

镁铝水滑石和纳米TiO_2复合膜修饰玻碳电极检测Pb(Ⅱ)

分别采用共沉淀法和溶胶-凝胶法合成了MgA l水滑石和锐钛矿型纳米TiO_2,进行了XRD和TG-DTA表征。将两者按一定比例混合,制备成修饰的玻碳电极。采用示差脉冲伏安法详细研究了Pb~(2+)在修饰玻碳电极上的电化学响应行为,并对各种实验影响因素进行了优化。结果表明,在0.1 moL/L的NaA c-HAc缓冲溶液中,当pH=4,MgA l水滑石与TiO_2的质量比为1:1,制膜的滴涂量为9μL时,1×10~(-5)mol/L的Pb~(2+)在-1.2V富集1.5 min后,进行电化学扫描,Pb~(2+)在大约-0.47 V出现一灵敏尖锐的溶出峰,溶出峰电流与其浓度在1×10~(-9)~2×10~(-7)mol/L范围内呈良好线性关系,检出限为1.0×10~(-10)mol/L,表明复合膜修饰玻碳电极检测铅离子效果很好。     

5-HIAA在MWNT-Nafion修饰电极上的伏安行为

研究了在磷酸盐缓冲溶液(pH 7.0)中,5-羟基吲哚乙酸(5-HIAA)在MWNT-Nafion修饰电极上的电化学行为.5-HIAA在MWNT-Nafion修饰电极上出现一个灵敏的氧化峰.与裸玻碳电极相比,MWNT-Nafion修饰电极提高5-HIAA的氧化峰电流.优化了各项测定参数,建立了一种直接测定HIAA的电分析方法.富集电位为-0.5 V,富集时间为300 s,氧化峰电流与5-HIAA的浓度在9.95×10-5～7.98×10-3 mol/L之间有良好的线性关系,检出限为2.5×10-6 mol/L.