硅基法布里-珀罗微腔的红光发射

以PECVD为制备工艺，a—SiO2：H／a—Si：H为分布式布拉格反射镜的多层膜，a—SiCx：H为中间腔体发光材料，制备出垂直腔面的发光微腔，根据模拟结果确定了微腔的多层膜层数和排列顺序，并在250C下制备出了这种微腔，将微腔样品分别在不同温度下进行退火，对退火前后的微腔进行了反射谱和光致发光谱研究。结果表明，微腔能激射出波长为743nm，半高宽为9nm的光，在350C退火后发光性能进一步提高，而450C退火后，性能恶化。     

硅基法布里-珀罗微腔的红光发射

以 PECVD 为制备工艺 a-SiO2 = H/ a-Si= H 为分布式布拉格反射镜的多层膜 a-SiC:= H 为中间腔体发光材 料 制备出垂直腔面的发光微腔. 根据模拟结果确定了微腔的多层膜层数和排列顺序 并在 250C 下制备出了这种 微腔. 将微腔样品分别在不同温度下进行退火 对退火前后的微腔进行了反射谱和光致发光谱研究. 结果表明 微 腔能激射出波长为 743nm 半高宽为 9nm 的光 在 350C 退火后发光性能进一步提高 而 450C 退火后 性能恶化.     

硅基法布里-珀罗微腔的红光发射

以PECVD为制备工艺,a-SiO2∶H/a-Si∶H为分布式布拉格反射镜的多层膜,a-SiCx∶H为中间腔体发光材料,制备出垂直腔面的发光微腔.根据模拟结果确定了微腔的多层膜层数和排列顺序,并在250℃下制备出了这种微腔.将微腔样品分别在不同温度下进行退火,对退火前后的微腔进行了反射谱和光致发光谱研究.结果表明,微腔能激射出波长为743nm,半高宽为9nm的光,在350℃退火后发光性能进一步提高,而450℃退火后,性能恶化.     

硅基法布里-珀罗微腔的室温发光

提出了一种新型基于法布里 -珀罗 (F- P)微腔的发光器件结构 .它采用 PECVD方法制备的非晶硅 /二氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射腔 ,非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层 ,通过对一维方向光子的限制 ,使发光层荧光强度增强 ,谱线变窄 .通过调节发光层和反射腔膜厚及折射率 ,可以精确控制发光峰位 .实验结果证明该结构可望实现全硅基材料的强室温可见光发射 .     

硅基法布里-珀罗微腔的室温发光

提出了一种新型基于法布里-珀罗(F-P)微腔的发光器件结构.它采用PECVD方法制备的非晶硅/二氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射腔,非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层,通过对一维方向光子的限制,使发光层荧光强度增强,谱线变窄.通过调节发光层和反射腔膜厚及折射率,可以精确控制发光峰位.实验结果证明该结构可望实现全硅基材料的强室温可见光发射.     

硅基法布里—珀罗微腔的室温发光

提出了一种新型基于法布里 -珀罗 (F- P)微腔的发光器件结构 .它采用 PECVD方法制备的非晶硅 /二氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射腔 ,非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层 ,通过对一维方向光子的限制 ,使发光层荧光强度增强 ,谱线变窄 .通过调节发光层和反射腔膜厚及折射率 ,可以精确控制发光峰位 .实验结果证明该结构可望实现全硅基材料的强室温可见光发射 .     

微法布里-珀罗腔可调谐滤波器的研究进展

红外光谱检测是一种可靠稳定的分析方法,微机电系统（MEMS）法布里-珀罗（F-P）可调谐滤波器是红外光谱仪、手机摄像头、便携式高光谱成像仪和遥感仪等仪器的核心器件。传统红外分析系统和光谱仪的体积大、功耗高且价格昂贵,很难应用到小型化器件中。相比传统类型的滤波器,MEMS F-P可调谐滤波器具有尺寸小、分辨率高、易于集成和功耗低等优势。综述了近年来MEMS F-P可调谐滤波器在国内外的研究进展,讨论了其波长调谐范围、光谱分辨率、孔径大小以及制造的复杂性和成本等,并展望了MEMS F-P滤波器未来的发展趋势和应用前景,为MEMS F-P可调谐滤波器的研究提供了参考。     

1.55 μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计

设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱和松弛响应频率fR,sat为34.5GHz,最大-3dB带宽为30.5GHz,与目前此波段的最大带宽(19GHz)相比,提高了约60%。     

液体填充增敏型法布里-珀罗微腔光纤温度传感器

为了提高传统空气腔法布里-珀罗(法珀)干涉仪的温度灵敏度,提出了一种基于液体填充的增敏型 法珀微腔光纤温度传感器。传感器采用标准单模光纤与二氧化硅毛细管制作长度为微米量级的光纤法珀微腔并填充以液体。对所制作液体填充法珀微腔光纤温度传感器,由反射光谱通过相关算法计算绝对腔长的方式实现温度解调。理论和实验均表明,该液体填充型法珀微腔传感结构具有明显的温度增敏效果。对于腔长为~12.140 μm的液体填充法珀微腔光纤温度床感器,其腔长-温度灵敏度达到了2.185 nm/℃,高于作为参照的非填充空气腔法珀光纤温度传感器高一倍左右,增敏效果明显。     

电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔

用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6 nm的多孔硅微腔     

电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔

用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响,并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向电流腐蚀,也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀.可通过选取合适的周期、占空比,使二者对多孔硅的作用达到适中,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔.并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数,根据优化的实验参数,制备出了发光峰半峰宽为6nm的多孔硅微腔.     

电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔

用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响,并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向电流腐蚀,也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀.可通过选取合适的周期、占空比,使二者对多孔硅的作用达到适中,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔.并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数,根据优化的实验参数,制备出了发光峰半峰宽为6nm的多孔硅微腔.     

基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件

基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75V,反向击穿电压为8.4V,能够在一个较宽的电压范围(8.4～12V)内稳定工作。总结了工艺对器件电学特性的影响,并将该器件结构与Snyman等人研究的器件结构进行了比较分析。该器件较强的边缘发光在平面结构的Si基片上集成光互联系统中将会有一定的应用价值。     

表面织构对红光LED发光的影响

运用蒙特卡罗法模拟二维红光LED表面织构对LED光提取效率的影响.模拟了不同形状的表面织构对应的光强变化率.选取刻蚀深度为4μm、腐蚀宽度为2μm、倾角为40°、周期为2μm的表面图形对LED进行粗化实验.结果显示,引入表面织构后光强比常规LED提高了20.56%;并对模拟结果与实验结果进行了分析,结果表明引入表面织构可以有效地提高LED的光提取效率.