ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究

本文介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（简称ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）法淀积８０８ｎｍ大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺,给出了工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性．     

ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用

电子回旋共振等离子体化学气相淀积（ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一．本文报道了ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ法淀积介质膜的工艺以及介质膜的特性等     

ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究

本文介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（简称ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）法淀积８０８ｎｍ大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺,给出了工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性．     

980 nm大功率高阶光栅锥形半导体激光器

为了获得高功率、窄线宽和近衍射极限输出的半导体激光器,采用高阶光栅（high order Bragg gratings,HOBGs）和主控振荡功率放大器（Master Oscillator Power-Amplifier,MOPA）结构,成功研制出一种980 nm波段的HOBGs-MOPA半导体激光器。该激光器采用周期为11.37 μm的高阶光栅进行光模式选择,通过锥角为6°的锥形波导将单模激光功率放大,实现了输出功率2.8 W,3 dB光谱线宽31 pm,光束质量因子M ²为2.51的窄线宽激光输出。     

980nm高功率列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（100Hz,100μs）输出功率达到80W（室温）,峰值波长为978－981nm。     

980 nm高功率列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素．利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱激光器材料．利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（１００ Ｈｚ,１００ μｓ）输出功率达到 ８０Ｗ（室温）,峰值波长为 ９７８～９８１ｎｍ．     

ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟

用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积（ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）镀膜工艺建立了一个介质膜折射率ｎ关于气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）的数学模型．在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好．     

980nm大功率半导体激光器的MOCVD外延生长条件优化

为了对980 nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征,设计了相应的双异质结(DH)结构和量子阱(QW)结构,并在不同条件下进行了MOCVD外延生长,通过室温荧光谱测试分析,得到Alo.1Ga0.9As波导层的最佳生长温度为675℃,InGaAs QW的最佳长温度为575℃.为了兼顾波导层需高温生长和QW层需低温生长的需求,提出在InGaAsQW附近引入Alo.1Gao.9As薄间隔层的变温停顿生长方法,通过优化间隔层的厚度,InGaAs QW在室温下的PL谱的峰值半高宽只有23 meV.基于优化的外延工艺参数,进行了980 nm大功率半导体激光器的外延生长,并制备了腔长4 mm、条宽95 μm的脊形器件.结果显示,在没有采取任何主动散热情况下,器件在30A注入电流下仍未出现腔面灾变损伤,输出功率达到23.6W.     

大功率半导体激光器二元光学消像散准直器件设计

半导体激光器发出的光束具有较大的发散角且存在像散,严重影响了其应用。基于对半导体激光器远场分布的准确了解,提出了一种二元光学消像散准直器件的设计方法,并给出了详细的设计原理及过程。依据已知光束等相位面的具体分布（光束的像散因子也包含在其中）,可得到二元光学器件的相位分布,使光束经过此二元光学器件后,等相位面成为平面,达到了准直、消像散的目的。此方法简单、直观,具有很高的准确性和可行性。所得二元光学器件表面具有多位相的浮雕结构。     

808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计

推导出半导体激光器前腔面和后腔面上的入射激光功率之比,阐述了后腔面膜电场强度优化设计的重要性.从实际问题出发在以往腔面膜的研制基础上,选择适合制备808nm大功率半导体激光器腔面的镀膜材料.给出了镀制腔面膜过程中会出现的种种关键问题的解决方法,针对各种具体应用提出几种前腔面设计方案.得到后腔面电场强度优化设计的膜系.     

980 nm半导体激光器腔面膜与腔面光学灾变的改善

腔面光学灾变(COD)是影响半导体激光器高功率输出和可靠性的重要问题。不同腔面膜的器件,其腔面光学灾变阈值差别很大。使用离子辅助沉积(IBAD)的工艺可以使基片表面更清洁,膜层更为牢固致密,同时可以改善由吸收、散射等损耗带来的激光输出功率下降。采取N2氛围中在激光器的腔面上涂镀不同的增透膜与介质高反膜来提高腔面光学灾变阈值。 以980 nm半导体激光器为例,进行对比实验,从老化结果中可以看到不同工艺与不同材料选择下腔面膜的腔面光学灾变的明显改善。     

采用磁控管方式溅射的电子回旋共振等离子体沉积技术的研究

将磁控管方式溅射用于微波ＥＣＲ等离子体沉积技术。在低气压和低温下沉积了高度Ｃ轴取向的ＺｎＯ薄膜,其膜的沉积速率比普通ＥＣＲ溅射中所得到的速率大得多,并且在Φ１２ｃｍ的膜区域内显示出良好的均匀性。     

980nm半导体激光二极管的温度特性

测试并分析了980nm半导体激光二极管( SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。结果反映:在测试范围内,温度不变时该模块的输出光功率随注入电流的增大而增加,经历了自发辐射和受激放大过程;电流不变时该输出光功率随管芯温度的变化基本保持稳定。温度不变的情况下,当注入电流小于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而较快增加,当注入电流大于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而缓慢增加;电流不变时峰值长、3dB带宽和消光比随温度升高而有所增大。     

用激光等离子体气相沉积法制备类金刚石薄膜及光学性质研究

用高功率Nd~(3+):YAG脉冲激光轰击石墨靶,成功地制备出无氢的类金刚石碳膜(DLC)。用吸收光谱分析法研究了不同制备条件下样品的光学带隙。发现在衬底温度不变时,样品的光学带隙随生长室内靶衬之间的加速电压而变化,公700～1000 V的加速电压下制备的薄膜具有较大的光学带隙。     

化学气相沉积光学级金刚石薄膜的研究进展

化学气相沉积（CVD））金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视,关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能,着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论,并对今后的研究作了展望。     

有机半导体薄膜的光学和电学性质研究

采用真空热蒸镀技术制备了NPB有机半导体薄膜和单层夹心结构器件,通过透射谱测量研究了薄膜的光学能隙、折射率和消光系数等光学性质,结果表明有机半导体薄膜具有直接带隙半导体的光学性质,并且其折射率色散性质遵循单振子模型.另外,通过分析器件的电流-电压特性研究了薄膜的电导率、载流子迁移率和载流子浓度等电学性质.这些实验结果对于有机光电子器件的结构设计具有一定的参考价值.     

1064 nm激光脉冲致光学薄膜分层剥落损伤特性

研究了1064 nm激光辐照致光学薄膜分层剥落的损伤特性及其抑制手段。从光学薄膜的界面结构出发分析了温升在分层剥落产生过程中的作用,从理论上得出了剥落面积与辐照脉冲能量之间的关系式并通过实验进行验证,间接证明了分层剥落的成因;对分层剥落的抑制、改善方法进行了理论探讨与实验,证明亚阈值能量脉冲预辐照之后剥落面积明显减小,并且在一定范围内预辐照脉冲的能量密度越高相应的效果越明显,对作用机制给出了定性解释。     

激光辅助化学气相沉积金刚石薄膜实验研究

本文采用激光辅助化学气相沉积法合成了厚度为１５μｍ的金刚石薄膜。实验结果表明，以丙酮为碳源气体，并用ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）准分子解离，Ｈ２秀灯线进行予先解离，当选择和中种实验参数，可获得高质量的金刚石薄膜。本文这讨论了衬底温度以及灯线温度等实验参数对薄膜生长速率与薄膜质量的影响。     

单片机控制的半导体激光器稳光强器的研究

介绍了单片机控制的半导体激光器的稳光强器,系统地阐述了其工作原理、硬件及软件设计.实验测得:在室温条件下,稳光强器6 h输出光强的稳定度达到0.28%.     

半导体激光器的光学反馈干涉及传感应用

分析和讨论了激光反馈干涉现象 ,根据半导体激光器的反馈干涉理论 ,研究了反馈干涉模型及其信号的调制和解调方法 ,介绍了典型的传感应用。理论和实验表明 ,激光反馈干涉的理论不同于传统干涉 ,信号处理方法也有其特点。半导体激光器的光学反馈干涉系统具有结构简单、光路易准直、无需附加器件的特点 ,因而能够发展成小型、在线测量和过程控制的传感器 ,测量距离、位移和速度 ,在微机械、光学工程等领域具有应用前景。